加速器操作规程

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2023年12月25日发(作者：)

加速器操作规程

RDS111型回旋加速器为美国CTI公司产品。采用该公司自己开发的软件在远端控制计算机即可完成对它的操作。

一．初始化

初始化是为了使加速器各分系统及各部件在运行前都处于正常状态。初始化时需设置加速器各分系统相应参数，加速器根据这些参数自动调整各分系统及各部件的状态，使其符合加速器的运行条件，为打靶做好准备。

1．初始化前应检查的参数

（1）周围环境

温度应低于25℃，湿度应小于50%。

（2）真空系统

Tank Pressure < 7x10-7

torr，Forline Pressure < 2x10-1

torr

（3）冷却水

在加速器封闭回路内流动的称为一次冷却水，一次冷却水通过在另一单独回路内流动的二次冷却水冷却，二次冷却水由水冷机制冷。

 一次冷却水

出水温度：46±3℉，回水温度：110±3℉，出水压力：86Psi，水流量：1 Gpm

 二次冷却水

出水温度：7±3℃，回水温度：10±3℃，出水压力：0.27MPa

（4）正常状态下,各种指示灯及开关状态

 左面控制柜

EXTRACTOR DRIVES POWER ON（剥离膜电机电源开）

BEAM POST（束流轰击）

MAGNET P/S CONTROLLER ON（磁场控制器开）

MAGNET P/S I MODE（磁场电源）

ION SOURCE ARC P/S POWER（离子源电源）

BIAS P/S POWER（偏压电源）

24 VDC（24伏直流）

5 VDC （5伏直流）

START TIMER DISAB（启动时控禁止）

MECH PUMP ON（机械泵开）

FORLINE PRES HIGH（前级压力高）

START SEQ ACT（启动顺序动作）

DP WTR OK（扩散泵水流正常）

TTC OK （腔体正常）

亮

向下

亮

亮

亮

亮

亮

亮

灭

亮

灭

灭

亮

亮

QUICK COOL DISABLE（快速冷却禁止）

DP1 NOT RDY（扩散泵1未好）

DP2 NOT RDY（扩散泵2未好）

DP3 NOT RDY（扩散泵3未好）

DP4 NOT RDY（扩散泵4未好）

DP1 OVT（扩散泵1过热）

DP2 OVT（扩散泵2过热）

DP3 OVT（扩散泵3过热）

DP4 OVT（扩散泵4过热）

 右面控制柜

REMOTE CONTROL（远端控制）

OPERATE（操作）

A/C MAIN（主电源）

 水柜

H2O LEVEL（液面）

TEMP（温度）

PUMP（泵）

FLOW SWITCH OK（流量正常）

CONDUCTIVITY OK（电导率正常）

MAKE-UP Water ON（加水开）

QUICK COOL ON（快速冷却开）

（5）气瓶压力

气体名称

氢气(离子源用)

氩气（送料）

氮气(CPCU)

氦气（靶冷却）

氮氧混合气(99:1)

压缩空气(气动阀用)

氦气(11C送料)

氢气(15O用)

氮气(15O送料)

氮氧混合气(80:20)

2．初始化操作

初级压力(psi)

>100

>750

>100

>100

>350

>100

>100

>100

>100

>350

灭

灭

灭

灭

灭

灭

灭

灭

灭

亮

亮

亮

绿色正常指示灯亮

绿色正常指示灯亮

指示灯亮

指示灯亮

指示灯亮

指示灯灭

指示灯灭

次级压力(psi)

20±5

600

25

7±1

280

80～90

25

25

10

280

（1）在远端控制计算机”Cyclotron-Initialization”页面，点击右方“Initialize Cyclotron”按钮，进入初始化页面。

（2）在出现的初始化页面内，注意观察下列参数。

名称 数值

Ion Source Flow（离子源气体流量）

Arc Current（弧流）

Bias Voltage（偏压）

Beam On Post（束流轰击）

RF Amplitude（高频电压）

RF Start Freq.（起始频率）

RF Forward Power（输入功率）

RF Reflect Power（反射功率）

5.80 sccm

0.33 A

15.0 KV

>250 μA

38.0 KV

72.30 MHz附近

7.85 KW 左右

<200 W

（3）加速器初始化过程为自动过程，无须人工干预。若以上各参数正常，则此页面在一定时间后自动消失，加速器进入待命状态。

（4）若加速器初始化未通过，重复步骤（1）、（2）和（3），直到通过。

3．初始化后应检查的参数

（1）真空系统

Tank Pressure < 2. 5 x10-5 torr，Forline Pressure < 2 x10-1 torr

（2）一次冷却水

出水温度：56±3℉，回水温度：80±3℉，出水压力：81 Psi，水流量：6～8 Gpm

（3）磁场系统

MMA：在222.000A附近，MMOF <2.5000A

（4）高频系统

稳定频率：72.25MHz附近

前级放大器：阳极电压：3.0Kv，阳极电流：0.34A，栅极电流：0.07A

末级放大器：阳极电压：5.5Kv，阳极电流：2.5A，栅极电流：0.4A

（5）气瓶压力

参数值同初始化前步骤（5）表中数值。

二．打靶

初始化后，在检查并确认仪器稳定、各参数都正常的情况下，方可进入打靶过程。在打靶前，应检查18O水、洗靶水，若不足，应补充。打靶具体操作如下。

1．在远端控制计算机“Cyclotron-Initialization”页面，点击左方“Product”，进入“Product Page”页面。

2. 选择所需要的产品，如需要F，点击“Fluoride Ion”。

3. 检查打靶所需参数，主要检查靶电流和时间，靶电流一般为40μA，时间为60分钟。

4. 点击“Go“按钮，计算机自动完成打靶过程，应全程监视打靶过程中下列参数。

18-

名称

High Vacuum（高真空）

Magnet MMA（磁场电流）

RF Forward Power（输入功率）

RF Reflect Power（反射功率）

Gas Flow（气体流量）

IS Current（离子源电流）

Bias Voltage（偏压）

Foil Position（膜角度）

Target Current（靶电流）

Target Pressure（靶压）

数值

-5< 2. 5 x10 torr

222.000 A附近

7.85 KW 左右

<200 W

5.80 sccm

<0.5A

16.0KV

188.0°

40μA

<800Psi

18-5．打靶结束后，计算机弹出提示，询问是否要传送F。点击“Yes”，系统会自动将18F-传送至热室。18F-被传送到热室后，由CPCU完成放射性药物的合成。

6．上述过程结束后，进入“Cyclotron-Initialization”页面，点击右上方“shutdown”关闭仪器。

7．其它同位素打靶过程与18F-

生产过程相似。

本文标签： 打靶加速器过程