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2024年3月3日发(作者：)
主板代工工厂编码，让您知道您的主板真实厂家
主板代工工厂编码，让您知道您的主板真实厂家
D33002 IBM-Hitachi（日立）工厂，台式硬盘、移动硬盘制造。
D33004 FOXCONN台湾工厂，从事各种板卡类制造。
D33005 ASUS华硕电脑，板卡，笔记本电脑制造。
D33006 GIGABYTE工厂，板卡制造。
D33007 FIC大众台湾工厂，板卡制造。
D33008 MSI微星科技，板卡制造。
D33010 HIS金星合资工厂，晶片制造。
D33011 PowerColor-TUL工厂，板卡制造。（原撼讯）
D33014 WD泰国工厂(原Fujistu工厂)，台式硬盘、移动硬盘制造
D33015 WD工厂，台式硬盘、移动硬盘制造
D33017 Hitachi-LG光学 工厂，光磁驱动器制造。
D33019 MAXTOR新加坡工厂，台式硬盘、移动硬盘制造
D33027 Seagate希捷科技，台式硬盘、移动硬盘制造
D33032 Shuttle浩鑫工厂，板卡、XPC制造，
D41039 Aopen台湾工厂，板卡，机箱，电源，光磁产品制造
D33058 Chantech承启工厂，板卡制造。
D33064 DFI友通科技，板卡制造
D33068 Abit罗礼工厂，板卡制造。
D33071 MITEC工厂，笔记本电脑，光磁产品制造。
D33075 Sparkle旌宇工厂，板卡制造。
D33080 海韵科技
D33083 GIGABYTE原QDI合资工厂，板卡制造
D33088 Galaxy嘉威FOXCONN合资工厂，板卡制造
D33221 EPOX大陆工厂，板卡，蓝牙适配器制造
D33282 Albatron青云国际，板卡制造
D33171 ASMART台湾工厂
D31010 ASUS台湾老工厂，板卡制造
D33271 FOXCONN马来西亚工厂，板卡制造
D33A27 YUAN聪泰，板卡制造
D43136 金星科技
D33529 Super Flower
D33108 七盟电子，电源、机箱制造
D33373 原IBM-易拓工厂，台式硬盘、移动硬盘制造
D41126 Logitech苏州工厂，外设制造
D33221 EPOX大陆工厂，板卡制造
D33475 三星韩国工厂，板卡，颗粒制造
D43001 全汉科技(为Nexus等大厂做ODM)，电源制造
D33567 康舒电子(为IBM、HP、DELL、酷冷至尊等做OE/DM)外设制造
D33081 耀越宏展科技 TT，外设制造。
D43028 Enermax保锐
D33228 Enhance，为Silverstone做OEM，电源制造
D004V0 保德
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※ 来源: 青岛新闻网－青青岛社区 发表于:2006-06-1
2楼
惜韵
[海蛎子级]
主板电容爆浆的真正原因
厂家生产的主板如果电容极性弄错了，自然会导致电容爆浆，但是这种情多。
那么真正的原因是什么?其实主要有两点：
1、元件质量问题
电容的容量和体积有关系（这里仅谈体积），容量大则需要较大的体果减小电容体积，那么耐压，耐温能力都会下降。所以同容量的电容体积的要更好些。当然，电容的制造技术也起了决定性的作用，并不是体积小
好。另外，很重要的一点就是，电解电容的存放时间问题，如果所用的电时间比较长，2年以上，电容的性能就会发生变化，所以如果你用的主板这种电容，迟早会爆浆的。厂家采购的电容到货后一般都要进行老化测试我想大家都清楚，但是并不是所有厂家都会进行严格的老化，同样会导致量问题。
2、主板设计问题
其实就是散热不良导致的电容爆浆，即使是质量比较好的电容，如果作在高温下，超出了电容的额定温度范围，同样会导致电解液体积增大，性的电解液，还会产生气泡，最终会爆开电解电容保护阀。
3、开关电源质量差
主板开关电源出现异常，造成输出电压上升，超出电容耐压，同样会解液温度上升。所以主板电容的耐压一定要有较多的余量。
其实原因还有很多，不过主要仍是上面几点。另外，电解电容的电解液几腐蚀性，如何处理就不必说了。
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※ 来源: 青岛新闻网－青青岛社区 发表于：0 3楼
惜韵
[海蛎子级]
电脑硬件真实功率速查列表
-----主 板-----
主板875PE 66W
主板865PE 61W
主板848P 60W
主板845PE 46W
主板845E 43W
主板845GL 46W
主板PT800 58W
主板P4X400 43W
主板P4X266E 42W
主板P4M266A 49W
主板NF2 60W
主板KT600 57W
主板KT400A 56W
-----显 卡-----
5950Ultra CH版 73W
5900 CH版 65W
5700Ultra CH版 50W
5700 CF白金版 40W
5600Ultra CH升级版 45W
5600XT CF白金版 35W
5600 CF白金版 38W
5200Ultra CH版 33W
5200 CF白金版 128M 26W
4000 25W
MX440-8X CF白金版 30W
9800XT CH版 75W
9800SE CF版 52W
9600XT CH版 42W
9600PRO CH版 38W
9600 CF版 33W
9600SE CV版 30W
9200 CH版 28W
9200SE CV版 128M 25W
-----CPU-----
P4 3.0G 90W
P4 2.8G 84W
P4 2.6G 78W
P4 2.4G 73W
P4 2.0G 66W
赛扬2.4G 63W
赛扬2.0G 58W
赛扬1.7G 55W
Athlon64 3200+ 90W
AthlonXP 3200+ 86W
AthlonXP 2800+ 79W
AthlonXP 2500+ 76W
AthlonXP 2200+ 71W
AthlonXP 1800+ 66W
Duron 1.6G 60W
-----内存-----
1G DDR 58W
512MDDR 30W
256MDDR 15W
-----硬盘-----
5400rpm,40G 15W
7200rpm,40G 20W
7200rpm,80G 22W
7200rpm,160G 28W
-----光驱-----
COMBO 24W
DVD-ROM 20W
CD-RW 16W
CD-ROM 15W
-----其 它-----
软驱 5W
PCI声卡 5W
网卡 5W
机箱风扇 3W
处理器风扇 3W
键盘 1.3W
鼠标 1.3W
注:以上数据均为最大功率。
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※ 来源: 青岛新闻网－青青岛社区 发表于：0 4楼
惜韵
[海蛎子级]
电源的功率估算
<电源是功率可分为：额定功率、最大功率、峰值功率。
额定功率：环境温度在-5~50度之间，输入电压在180V~264V之间，电源间稳定输出的功率。
最大功率：环境温度在25度左右，输入电压在200V~264V之间，电源可间稳定输出的功率。
峰值功率：电源在极短时间内能达到的最大功率，时间仅能维持30秒左
显然，只有额定功率和最大功率才有实际意义。
许多用户认为将ATX电源铭牌标出的各组电压输出的最大功率累加后就是源的最大输出功率，这种算法多数情况下是错误的(只有采用磁放大技术这样计算)，许多厂商也用这个方法来标注所谓的最大输出功率，这是一行为，有的厂商甚至用峰值功率来标注电源功率。因为目前许多开关变压的+3.3VDC和+5VDC或+12VDC是共用变压器一个副绕组的，因而在+3.3VDDC和+12VDC中，不可能同时达到最大输出功率，因此不能将这三组电压最大功率进行累加。只有少数电源引入磁放大功能后，分别对+3.3VDC、++12VDC这三组电压使用独立的绕组来设计，才可以将这三组电压输出的最相加。
对于共用一个副绕组的开关电源功率计算，目前还没有专门的计算公式来
算其实际输出功率。下面给出二个估算公式，用于估算非磁放大技术的电功率。
P额定=U I+5V
上式中的U为一个可变化电压值，估算时，取值可在10~11.5之间，估算小值为宜。U的单位为V伏特，I+5V为电源+5V的最大输出电流，单位为
P最大= λP额定
上式中的λ为比例变数，估算时可取1.15~1.25之间，估算时仍取最小值这样估算一般比实际的额定功率要小一些。对消费者有利。
下面举例说明上面两公式的应用，例如，某电源铭牌上标出+5V的最大电A，代入上面两式：
P额定=10 X 35=350W
P最大= 1.15 X 350W=402.5W
上面两个公式，虽然不能准确计算电源的输出功率，但由于其简单易算，的实用价值，在购买电源时可作为参考使用。
对于带磁放大技术的电源，计算功率时就可以直接用电源铭牌上标注的电流来计算。
磁放大技术：这是将开关变压器中的+3.3VDC、+5VDC、+12VDC在副绕组中立的线圈来绕制，同时使初级线圈产生足够的磁通量。这样才能使+3.3VDC、+12VDC同时达到最大电流，而相互之间的干扰较小。这种技术就是磁术。但这样做成本会增加。所以目前许多电源厂商不采用这种方法，而是用副绕组的方法。
下面给出非磁放大下的常用功率标准参数（不同厂商可能会不完全同相）
1、200W电源的各路输出
ATX2.03版本 ATX12V版本
输出电压 输出电流 峰值电流 输出电压 输出电流 峰值电流
+12V 8 10 +12V 10 12
+5V 21 +5V 21
+3.3V 14 +3.3V 14
-12V 0.8 -12V 0.8
-5V 0.3 -5V 0.3
+5VSB 1.5 2.5 +5VSB 1.5 2.5
2、250W电源的各路输出
ATX2.03版本 ATX12V版本
输出电压 输出电流 峰值电流 输出电压 输出电流 峰值电流
+12V 10 12 +12V 13 16
+5V 25 +5V 25
+3.3V 16 +3.3V 20
-12V 0.8 -12V 0.8
-5V 0.3 -5V 0.3
+5VSB 1.5 2.5 +5VSB 1.5 2.5
3、300W电源的各路输出
ATX2.03版本 ATX12V版本
输出电压 输出电流 峰值电流 输出电压 输出电流 峰值电流
+12V 12 14 +12V 15 18
+5V 30 +5V 30
+3.3V 20 +3.3V 28
-12V 0.8 -12V 0.8
-5V 0.3 -5V 0.3
+5VSB 1.5 2.5 +5VSB 2.0 2.5
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※ 来源: 青岛新闻网－青青岛社区 发表于：0 5楼
惜韵
[海蛎子级]
Windows 启动速度缓慢的八大原因分析
大家都希望电脑一开机就可以立即进入Windows 系统而不用等待，但种原因常常未能如愿，甚至一开机就死机的情况也时有发生。其实有些时dows 启动速度缓慢并不是它本身的问题，而是一些设备或软件造成的，面拖慢系统启动的8个原因，再查一查你的电脑是不是也存在类似问题！
1．USB硬盘和扫描仪等设备
如果电脑安装了扫描仪等设备，或在启动时已经连接了USB硬盘，那么不先将它们断开，看看启动速度是不是有变化。一般来说，由于USB接口速
因此相应设备会对电脑启动速度有较明显的影响，应该尽量在启动后再连设备。如果没有USB设备，那么建议直接在BIOS设置中将USB功能关闭
提示：由于Windows 启动时会对各个驱动器（包括光驱）进行检测，因此驱中放置了光盘，也会延长电脑的启动时间。
2．令人心烦的网卡
如果设置不当，网卡也会明显影响系统启动速度，如果你的电脑用不着网就直接将网卡拔掉，以免影响系统启动速度。
如果你的电脑连接在局域网内，安装好网卡驱动程序后，默认情况下系统通过DHCP来获得IP地址，但大多数公司的局域网并没有DHCP服务器，果用户设置成“自动获得IP地址”，系统在启动时就会不断在网络中搜索服务器，直到获得IP 地址或超时，自然就影响了启动时间，因此局域网好为自己的电脑指定固定IP地址。
3．文件和打印机共享
有些安装了Windows XP专业版的电脑也会出现启动非常慢的问题，甚至达分40秒之多！系统似乎死机了，登录系统后，桌面也不出现，电脑就像应，1分钟后才能正常使用。这是由于使用了 程序后，其中文件为电脑启动添加了67秒的时间！
要解决这个问题，只要停止共享文件夹和打印机即可：选择“开始→设置和拨号连接”，右击“本地连接”，选择“属性”，在打开的窗口中取消接使用下列选定的组件”下的“Microsoft网络的文件和打印机共享”前框，重启电脑即可。
提示：微软已经对文件进行了多次升级，而且它确实对WinP的启动速度有很大帮助，建议大家到/whdc/platform/performance/fastboot/ 下载该工具。
4．断开不用的网络驱动器
为了消除或减少 Windows 必须重新建立的网络连接数目，建议将一些不用的网络驱动器断开，也就是进入“我的电脑”，右击已经建立映射的网器，选择“断开”即可。
5．硬盘分区太多也有错
如果你的Windows 2000没有升级到SP3或SP4，并且定义了太多的分区，会使启动变得很漫长，甚至挂起。所以建议升级最新的SP4，同时最好不盘分太多的区。因为Windows 在启动时必须装载每个分区，随着分区数量完成此操作的时间总量也会不断增长。
6．桌面图标太多会惹祸
桌面上有太多图标也会降低系统启动速度。Windows每次启动并显示桌面需要逐个查找桌面快捷方式的图标并加载它们，图标越多，所花费的时间越多。建议大家将不常用的桌面图标放到一个专门的文件夹中或者干脆删
提示：有些杀毒软件提供了系统启动扫描功能，这将会耗费非常多的时间如果你已经打开了杀毒软件的实时监视功能，那么启动时扫描系统就显得余，还是将这项功能禁止吧！
7．字体过多也拖后腿
尽管微软声称Windows可以安装1000～1500种字体，但实际上我们却发装的字体超过500 种时，就会出现问题，比如：字体从应用程序的字体列失以及Windows的启动速度大幅下降。在此建议最好将用不到或者不常用删除，为避免删除后发生意外，可先进行必要的备份。
8．微软自己起“内讧”
还记得Windows XP的某个补丁造成系统启动变慢的新闻吧(比如：代号为10的补丁会造成Windows 2000/XP启动和关机速度奇慢，甚至有可能导致锁死)，可见微软自己内部出问题的可能性也不小，如果你在升级了某个丁后，突然发现系统启动变慢，那么最好留意一下是不是补丁惹的祸。
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※ 来源: 青岛新闻网－青青岛社区 发表于：0 6楼
惜韵
[海蛎子级]
常见闪存卡介绍(SM卡, CF卡, MMC卡, SD卡, MS卡, XD卡, TF卡常见闪存卡介绍: Smart Media(SM卡), Compact Flash(CF卡), Multi
Card(MMC卡), Secure Digital Card(SD卡), Memory Stick(MS卡), ExDigital Card(XD卡), Trans Flash Card (TF卡)
一、Smart Media(SM卡)
SM卡是由东芝和Taec于1995年11月发布的闪存卡(Flash Memory)到了Toshiba、Sam-sung、Sony、Sharp、JVC、Philips、NEC等众多厂家 SmartMedia体积很小，其尺寸为45mm×37mm×0.76mm，且很轻很薄，全1.8克。存贮卡上只有Flash Memory模块和接口，而没有控制芯片，兼容较差，不同厂家和不同设备及不同型号间的SM卡有可能互不兼容。Smar目前的主流容量为128MB,常见的容量还有32M和64M。
*这种卡已经被市场淘汰，没有厂家生产了！
二、Compact Flash(CF卡)
CF卡的兼容性非常的好,因而被广泛应用,Compact Flash是美国San
司1994年推出的由于把Flash Memory存贮模块与控制器做在了一起，这卡的外部设备就可以做得比较简单而没有兼容性问题,特别是升级换代时保证与旧设备的兼容性,保护了用户的投资,而且几乎所有的操作系统都支CF卡无论是在笔记本电脑中还是其它数码产品中都得到了非常广泛的应用卡的大小为43mm× 36mm×3.3mm，只有PCMCIA卡的1/4，而且CF卡本身PCMCIA-ATA功能及TrueIDE。CF卡同时支持3.3伏和5伏的电压,可以在电压下工作。它有两种接口标准：CF Type Ⅱ和CF Type I，从物理结构CF Type Ⅱ卡和CF Type I卡的每个插孔的间隔大小一样,但是CF Type
CF Type I卡厚一些。CF Type I卡看起来只有Type Ⅱ厚度的一半。另 Ⅱ比Tpye I插槽要宽，所以CompactFlash TypeⅡ卡不能在Type I卡使用。目前已经推出高达4GB的CF卡。
*CF卡目前只有部份数码相机继续采用！
三、Multi Media Card(MMC卡)
MMC(MultiMediaCard)卡，从字面含义上来翻译就是多媒体卡，是由NDISK公司和德国西门子公司于1997年共同开发的多功能存储卡。可用于数码相机,数码摄像机, MP3等多种数码产品。它具有体积小,重量轻的特形尺寸只有32mm×24mm×1.4mm，重量在2克以下，并且耐冲击，可反复写记录30 万次以上。驱动电压为2.7-3.6V。目前有64M和128M两种类于数码摄像机和MP3，最近也开始有使用此卡的数码相机了。
*MMC卡全面兼容SD卡!!!
四、Secure Digital Card(SD卡)
SD卡就是Secure Digital Card--安全数码卡,是由日本松下公司,东和美国SanDISK公司于1999年8月共同研制开发而成的。虽然SD卡是根卡开发的,但是基本上两者还是不同的产品,只是在设计时考虑到兼容问题在大多数情况下这两种产品能够互换，是一款具有大容量,高性能,并且更等多种特点的多功能存储卡。它比MMC卡多了一个进行数据著作权保护的证功能(SDMI规格)。现多用于MP3,数码摄像机,电子图书,微型电脑,AV器大小尺寸比MMC卡略厚一点32mm×24mm×2.1mm,容量则要大许多,刚上市卡单卡容量为8MB-64MB不等,传输速度为每秒2MB, 而到2002初单卡容量达512MB,2004年KINGMAX推出的SD卡容量更是达到了2G的水平,数据传提升到10MB/s,这样在传输一些较大的文件时具有一定的优势。另外此卡速度比MMC卡要快4倍，达2MB/秒。同时与MMC卡兼容,SD卡的插口大多MC卡。从性能上看,这两者最大的分别在于 SD卡强调资料的安全性,可以定的软件设置卡内程序或资料的使用权限,以避免用户肆意复制,损害所有利益。当然对于一般用户而言,这个功能没什么用处,相反有关的系统及加会占用记忆卡900K容量,另外SD卡和MMC卡都采用了一体化固体介质,没移动部分,所以完全不用担心机械运动的损坏而导致数据的丢失。
五、Memory Stick(MS卡)
Memory Stick是Sony公司于1997年推出的移动存储器,因其外形像
香糖，又被称为"口香糖"存贮卡。目前只有索尼公司对其支持。与其他
mory存贮卡不同,Memory Stick规范是非公开的,需签协议方可使用。Memick具有写保护开关,内含控制器,采用10针接口,数据总线为串行,最高频20MHz,电压为2.7伏到3.6伏,电流平均为45mA。目前 Memory Stick的量已达256MB,为了适应版权保护的需求1999年12月Sony又推出了新的Gate Memory Stick,加入了MagicGate版权保护技术。新的MagicGate MStick与Memory Stick的兼容,外壳变成了白色,并且在反面加多一个突出以示区别。
六、Extreme Digital Card(XD卡)
所谓XD卡，是英文Extreme Digital 的缩写，也就是极端数码的D卡仅有20×25mm×1.7mm,共0.85立方厘米,2克重,体积只有SM卡的一闪存读写速度是目前储存卡中最快之一，读取速度为每秒5MB,16MB及32入速度为每秒1.3MB,而64MB或更高容量的写入速度是每秒3MB，驱动时小过 SM卡，仅25mW。
七、Trans Flash Card (TF卡)
SanDisk于2004年10月26日宣布推出256MB的TransFlash。Tra是目前世界上最小的闪存卡，约为SD卡的 1/4，尺寸为15 x 11 x 1mm指甲大小。利用适配器可以在使用SD作为存储介质的设备上使用。Tran主要是为照像手机拍摄大幅图像以及能够下载较大的视频片段而开发研制
ansFlash卡可以用来储存个人数据，例如数字照片、MP3、游戏及用于手用和个人数据等，还内设置版权保护管理系统，让下载的音乐、影像及游护；未来推出的新型TransFlash还备有加密功能，保护个人数据、财政健康医疗文件。体积小巧的 TransFlash让制造商无须顾虑电话体积即可设计，而另一项弹性运用是可以让供货商在交货前随时按客户不同需求做这个优点是嵌入式闪存所没有的。
由于TransFlash还可以内建操作系统及系统数据，手机制造商及网设定客制化储存组合、新增软件及升级应用。由于手机客户需要经常转换记而且同一张记忆卡可能需要装置在其它电子产品内共享数据，因此SanDi会提供标准型SD卡、miniSD卡、 Memory Stick PRO Duo卡和MultiMes(MMC)，TransFlash能在同一手机内跟上述记忆卡兼容运作。
摩托罗拉公司的几款手机－A780，E1000与A1000是最早采用TransFlash的产品，TransFlash配合A780，E1000与A1000，拥有拍摄、录像、播放上网等功能。
八、Micro MMC卡
此卡由三星主推，目前三星几款高端手机均采用此种卡为存储卡
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※ 来源: 青岛新闻网－青青岛社区 发表于：0 7楼
惜韵
[海蛎子级]
升级BIOS的方法
一、BIOS概述
BIOS（Basic Input / Output System）,基本输入/ 输出系统.在那6以及更早的时代,它根本不被人们所重视.直到电脑发展到PENTIUM时代板厂商开始采用Flash ROM这种芯片作系统BIOS（CIH 的主要攻击对象,述）虽然这样可以让用户自行升级主板的BIOS但一旦失败（想想自己一工资!）还有CIH„„是不是都不敢碰电脑了？其实只要你了解BIOS一切么美好！又可以放心玩游戏了：-）
先说说这BIOS芯片,它是由ROM（只读存储器）芯片和固化在此芯片rmware（固件）组成, Firmware是指存放在只读存储器中的程序指令,而是Firmware的载体,它可以实现将Firmware一次性写入,多次读写.由此OS正是固化了系统主板Firmware的ROM芯片.黑色4.26后很多人都存在的一个误区,以为CIH是对主板上的Flash ROM芯片造成毁灭性的损坏.现了吧！CIH所破坏的只是固化在芯片中的Firmware,并不是物理性的损坏ROM芯片.这正是中关村有的商家50元修一块BIOS芯片的“秘诀”所在.们自己也可以修,何必花那冤枉钱呢！
怎么样？有点入门了吧.下面的可是好东东,赶快把耳朵叫醒往下听！主板BIOS芯片用的是ROM,它的Firmware在生产过程中已经固化了,是不的.在此之后采用了EPROM(Erasable Programmable ROM,可擦除可编程R它需要专业的器材才能修改Firmware中的内容,对用户来说实为不便.而主板基本上全部采用了Flash ROM（Electrically Erasable Programmabl电擦写可编程只读存储器）它有两种不同芯片的封装形式,咱们最常见的长方形封装的芯片,还有一种是使用正方形封装的芯片,也就是因为它封装的与众不同，使其很难修复(例如技嘉的BX2000,BX2000+等使用双BIOS以板).这些Flash ROM有许多的芯片厂商生产,例如：INTEL,WINBOND,SST,等.这些厂商所生产的芯片最主要的区别是在读写电压和存储容量上有所大致可分为两种：一种是双电压设计,即5V电压下读取,12V电压下写入,写此种芯片的Firmware,免不了跳线,甚为麻烦.另一种是单电压设计,即下读取,5V电压下写入,所以用特定的软件即可改写Firmware.不要高兴得IH正是利用了此种芯片的便利之处,而大肆攻击BIOSL. 如果你想知道自主板上的Flash ROM芯片是那种型号,只要仔细观察电路块上的编号：“的为双电压设计,“29****”的为单电压设计.“***010”或“***001”表的存储用量为1M,“***020”或“***002”便是2M啦！注意这里的M的单bit (兆数据位),所以1M的FLASH ROM 实际能存储的容量为128Kbyte,2为256K.
二、BIOS升级与备份
之所以接着讨论它，是因为这项工作很简单，可以作为学习BIOS的只要清楚的知道自己主板的品牌和具体型号，然后到该主板厂商的网页下ownload最新的BIOS Firmware文件就基本上可以了.（保险起见，最好到商的网页下载,或专做驱动程序的网站,除非你愿意用你心爱的板子去试D的Firmware.）在文章的最后我附了“常见主板BIOS升级程序网址”，想朋友可以去看看.
国内的品牌机和兼容机使用的都是AWARD和AMI公司的Firmware，而品牌机使用的是Phoenix公司的Firmware。要注意的是各个公司的升级程序AWARD的升级程序是，这也使大部分主板的公用升级程序。各个厂商来看，华硕的是，大众的是FLASH***.EXE（***为版而AMI公司的升级程序是
看了这么多的理论，下面我来举个例子吧！以大众PA-2001为例：
1. 在DOS环境下用format a:/s/u命令格式化一张软盘。
2. 把随主板来的CD盘的“”copy到第一步做的软盘中
3. 从互联网上下载新版本的BIOS Firmware。
Go To“ /techsupport/bios/bios/index.h
4. 出现主板列表后,单击主板的名字，在此为“PA-2001”，链接到01”主板BIOS文件页。单击需要的版本，例如：“”链接到load ”页，单击离出口较近的节点，给定保存下载文件的目始下载文件。
5. 把下载的新版本的BIOS Firmware文件解压缩后copy到第一，二软盘中。
6. 用该软盘启动电脑。
7. 在A:> 提示符下运行程序，
选<2> Update BIOS Main Block From File 之后回车，
再键入新的BIOS的Firmware—“”之后回车。
Are you sure（Y/ N）时选Y，回车。开始写入，完成后显示Flashcessfully
8． 按 返回主菜单，BIOS升级完成。
看后又何感想?是不是跃跃欲试了？可先别着急！俗话说的好，不怕怕万一，事先最好先做个备份，安全第一！
1. 在DOS环境下用format a:/s/u命令格式化一张软盘。
2. 把随主板来的CD盘的“”copy到第一步做的软盘中
3. 用该软盘启动电脑。
4. 在A:> 提示符下运行程序，
选<1> Save Current BIOS To File 之后回车
键入需要保存的BIOS的文件名，例如“BIOSBAK”之后回车，开始保S。
完成后显示 BIOS Saved Successfully
5. 按 返回主菜单，BIOS备份完成。
三、BIOS的维修
其实BIOS升级的操作是具有一定危险性的，有些外界的因素会导致级的失败，例如：突然死机或是意外停电等，都会使新写入BOIS芯片的re不完整，从而导致自己心爱的“鸡”嗓子哑了，眼睛黑了。什么感觉？泪？别怕，永远记住电脑是人造的！仔细阅读下面的文章，相信你也会DI的BIOS了。
首先要判断BIOS中的Boot Block（基本引导纪录）是否被破坏，方单：看系统启动时小软如果自检，还能有读盘的声音，这就可以基本上判t Block没有受损。好！下面 Let’s Do IT。
第一法：盲操作法
此法相对来说比较简单，不用对机器内部大动干戈，还记得前面做过启动盘嘛，上面要添加一个名为的批处理文件，命令的内WDFLASH〈BIOS数据文件名〉/ PY / SN / CD / CP ”参数的意义分别是
/ P ：表示更新到新的BIOS，/ Y 表示同意，/ N 表示不同意。（
/ S ：表示保存原有的BIOS，/ Y 表示同意，/ N 表示不同意。（又
/ CD ：表示清除DMI的数据
/ CP ：表示清除PnP的数据
举个例子：大众VL—603主板的BIOS数据文件位114 ，其文件的内容便为：“awdflash 114 / PY / SN / CD /可。做完此救芯盘，用它启动BIOS已坏的电脑，系统将自动执行批处理由于Boot Block中的启动程序只支持ISA的显卡，所以整个修复过程不何的显示，只能听声和看软驱的指示灯是否还亮着。这也就是为何叫它“法”的原因。大约5，6分钟后，取出软驱中的救芯盘，重新启动机子后功告成了！
（怎么样？不算太难吧。其实你要是有块ISA的显卡，那恢复起来就多，怎么说那也是可视操作法呀！在中关村商悦电子市场,卖旧货的摊位一些,但可别说是干这个用,否则—找宰!）
第二法：可视操作法
此法做起来还是很简单，安全的。就是麻烦在需要将机器内部的AGPPCI显卡等统统拆下去，插上“古董级”的ISA显卡，然后将不带AUTOE文件的那张启动盘插入软驱内，启动机器，在A:> 下运行将新的BIOS Firmware 写入（方法详见前面的BIOS升级部分），完成上作后，关闭电脑的电源，取出软盘，重新启动机子后，哈！又大功告成了
（这么快就学会两种方法了，有点收获了吧？其实这两种方法简单是但它们最重要的是要求BIOS芯片中的Boot Block 一定要完好无损。那如了咋办呢？比如不幸碰上了万恶的CIH„„能怎么办，动真格的！）
第三法：热插拔法
面对一块Firmware 被全部损坏的BIOS芯片，用热插拔法恢复是一个选择，当然这要求你具有相当大的勇气，操作时胆大心细，小心谨慎。还很重要，你需要找一个与你具备同样素质的DIYer（前提是他会将他的主无私地借给你用）。很多DIYer还存在着这样的一个误区，以为用此法时一块与受损芯片一样型号的BIOS芯片，这样做固然最好，但不是每个人到的（上哪找去啊？），其实只要BIOS 芯片的读写电压和存储容量一样即何判断详见BIOS概述），这就意味着任何主板的BIOS Firmware都可以写入受损芯片，当然选同样芯片组的Flash BIOS比较好，OK，准备好了吧！
1. 首先用正常的主板和干净的DOS系统盘启动机子。
2. 然后在开机的状态下把主板上的BIOS芯片用螺丝刀撬下（在实践个很重要的技巧，即在未开机的情况下便将BIOS芯片撬下，一定要小心别把芯片的引脚掰断了，之后再将它插入插座，不必插的太紧，只要保证即可。开机后拿住芯片两端，快速拔起. (现在已有大侠发明了在BIOS芯一布条,待开机后一拽即可.非常值得提倡)
3. 之后将受损的BIOS芯片插入主板的插座上，一定要插对方向，而的紧一些，（电脑一旦开机后，系统不会再从BIOS读取数据，因此以上会影响系统）
4. 接着取出DOS系统盘，插入那张救芯盘，将新的BIOS Firmware烧IOS中，最后关机并换回BIOS芯片，哇！大功告成了！
还记得教科书上写的吗?——带电插拔会烧毁芯片等，有了这回的尝你还会坚持吗？我们一直相信“尽信书不如无书”这句话，因为有时你会写的各种注意事项所束缚了手脚和大脑，这对成为一个充满想象力的DIY不利的. 放开你的双手吧! 在实践中得到真知,你的经验是你一生的财富==================
※ 来源: 青岛新闻网－青青岛社区 发表于：0 8楼
虚汗若捂
[八带蛸级]
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※ 来源: 青岛新闻网－青青岛社区 发表于：0 9楼
龙马
[海蛎子级]
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※ 来源: 青岛新闻网－青青岛社区 发表于：0 10楼
梦海拾贝
[八带蛸级]
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收藏了,
收藏了也看不懂==================
11楼
一片闲云飘
[琵琶虾级]
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闲云入窗牗 清露滴梧桐
※ 来源: 青岛新闻网－青青岛社区 发表于：0 12楼
惜韵
[海蛎子级]
沉了？
沉了？沉了？
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※ 来源: 青岛新闻网－青青岛社区 发表于：0[琵琶虾级 13楼
wangbt315
]
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再顶上去
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你永远的朋友
※ 来源: 青岛新闻网－青青岛社区 发表于：0 14楼
惜韵
[海蛎子级]
回复：【wangbt315】
谢谢昂！！
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※ 来源: 青岛新闻网－青青岛社区 发表于：0 15楼
健康与四美
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今生我想做一株郁金香。一株挺拔、沉静却不乏生动，饱满中透露出高贵，清丽脱俗的郁金香。就让我这样
伴你走过次生。
※ 来源: 青岛新闻网－青青岛社区 发表于：0 16楼
sandok
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以下是引用惜韵的帖子：
<电源是功率可分为：额定功率、最大功率、峰值功率。
额定功率：环境温度在-5~50度之间，输入电压在180V~264V之间，电源能长时间稳定输出的功率。
最大功率：环境温度在25度左右，输入电压在200V~264V之间，电源可以长时间稳定输出的功率。
峰值功率：电源在极短时间内能达到的最大功率，时间仅能维持30秒左右。
显然，只有额定功率和最大功率才有实际意义。
许多用户认为将ATX电源铭牌标出的各组电压输出的最大功率累加后就是这个电源的最大输出功率，这种算法多数情况下是错误的(只有采用磁放大技术的才能这样计算)，许多厂商也用这个方法来标注所谓的最大输出功率，这是一种欺骗行为，有的厂商甚至用峰值功率来标注电源功率。因为目前许多开关变压器输出的+3.3VDC和+5VDC或+12VDC是共用变压器一个副绕组的，因而在+3.3VDC、+5VDC和+12VDC中，不可能同时达到最大输出功率，因此不能将这三组电压对应的最大功率进行累加。只有少数电源引入磁放大功能后，分别对+3.3VDC、+5VDC和+12VDC这三组电压使用独立的绕组来设计，才可以将这三组电压输出的最大功率相加。
对于共用一个副绕组的开关电源功率计算，目前还没有专门的计算公式来准确计算其实际输出功率。下面给出二个估算公式，用于估算非磁放大技术的电源输出功率。
P额定=U I+5V
上式中的U为一个可变化电压值，估算时，取值可在10~11.5之间，估算时取最小值为宜。U的单位为V伏特，I+5V为电源+5V的最大输出电流，单位为A安培。
P最大= λP额定
上式中的λ为比例变数，估算时可取1.15~1.25之间，估算时仍取最小值为宜，这样估算一般比实际的额定功率要小一些。对消费者有利。
下面举例说明上面两公式的应用，例如，某电源铭牌上标出+5V的最大电流为35A，代入上面两式：
P额定=10 X 35=350W
P最大= 1.15 X 350W=402.5W
上面两个公式，虽然不能准确计算电源的输出功率，但由于其简单易算，有较大的实用价值，在购买电源时可作为参考使用。
对于带磁放大技术的电源，计算功率时就可以直接用电源铭
牌上标注的电压和电流来计算。
磁放大技术：这是将开关变压器中的+3.3VDC、+5VDC、+12VDC在副绕组中采用独立的线圈来绕制，同时使初级线圈产生足够的磁通量。这样才能使+3.3VDC、+5VDC、+12VDC同时达到最大电流，而相互之间的干扰较小。这种技术就是磁放大技术。但这样做成本会增加。所以目前许多电源厂商不采用这种方法，而是采用共用副绕组的方法。
下面给出非磁放大下的常用功率标准参数（不同厂商可能会不完全同相）。
1、200W电源的各路输出
ATX2.03版本 ATX12V版本
输出电压 输出电流 峰值电流 输出电压 输出电流 峰值电流
+12V 8 10 +12V 10 12
+5V 21 +5V 21
+3.3V 14 +3.3V 14
-12V 0.8 -12V 0.8
-5V 0.3 -5V 0.3
+5VSB 1.5 2.5 +5VSB 1.5 2.5
2、250W电源的各路输出
ATX2.03版本 ATX12V版本
输出电压 输出电流 峰值电流 输出电压 输出电流 峰值电流
+12V 10 12 +12V 13 16
+5V 25 +5V 25
+3.3V 16 +3.3V 20
-12V 0.8 -12V 0.8
-5V 0.3 -5V 0.3
+5VSB 1.5 2.5 +5VSB 1.5 2.5
3、300W电源的各路输出
ATX2.03版本 ATX12V版本
输出电压 输出电流 峰值电流 输出电压 输出电流 峰值电流
+12V 12 14 +12V 15 18
+5V 30 +5V 30
+3.3V 20 +3.3V 28
-12V 0.8 -12V 0.8
-5V 0.3 -5V 0.3
+5VSB 1.5 2.5 +5VSB 2.0 2.5
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