看编号识内存

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2024年3月9日发(作者：)

看编号识内存——Hynix内存芯片篇

相信许多朋友在购买内存时，感觉每条内存的外表都差不多。实际上，它们之间有着本质的差别。这就需要我们从内存芯片上所特有的编号进行辨别了。从内存芯片的编号中，我们了解到内存的生产厂家、内存种类、电压、容量、芯片密度、电气接口、功耗、版本、封装方式、速度等参数，这样就会被JS所蒙骗了。小怪特意为大家整理了目前市场上一些常见品牌的内存芯片的编号规则，相信你看了以后，就不会为内存的编号而一头雾水了！不过，受到版面的限制，小怪也只能逐期刊登一种品牌的内存芯片的编号，还请大家多多谅解哦！

Hynix是非常知名的内存品牌，以前称为Hyundai（现代）。在前两年的DIY市场，大家常用的LGS内存已被Hynix收归门下，所以现代的内存芯片会出现以上三种品牌，最新的当然是Hynix。下面，就向大家介绍现代SDRAM、DDR SDRAM、DRDRAM内存芯片的编号规则。

一、SDRAM内存芯片的旧编号

第1字段由HY组成，代表现代（Hynix）内存芯片的前缀。

第2字段表示产品类型。57代表SDRAM内存；5D代表DDR SDRAM内存。

第3字段表示工作电压。U代表CMOS、2.5V电压；V代表CMOS、3.3V电压。

第4字段表示密度与刷新速度。4代表4Mbit密度、1K刷新速度；16代表16Mbit密度、4K刷新速度；64代表64Mbit密度、8K刷新速度；65代表64Mbit密度、4K刷新速度；129代表128Mbit密度、4K刷新速度；257代表256Mbit密度、8K刷新速度。

第5字段表示内存结构。40代表×4；80代表×8；16代表×16；32代表×32。

第6字段表示内存芯片内部由几个Bank组成。1代表2Bank；2代表4Bank。

第7字段表示电气接口。0代表LVTTL；1代表SSTL；2代表SSTL_2。

第8字段表示内存芯片的修正版本。空白代表第1版；A代表第2版；B代表第3版；C代表第4版；D代表第5版。

第9字段表示功率消耗能力。空白代表正常功耗；L代表低功耗。

第10字段表示内存芯片的封装方式。TC代表400mil TSOPII封装；TQ代表100Pin- TQFP封装。

第11字段表示内存芯片的速度标识。5代表5ns（200MHz）；55代表5.5ns（183MHz）；6代表6ns（166MHz）；7代表7ns（143MHz）；75代表7.5ns （133MHz）；8代表8ns （125MHz）；10P代表10ns （100MHz CL=2或3）；10S代表10ns （100MHz CL= 3）；10代表10ns （100MHz）；12代表12ns （83MHz）；15代表15ns （66MHz）。

小提示：大家不要以为速度标识为10P、10S和10的SDRAM内存就一定符合PC100规范。实际上只有速度标识为10P和10S的SDRAM内存才符合PC100规范，而速度标识为10的SDRAM内存只是PC66。

第12字段表示工作温度类型（此字段也可空白）。I代表工业温度；E代表扩大温度。

二、LGS SDRAM内存芯片的旧编号

第1字段由GM组成，代表LGS内存芯片的前缀。

第2字段表示产品类型。72代表SDRAM内存。

第3字段表示工作电压。V代表CMOS、3.3V电压。

第4字段表示密度与刷新速度。16代表16Mbit密度、4K刷新速度；17代表16Mbit密度、2K刷新

速度；64代表64Mbit密度、16K刷新速度；65代表64Mbit密度、8K刷新速度；66代表64Mbit密度、4K刷新速度；28代表128Mbit密度、4K刷新速度。

第5字段表示内存结构。4代表×4；8代表×8；16代表×16；32代表×32。

第6字段表示内存芯片内部由几个Bank组成。1代表1Bank；2代表2Bank；4代表4Bank；8代表8Bank。

第7字段表示电气接口。1代表LVTTL。

第8字段表示内存芯片的修正版本。空白代表原版本；A代表第1版；B代表第2版；C代表第3版；D代表第4版；E代表第5版；F代表第6版。

第9字段表示功率消耗能力。空白代表正常功耗；L代表低功耗。

第10字段表示内存芯片的封装方式。T代表TSOP封装（正常）；R代表TSOP封装（颠倒）；I代表BLP封装；S代表Stack封装。

第11字段表示内存芯片的速度标识。6代表166MHz；65代表153MHz；7代表143MHz；75代表133MHz；8代表125MHz；7K代表PC100、2-2-2（tCK=10ns、CL=2、tAC=6ns）；7J代表PC100、3-2-2（tCK=10ns、CL=3、tAC=6ns）；10K代表PC66（tCK=15ns、CL=2、tAC=9ns）；10J代表PC66（tCK=10ns、CL=3、tAC=9.5ns）；12代表83MHz；15代表66MHz。

三、SDRAM内存芯片的新编号

第1字段由HY组成，代表现代（Hynix）内存芯片的前缀。

第2字段表示产品类型。57代表SDRAM内存。

第3字段表示工作电压。V代表VDD电压为3.3V、VDDQ电压为3.3V；Y代表VDD电压为3.0V、

VDDQ电压为3.0V；U代表VDD电压为2.5V、VDDQ电压为2.5V；W代表VDD电压为2.5V、VDDQ电压为1.8V；S代表VDD电压为1.8V、VDDQ电压为1.8V。

第4字段表示密度与刷新速度。16代表16Mbit密度、2K刷新速度；32代表32Mbit密度、4K刷新速度；64代表64Mbit密度、4K刷新速度；28代表128Mbit密度、4K刷新速度；2A代表128Mbit密度（TCSR）、4K刷新速度；56代表256Mbit密度、8K刷新速度；12代表512Mbit密度、8K刷新速度。

第5字段表示内存结构。4代表×4；8代表×8；16代表×16；32代表×32。

第6字段表示内存芯片内部由几个Bank组成。1代表2Bank；2代表4Bank。

第7字段表示电气接口。0代表LVTTL；1代表SSTL_3。

第8字段表示内存芯片的修正版本。空白或H代表第1版；A或HA代表第2版；B或HB代表第3版；C或HC代表第4版。也有一些特殊的编号规则，如：编号为HY57V64420HFT是第7版；编号为HY57V64420HGT和HY57V64820HGT是第8版；编号为HY57V28420AT是第3版；编号为HY57V56420HDT是第5版。

第9字段表示功率消耗能力。空白代表正常功耗；L代表低功耗；S代表超低功耗。

第10字段表示内存芯片的封装方式。T代表TSOP封装；K代表Stack封装（Type1）；J代表Stack封装（Type2）。

第11字段表示内存芯片的封装材料。空白代表正常；P代表Pb free；H代表Halogen free；R代表Pb Halogen free。

第12字段表示内存芯片的速度标识。5代表200MHz；55代表183MHz；6代表166MHz；7代表143MHz；K代表PC133（CL=2）；H代表PC133（CL=3）；8代表125MHz；P代表PC100（CL=2）；S代表PC100（CL=3）；10代表100MHz。

第13字段表示工作温度类型（此字段也可空白）。I代表工业温度；E代表扩大温度。

四、DDR SDRAM内存芯片的编号

第1字段由HY组成，代表现代（Hynix）内存芯片的前缀。

第2字段表示产品类型。5D代表DDR SDRAM内存；5P代表DDR-II内存。

第3字段表示工作电压。V代表VDD电压为3.3V、VDDQ电压为2.5V；U代表VDD电压为2.5V、VDDQ电压为2.5V；W代表VDD电压为2.5V、VDDQ电压为1.8V；S代表VDD电压为1.8V、VDDQ电压为1.8V。

第4字段表示密度与刷新速度。64代表64Mbit密度、4K刷新速度；66代表64Mbit密度、2K刷新速度；28代表128Mbit密度、4K刷新速度；56代表256Mbit密度、8K刷新速度；12代表512Mbit密度、8K刷新速度；1G代表1Gbit密度、8K刷新速度。

第5字段表示内存结构。4代表×4；8代表×8；16代表×16；32代表×32。

第6字段表示内存芯片内部由几个Bank组成。1代表2Bank；2代表4Bank；3代表8Bank。

第7字段表示电气接口。1代表SSTL_3；2代表SSTL_2；3代表SSTL_18。

第8字段表示内存芯片的修正版本。空白代表第1版；A代表第2版；B代表第3版；C代表第4版。

第9字段表示功率消耗能力。空白代表正常功耗；L代表低功耗。

第10字段表示内存芯片的封装方式。T代表TSOP封装；Q代表LQFP封装；F代表FBGA封装；S代表Stack封装（Hynix）；K代表Stack封装（MT）；J代表Stack封装（其它）。

第11字段表示内存芯片的封装材料。空白代表正常；P代表Pb free；H代表Halogen free；R代表Pb Halogen free。

第12字段表示内存芯片的速度标识。26代表375MHz；28代表350MHz；3代表333MHz；33代表300MHz；36代表275MHz；4代表250MHz；43代表233MHz；45代表222MHz；5代表200MHz；55代表183MHz；6代表166MHz；D4代表DDR400；D5代表DDR533；J代表DDR333；M代表DDR266

2-2-2；K代表DDR266A；H代表DDR266B；L代表DDR200。

第13字段表示工作温度类型（此字段也可空白）。I代表工业温度；E代表扩大温度。

五、DRDRAM内存芯片的编号

第1字段由HY组成，代表现代（Hynix）内存芯片的前缀。

第2字段表示产品类型。5R代表DRDRAM内存。

第3字段表示工作电压。空白代表CMOS、1.5V电压；W代表CMOS、1.8V电压。

第4字段表示密度与刷新速度。64代表64Mbit密度、8K刷新速度；72代表72Mbit密度、8K刷新速度；128代表128Mbit密度、8K刷新速度；144代表144Mbit密度、8K刷新速度；256代表256Mbit密度、16K刷新速度；288代表288Mbit密度、16K刷新速度。

第5字段表示内存芯片的修正版本。空白或H代表第1版；A或HA代表第2版；B或HB代表第3版；C或HC代表第4版；D或HD代表第5版。

第6字段表示内存芯片的封装方式。E代表Edge Bonding封装；C代表Center Bonding封装；M代表Mirror封装。

第7字段表示工作频率。6代表600MHz；7代表711MHz；8代表800MHz。

第8字段表示内存芯片的速度标识，此速度是指tRAC（Row Access Time）。40代表40ns；45代表45ns；50代表50ns；53代表53ns。

对于以上所列的五种现代内存编号的含义，大家是不是看了以后有一种似懂非懂的感觉。笔者再教大家查看内存条总容量的简便方法，只需查看“密度与刷新速度”字段。如果密度是64Mbit，则表示一片内存芯片的容量为8MB(64Mbit÷8)。现在再数数内存条的正反两面的内存芯片数量（有些带ECC功能的内存条是会多加一片内存芯片，不要将它计算在内），我想大家就不难计算出这条内存条有多大容量了吧

本文标签： 内存代表表示芯片字段