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2023年12月28日发(作者:)
DDR内存常用品牌颗粒
识别详解
海力士(现代)内存
海力士内存颗粒编号一般分为14个部分
1. HY表示海力士内存
2.产品家族,“5D”表示DDR内存
3.工作电压
V表示VDD=3.3V,VDDQ=2.5V
U表示VDD=2.5V,VDDQ=2.5V
W表示VDD=2.5V,VDDQ=1.8V
S表示VDD=1.8V,VDDQ=1.8V
4.容量和刷新设置
64表示64Mb、4K刷新
66表示64Mb、2K刷新
28表示128Mb、4K刷新
56表示256Mb、8K刷新
57表示256Mb、4K刷新
12表示512Mb、8K刷新
1G表示1Gb、8K刷新
5.颗粒位宽
4表示X4
8表示X8
16表示X16
32表示X32
6.表示逻辑BANK数量
1表示2bankS
2表示4BANKS
3表示8BANKS
7.接口类型
1表示SSTL_3
2表示SSTL_2
3表示SSTL_18
8.颗粒版本
“空白”表示第一代生产
A表示第二代
B表示第三代
C表示第四代
9.能耗水准
“空白”表示大众商用型、普通能耗
L表示大众商用型、低能耗
10.封装形式
T表示TSOP
Q表示LQFP
F表示FBGA
FC表示FBGA(UTC:8X13mm)11.表示堆叠封装
“空白”表示普通
S表示Hynix
K表示M&T
J表示其他
M表示MCP(Hynix)
MU表示MCP(UTC)
12.封装材料
空白 表示普通材料
P表示铅
H表示卤素
R表示铅和卤素
13.颗粒性能
D43表示DDR400(3-3-3)
D3表示DDR400(3-4-4)
J表示DDR333
M表示DDR266(2-2-2)
K表示DDR266A
H表示DDR226B
L表示DDR200
14.工作需求温度
I表示工业常温40-85度
E扩展温度零下25-85
三星DDR内存
三星内存颗粒一般分为17部分
1.K表示内存
2.内存类别 4表示DRAM
3.内存子类别
H表示DDR
T表示DDR2
4-5.代表容量
28表示128Mb
56表示256Mb
51表示512Mb
1G表示1Gb
2G表示2Gb
6-7.表示位宽
04表示X4
32表示X32
06表示X4 Stack
07表示X8 Stack
16表示X16
8.表示BANK数量
3表示4BANK
4表示8BANK
9.表示接口类型与电压
8表示接口类型为SSTL_2 工作电压2.5V
Q表示接口类型SSTL 工作电压1.8V
10.产品版本
M 1代
A 2代
B 3代
C 4代
D 5代
E 6代
F 7代
G 8代
H 9代生产
11.封装类型
T 表示TSOP2
S 表示 sTSOP2
G 表示FBGA
U 表示TSOP2(LEAD FREE)
Z 表示FBGA(LEAD FREE)
12.工作温度、能耗
C大众商用型能 、普通能耗 工作温度0-70
L大众商用型能 、低通能耗 0-70
I 工业型、普通能耗40-85
13-14.频率延迟
CC DDR400 3-3-3
C4 DDR400 3-4-4
C5 DDR466 3-4-4
B3 DDR333 2.5-3-3
AA DDR266 2-2-2
A2 DDR266 2-3-3
BO DDR266 2.5-3-3
时常保留标号位置
英飞凌内存
英飞凌内存颗粒编号一般分10个部分
表示英飞凌内存(与海力士有区别 注意)
2.工作电压
39表示3.3V
25表示2.5V
18表示1.8V
3.内存类型
S表示SDR
D表示DDR
T表示DDR2
4.容量
略
5.产品结构
40表示X4
80表示X8
16表示X16
6.产品变化,0表示标准产品
7. 版本号
字母表中的顺序越靠后越新
例如A1代 B2代 C3代...
8.封装类型
C FBGA(含铅)
T TSOP 400mil(含铅)
E TSOP 400mil(无铅无卤)
F FBGA(无铅无卤)
G 堆叠TSOP(无铅无卤)
9.能耗标准
空白表示普通能耗
L 低能耗
10.颗粒性能
5 DDR400B 3-3-3
6 DDR333 2.5-3-3
7 DDR266A 2-3-3
7F DDR266 2-2-2
7.5 DDR266B 2.5-3-3
8 DDR200 2-2-2
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