微星Z87-GD65主板BIOS设置解说

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2024年1月5日发(作者：)

微星Z87-GD65主板BIOS设置解说

0—预览

进入BIOS，首先看到的是如下屏幕。

温度检测：显示CPU和主板温度。

语言：允许你选择BIOS设置菜单的语言。

系统信息：显示时间、日期、CPU名称、CPU频率、内存频率、安装的内存容量以及BIOS版本。

BIOS菜单：BIOS设置项的第一级菜单，设置项如下。

SETTINGS（设置）-该菜单用于设置芯片组参数和启动设备。

OC-该菜单含有频率和电压调整。增加频率能提高性能，但是高的频率和热量能引起不稳定，所以不建议普通客户超频。

M-FLASH-这个菜单提供了一种通过U盘刷新BIOS的方法。

OC PROFILE-这个菜单用于设定各种超频预置文件。

HARDWARE MONITOR-这个菜单用于设定风扇速度和监测电压。

BOARD EXPLOER-它可以提供主板上安装的设备的信息。

启动设备优先权条：你可以在这里移动设备图标从而改变他的优先权。

菜单设置项显示区：这个区域提供菜单设置项和信息，供设置和配置用。

虚拟OC Genie按钮：敲击这个按钮可以启用或关闭OC Genie功能。当启用的时候，这个按钮将变亮，启用OC Genie功能时可以依据MSI的超频优化的预置OC文件超频。

重要提示

●我们建议：在启用OC Genie功能后，不要修改OC菜单，也不要加载默认优化值。

●在OC Genie模式下，不要刷新BIOS，也不要清CMOS，这些动作可能引起OC Genie失败或者发生意想不到的故障。

主板型号名称：秀出主板的名称型号。

子菜单：如果在一个设置项左侧有指示符，意味着这个设置项是子菜单，含有附加的设置项。你可以用箭头键或把鼠标光标移动到这个个设置项，在敲回车或者双击鼠标左键进入子菜单。

滚动条：当设置项较多，显示区容纳不下的时候会出现滚动条，滑动滚动条或用箭头键可以显示那些显示区域以外的设置项。

一般帮助：一般帮助就是简要的说明，可以帮助你理解设置项的概念。

1-操作

2-设置（SETTINGS）

设置菜单的设置项有系统状态（System Status）、高级（Advanced）、启动（Boot）、Security（安全）、保存并退出（Save & Exit）。

2-1、系统状态（System Status）

系统状态（System Status）包括有系统日期（System Date）和系统时间（System Time）设置，SATA口连接的硬盘信息，系统信息。

系统日期（System Date）

日期的格式是day（天）、month（月）、date（日）years（年）。使用tab键在年月日之间切换。

day（天） 是一周的某一天，从星期日到星期六，每天的星期几有BIOS测定，只读型。

month（月） 从一月到12月。

date（日） 从1到31，可以通过数字键键入。

years（年） 用户·可以自己调整。

系统时间（System Time）

时间格式是hour（时）、minute（分）、second（秒），使用tab键在时分秒之间切换。

SATA口（SATA Port）

显示已经连接的SATA设备信息。

重要提示

如果已经连接的SATA设备没有显示，请关机，仔细检查主板和SATA设备之间的数据线和电源线，必要时可以更换数据线和电源线试试。

系统信息（System information）

显示系统的详细信息，包括CPU类型，BIOS版本，内存（只读信息）。

2-2、Advanced（高级）

高级设置主要是南桥芯片的设置，包括有PCI、ACPI、整合周边、集显、USB、IO、电源管理等设置。

2-2-1、PCI Subsystem Settings（PCI子系统设置）

设置PCI、PCIE接口协议和延迟，按回车进入子菜单。

2-2-1-1、PEG0/1/2-GEN X（PCIE协议版本）设置

默认是AUTO，可选设置有Gen1/Gen2/Gen3，也就是PCIE协议1代，2代和3代。

[Auto] 可以支持全部PCIe规格：Gen1, Gen2 and Gen3。.

[Gen1] 仅支持Gen1规格。

[Gen2] 仅支持Gen2规格。

[Gen3] 仅支持Gen3规格。

注：Z87-MPOER有三条从CPU插座引出的PCIEx16槽，所以有PEG0/1/2设置分别对应3条PCIEx16槽。

2-2-1-2、PCI Latency Timer（PCI延迟时间）

设置PCI总线的响应时间，设置的延迟值保存到PCI延迟寄存器中。默认32个PCI总线时钟，还可以设置的延迟如下：

2-2-2、ACPI Settings（ACPI设置）

设置主板电源指示灯的ACPI参数，按回车进入子菜单，看到Power LED设置。

[Blinking] 闪烁，电源Led灯闪烁表示S3状态。The power LED blinks to indicate the

S3 state。

[Dual Color] 双色，电源LED灯用另一种颜色表示S3状态。

2-2-3、Integrated Peripherals（周边设备）

设置周遍设备参数，如网卡、SATA硬盘、USB、声卡等等，按回车进入子菜单。

2-2-3-1、OnBoard LAN Configuration（板载网卡配置）

板载网卡配置有：板载网卡控制器/网卡ROM启动/Ne Work stack等三项。

2-2-3-1-1、Onboard LAN Controller（板载网卡控制器）

开启/关闭网卡控制器，默认是开启。

2-2-3-1-2、LAN Option ROM（网卡可选ROM）

开启/关闭传统网卡启动ROM，网卡ROM启动后可以设置ROM。默认是关闭。如果无盘网需要从服务器端启动开机，请设置成开启。

这个选项仅当“Onboard LAN Controller”是开启时才显示。

[Enabled] 开启板载网卡启动ROM。

[Disabled] 关闭板载网卡启动ROM。

2-2-3-1-3、Network stack（网络堆栈）

设置UEFI网络堆栈以便优化IPV4/IPV6功能。默认是Disabled。

[Enabled] 开启UEFI网络堆栈。开启后增加显示Ipv4 PXE Support和Ipv6 PXE

Support选项。

[Disabled] 关闭UEFI网络堆栈。

2-2-3-2、SATA Configuration（SATA配置）

SATA设置包括SATA模式和热插拔。

2-2-3-2-1、SATA Mode（SATA模式）

设置板载SATA控制器的工作模式，默认模式是AHCI。其他模式有IDE和RAID。

2-2-3-2-2、SATA1-6 Hot Plug（SATA1-6热插拔）

允许用户自己设定支持热插拔，设置项是禁止和允许，默认是禁止。热插拔就是可以在OS下拔插SATA硬盘。AHCI和RAID模式才出现热插拔选项。注意：SATA1代硬盘不支持热插拔。

[Enabled] 启用该SATA口支持热插拔功能。

[Disabled] 关闭该SATA口支持热插拔功能。

2-2-3-2-3、External SATA 6Gb/s Controller Mode（外部SATA-6GB/s控制器模式）

设置第三方SATA控制器工作模式。

[Disabled]关闭这个SATA控制器。

[IDE Mode]指定SATA存储设备工作在IDE模式。

[AHCI Mode] 指定SATA存储设备工作在AHCI模式。 AHCI （Advanced

Host Controller Interface 高级主控制器接口）提供了一些提高SATA存储设备速度和性能的先进的特性，比如原生命令队列（NCQ）和热插拔。

2-2-3-3、HD Audio Controller（HD音效控制器）

开启/关闭板载高保真音效控制器。

2-2-3-4、HPET（高精度事件定时器配置）

开启/关闭HPET（高精度事件定时器配置）。

高精度事件定时器（HPET）是Intel制定的新的用以代替传统的8254(PIT)中断定时器与RTC的定时器。

2-2-4、Integrated Graphics Configuration（集成显卡配置）

调整集成显卡的设置，以便优化系统。按回车进入子菜单。

2-2-4-1、Virtu Technology（Virtu技术）

开启/关闭Virtu技术，默认关闭。

Virtu 技术是一种很有用的图形计算技术，d-模式下可以增强性能，i-模式则节能。

[Disabled] 关闭Virtu技术。

[i-Mode] 开启Virtu i-模式技术，用于节能。

[d-Mode] 开启Virtu d-模式技术，用于耗费资源的3D游戏，系统安装的独立显卡发挥稳定的3D性能。

2-2-4-2、Initiate Graphic Adapter（第一显卡）

选择一个显卡用于开机启动的第一显卡，默认是PEG（独显）。同时使用独显和集显时，设定那个显卡是第一显卡，就是开机从那个显卡输出（也就是主显卡）。

[IGD] 集成显卡做第一显卡。

[PEG] 独立显卡做第一显卡。

2-2-4-3、Integrated Graphics Share Memory（集成显卡共享内存）

从系统内存中选择一个固定的容量分配给板载集成显卡。这个选项是定义准确的内存容量共享给板载显卡。选项有[32M,64M, 128M, 256M]，默认是64M。

2-2-4-4、DVMT Memory（动态分配共享内存）

根据集成显卡的应用（如2D/2D游戏）动态的分配内存给显卡做显存。选项有[128MB,

256MB, 最大]，默认是256MB。注意选项的数值是动态的，配4GB内存Windows7环境最大是1760MB。

2-2-4-5、IGD Multi-Monitor（集成显卡多显示器）

开启/关闭集成显卡和独立显卡的多屏输出，默认是关闭。如果要使用Lucid的Virtu MVP技术，请把此项设置为允许。

[Enabled]开启IGD多显示器输出功能。

[Disabled]关闭IGD多显示器输出功能。

2-2-5、Intel(R) Rapid Start Technology（英特尔快速启动技术）

英特尔的这项技术可以优化系统唤醒操作。按回车进入子菜单。

注意，使用英特尔快速启动技术必须连接SSD盘，如果没有连接SSD盘，该选项是灰色不可设置的。

连接SSD盘后，Intel(R) Rapid Start Technology变亮，并可设置，设置项有开启/关闭，默认是关闭。

设置为开启后，弹出多项设置，如下图所示。

2-2-5-1、No valid iFFS Partition found（没有找到有效的iFFS（Intel Fast Flash

Standby）分区）

这是还没有在系统下安装RST驱动建立iFFS的缘故。一般来说iFFS大小必须和安装的内存量相等。

其实RST就是把S3休眠时保存在内存的现场映像保存在SSD中，也就是iFFS中。

2-2-5-2、Entry on S3 RTC Wake（进入休眠S3的定时唤醒）

这是设置进入S3模式的实时时钟唤醒时间，设置项有开启/关闭，默认是开启。

如果设置为开启，Entry After就变成可选的，Entry After就是一个唤醒定时器，可以设置多长时间唤醒，唤醒时间可以手动输入，默认是10分钟。

2-2-5-3、Active Page Threshold Support（主动页阈值支持）

当快速启动分区小于系统内存容量时，这个选项是开启/关闭主动页阈值支持，启用主动页阈值支持就是允许SSD有额外的分区用于快速启动。默认是开启。

设置为开启就弹出Active memory Threshold（主动内存阈值）选项，让你设置额外的启动分区尺寸，默认是0，可以手动输入。

重要提示

分区尺寸必须大于安装的内存容量。

2-2-5-4、Hybrid Hard Disk Support（混合硬盘支持）

开启/关闭快速启动支持混合硬盘，默认是关闭。

[Enabled] 开启混合硬盘支持。

[Disabled] 关闭混合硬盘支持。

2-2-5-5、Rapid Start Display Save/Restore（快速起动显示保存/恢复）

开启/关闭快速启动显示屏幕保存或恢复功能，默认是关闭。该功能是系统进入休眠前保存屏幕，当系统唤醒时恢复原来的屏幕。

如果设置为开启，系统就弹出Rapid Start Display Type（快速启动显示类型）选项，让你设定快速启动显示屏幕的类型。

[BIOS Save/Restore] BIOS开机自检弹出的屏幕被保存/恢复。

[DeskTop Save/Restore] 桌面映像被保存/恢复。

默认是BIOS Save/Restore。

2-2-5-6、Lake Tiny Feature（莱克泰尼特征）

开启/关闭莱克泰尼特征，默认是关闭

Lake Tiny是动态磁盘加速（DSA）功能研发代号，因此具有DSA功能的主板可能用Lake Tiny表示。不过这个功能是集成在Haswell的I3、I5、I7和Xeon处理器。Haswell的奔腾赛扬不支持。开启这个选项，要求Intel C-State也必须开启。

[Enabled] 根据SSD盘的速度调整动态IO负载以提高性能。

[Disabled] 关闭该特性。

2-2-6、USB Configuration （USB配置）

设置南桥芯片的USB控制器和设备功能。按回车进入子菜单。

顶部显示当前主板连接的USB设备信息。

下面是4项是设置选项。

2-2-6-1、USB Controller（USB控制器）

开启/关闭USB控制器，设置项有开启/关闭，默认是开启。

2-2-6-2、XHCI Hand-off

XHCI（eXtensible Host Controller Interface）可扩展的主机控制器接口。这是英特尔公司开发的一个USB主机控制器接口。它目前主要是面向USB 3.0的，同时它也支持USB

2.0及以下的设备。Hand-off是传递，切换。该选项是当操作系统不支持XHCI时就让BIOS来控制。

该选项是给那些不支持XHCI的操作系统用的。

[Enabled] 当操作系统不支持XHCI时，开启XHCI Hand-off。

[Disabled] 关闭XHCI Hand-off。

2-2-6-3、EHCI Hand-off

EHCI（Enhanced Host Controller Interface）增强型主机控制器接口。这是USB 2.0的主机控制器接口。该选项是当操作系统不支持EHCI时就让BIOS来控制。

该选项是给那些不支持EHCI的操作系统用的。

[Enabled] 当操作系统不支持EHCI时，开启XHCI Hand-off。

[Disabled] 关闭XHCI Hand-off。

2-2-6-4、Legacy USB Support（传统USB支持）

设置USB控制器对传统USB设备的支持，设置项有自动/开启/关闭。默认是开启。

[Auto]系统自动检测连接的USB设备，并依据OS允许或禁止传统USB支持。

[Enabled] 让不支持USB的操作系统也支持传统USB。

[Disabled] 只有UEFI应用才可以获得USB设备。

2-2-7、Super IO Configuration（超级IO配置）

设置系统超级IO芯片参数，包括LPT和COM口。按回车进入子菜单。子菜单有串口0配置。串口0配置选项如下。

2-2-7-1、Serial Port 0 Configuration（串口0配置）

串口0配置包括2项，一个是开启/关闭串口0，一个是串口的中断和IO地址设置。

2-2-7-1-1、Serial Port 0（串口0）

开启/关闭串口0选项，默认是开启。

[Enabled] 开启串口。

[Disabled] 关闭串口。

2-2-7-1-2、Serial Port 0 Settings（串口0设置）

这是串口0的IO地址和中断地址设置，自动就是让BIOS自己依据设备自动配置，其余选项就是手动设置了。

2-2-8、Intel(R) Smart Connect Configuration（英特尔智能连接配置）

英特尔智能连接技术可以优化在休眠状态下的系统网络性能。按回车进入子菜单。

子菜单一个选项Intel(R) Smart Connect Technology，这个选项就是开启/关闭英特尔智能连接技术。这项技术通过定期将处于睡眠/待机状态的PC唤醒一小段时间，可使应用程序（如电子邮件和社交网络）始终处于最新状态。这意味着，当您唤醒PC时，程序数据已经处于最新状态。

[Enabled] 开启智能连接技术。

[Disabled] 关闭智能连接技术。

2-2-9、Power Management Setup（电源管理设置）

设置系统电源管理EuP2013和AC掉电的反应动作。按回车进入子菜单。

子菜单有2个设置项：EuP2013和AC掉电再来电的状态。

2-2-9-1、EuP2013

开启/关闭依据EuP2013的系统功耗。默认是关闭。

[Enabled] 依据EuP3012规则优化系统功耗。

[Disabled] 关闭该项功能。

注意：开启EuP2013，系统将不支持RTC唤醒功能。AC掉电恢复供电时，是关机状态。

2-2-9-2、Restore after AC Power Loss（AC掉电恢复供电后的状态）

设置当AC断电后，再恢复供电时系统的反应状态。默认是关机。

[Power Off]恢复供电后系统处于关机状态。

[Power On] 恢复供电后系统启动开机。

[Last State] 恢复供电后保持先前的状态。

2-2-9-3、On board Function LED Control（板载LED管理）

管理板载LED指示灯。

[On]开启板载LED指示灯。

[Off]关闭板载LED指示灯。

2-2-10、Windows 8 Configuration（Windows 8 配置）

Windows 8 Configuration就是根据Windows 8 的要求配置BIOS。按回车进入子菜单。

可以看到Windows 8 Configuration有三个设置项：Windows 8 Feature（Windows 8

特征），MSI Fast Boot（微星快速启动），快速启动（Fast Boot）。默认都是Disabled（关闭）。

2-2-10-1、Windows 8 Feature（Windows 8 特征）

开启/关闭Windows 8特征，默认是关闭。安装Windows 8可以开启（其实Windows 8也支持非UEFI模式），安装其他操作系统请关闭。

开启前一定要确认安装的所有设备和应用（硬件和软件）都要满足Windows 8的要求。

[Enabled] 系统转换到UEFI模式，以便符合Windows 8的要求。

[Disabled] 关闭该功能。

注意1：

如果设置为允许，系统就转换到UEFI模式并要满足Windows 8的UEFI要求。Windows

8的UEFI要求就是：显卡和主板BIOS都是支持Windows 8的UEFI BIOS，也就是常说的BIOS必须是Windows 8 LOGO BIOS。目前集成显卡的主板容易做到，因为主板BIOS和集显BIOS都是一家的。独立显卡的UEFI BIOS就比较难，因为配置UEFI BIOS的独立显卡必须插在UEFI BIOS的主板上而且要和主板的UEFI BIOS兼容，否则显卡可能不开机，或者出错。所以UEFI BIOS的独立显卡较少。如果使用传统BIOS的独立显卡，开启这个选项了，开机后系统也会提示：

提示的意思是：

系统BIOS检测到一个非Windows 8 LOGO显卡。

在这个显卡中检测不到GOP（图形输出协议）。

BIOS的Windows 8 Feature将被设置为Disabled。

按F1进入BIOS设置。

按F2加载默认值和继续。

当然，关闭Windows 8 Feature也可以安装Windows8。

注意2：

开启Windows 8 Feature，只能安装Windows8，不能安装Windows 8以外的任何操作系统，包括Windows 7。所以，如果不安装Windows 8，请不要开启。

注意3：

开启Windows 8 Feature，BIOS的Boot模式默认为UEFI，所有可以启动的设备也都是UEFI。

Windows8特征开启后，快速启动自动开启，同时还弹出Internal GOP Configuration（内部GOP配置）和Secure Boot（安全启动）选项。

2-2-10-1-1、Internal GOP Configuration（内部GOP配置）

管理板载集成显卡输出协议（GOP：Graphics Output Protocol），按回车进入子菜单。

子菜单显示用于系统管理的IGFX Driver Version（集显驱动版本）。

这个选项是集成显卡的配置，必须开启WIN8特征后才可以看到集显的配置信息。

2-2-10-1-2、Secure Boot（安全启动）

设置Windows安全启动防止未授权的访问。

安全启动来历：

Secure Boot（安全启动）本来是UEFI 的一部分，其目的是防止恶意软件侵入，做法就是采用密钥。UEFI规定，主板出厂的时候，可以内置一些可靠的公钥。然后，任何想要在这块主板上加载的操作系统或者硬件驱动程序，都必须通过这些公钥的认证。也就是说，这

些软件必须用对应的私钥签署过，否则主板拒绝加载。由于恶意软件不可能通过认证，因此就没有办法感染Boot。但是，UEFI没规定哪些公钥是可靠的，也没规定谁负责颁发公钥，这些都留给硬件厂商自己决定。

微软的Windows 8将启用UEFI的Secure Boot。要求主板厂商内置Windows 8的公钥。所有预装Windows 8的厂商（即OEM厂商）都必须打开Secure Boot。因此，一台预装Windows 8的台式机或笔记本，想要在上面再安装其他操作系统（包括以前版本的Windows）是不可能的，除非关闭Secure Boot，或者其他操作系统能够通过Windows 8公钥的认证。如果选择关闭Secure Root，那么预装的Windows 8将无法使用，需要重新安装。

当然，在不打开Secure Boot的情况下，Windows 8可以安装。这与安装以前版本的Windows没有差别。

在Secure Boot按回车进入子菜单。子菜单显示平台模式（Platform Mode），安全启动状态，以及Secure Boot Control，Secure Boot Mode和Key Management设置项。

2-2-10-1-2-1、Platform Mode（当前平台模式）

显示当前的安全启动平台模式，2种模式Setup（设置）和User（用户）。

2-2-10-1-2-2、Secure Boot（当前安全启动状态）

显示当前的安全启动状态，2种状态Active（激活）和Not Active（未激活）。

2-2-10-1-2-3、Secure Boot Support（安全启动支持）

开启/关闭Windows安全启动支持，默认是关闭。

开启安全启动支持必须是注册了Platform Key（平台密钥PK）并且Platform Mode是User模式，还要关闭CSM（Compatibility Support Module 兼容支持模块）功能才可以设置为开启。

[Enabled] 开启安全启动支持。开启Secure Boot Support，安装Windows 8.1才不显示Secure Boot未正确配置水印。

[Disabled] 关闭安全启动支持。

2-2-10-1-2-4、Secure Boot Mode（安全启动模式）

选择安全启动模式，默认是Custom（自选）。

[Standard]系统自动从BIOS加载安全密钥。

[Custom] 允许用户配置安全启动设置和手动加载安全密钥。

设置为Custom（自选模式）后就会增加一项Key Management（密钥管理）。也就是说“自选”是用户自己安装和管理安全启动的密钥。

2-2-10-1-2-5、Key Management（密钥管理）

管理安全启动密钥，按回车进入子菜单。进入子菜单可以看到PK/KEK/DB/DBX都是未安装的（NOT INSTALLED）。

2-2-10-1-2-5-1、Factory Default Key Provisioning（厂方提供默认密钥）

开启/关闭厂方的默认密钥，设置参数开启/关闭，默认关闭。

[Enaabled] 启用厂方提供的密钥。

[Disabled] 禁用厂方提供的密钥。

2-2-10-1-2-5-2、Enroll All Factory Default Keys（注册所有厂方默认密钥）

在此回车就可以注册厂方提供的全部安全启动密钥。敲回车，弹出提示

注册后，PK/KEK/DB/DBX都是已安装的（INSTALLED）。

2-2-10-1-2-5-3、Save All Secure Boot Variables（保存所有安全启动变量）

保存所有安全启动密钥到磁盘。

2-2-10-1-2-5-4、各个密钥的设置

Platform Key（PK）平台密钥（PK），PK设置项有：

Delete PK（删除PK）

Set new PK（设置新PK）

Key Exchange Key Database（KEK）密钥交换密钥库（KEK），KEK设置项有：

Delete KEK（删除KEK）

Set new KEK（设置新KEK）

Append Var to KEK（KEK追加变量）

Authorized Signature Database（DB）授权签名数据库（DB），DB设置项有：

Delete DB（删除DB）

Set new DB（设置新DB）

Append Var to DB（DB追加变量）

Forbidden Signature Database（DBX）禁止签名数据库（DBX），DBX设置项有：

Delete DBX（删除DBX）

Set new DBX（设置新DBX）

Append Var to DBX（DBX追加变量）

2-2-10-2、MSI Fast Boot（MSI快速启动）

开启/关闭MSI快速启动。默认是关闭。

这是MSI定义的快速启动，是最快启动系统的一种方法。启动时USB，PS2和SATA设备都不检测。

[Enabled]开启MSI Fast Boot功能，启动时间最短，而且它下面的Fast Boot就不需要再设置而被关闭和固定。

[Disabled] 关闭MSI Fast Boot。

2-2-10-3、快速启动（Fast Boot）

开启/关闭快速启动。默认是关闭，开启后增加USB/PS2/SATA的快速启动支持选项。

重要提示：

开启“MSI Fast Boot”，如果你想开机进入BIOS ，请开启Boot设置项里面的“GO2BIOS”，或者按主板上面的“FSATB1”按钮。

2-2-11、Wake Up Event Setup（唤醒事件设置）

设置系统从睡眠状态唤醒行为。按回车键进入子菜单。

2-2-11-1、Wake Up Event By（唤醒事件管理）

选择由BIOS还是由OS管理唤醒事件。

[BIOS] 由BIOS管理，激活该项下面的设置项，并用这些设置项设置唤醒事件。

[OS] 由OS管理唤醒事件，选定后，下面的设置项都被取消。

2-2-11-2、Resume By RTC Alarm（实时时钟唤醒）

开启/关闭实时时钟唤醒，默认是关闭。

[Enabled] 允许系统在指定的时间从休眠状态唤醒。

[Disabled] 关闭该功能。

如果开启。系统自动弹出唤醒时间设置：日期（月）唤醒/时间（时:分:秒）唤醒。

用<+> 和 <-> 设置，或者直接输入日期时分秒数值。

2-2-11-3、Resume By PCI or PCI-E Device（PCI或PCIE设备唤醒）

开启/关闭PCI或PCIE设备唤醒，默认是关闭。

[Enabled] 当检测到PCI/PCIE设备有动作或有输入信号，允许系统从休眠节能状态下唤醒。

[Disabled] 关闭该功能。

2-2-11-4、Resume From S3 by USB Device（USB设备从S3唤醒）

开启/关闭USB设备唤醒，默认是关闭。

[Enabled] 当检测到USB设备活动时允许系统从S3（挂起到内存）休眠状态E唤醒。

[Disabled] 关闭该功能。

2-2-11-5、Resume From S3/S4/S5 by PS/2 Mouse（PS/2鼠标从S3/S4/S5唤醒）

开启/关闭PS/2鼠标从S3/S4/S5唤醒，默认是关闭。

[Enabled] 当检测到PS/2鼠标有动作时，允许系统从S3/S4/S5状态唤醒。S3/S4/S5分别是ACPI规定的休眠模式。S3是除了内存外的部件都停止工作。唤醒时间：0.5秒。S4是内存信息写入硬盘，所有部件停止工作。唤醒时间：30秒。S5就是关机状态。

[Disabled] 关闭该功能。

2-2-11-6、Resume From S3/S4/S5 by PS/2 Keyboard（PS/2键盘从S3/S4/S5唤醒）

开启/关闭PS/2键盘唤醒，有三项设置：关闭/任意键/热键，默认是关闭。

[Any Key] 当探测到PS/2键盘的任意一键有动作时，允许系统从S3/ S4/ S5 状态唤醒。

[Hot Key] 当探测到PS/2键盘的指定热键有动作时，允许系统从S3/ S4/ S5 状态唤醒。

[Disabled] 关闭该功能。

热键就是定义指定的键唤醒，当你设定热键后，还需要指定那些热键。

注意：键盘和鼠标唤醒包括了S5模式，S5就是关机状态，设置了键盘鼠标唤醒后，也就等于设置了键盘鼠标开机。

2-3、Boot（启动）

设置开机启动的顺序。

2-3-1、Boot Configuration（启动配置）

2-3-1-1、Full Screen Logo Display（全屏幕商标显示）

开启/关闭开机POST自检时显示全屏商标。

[Enabled] 开机全屏显示LOGO。

[Disabled] 关闭该功能。

2-3-1-2、GO2BIOS（Go to BIOS）

开启/关闭快速进BIOS功能，默认是关闭。

[Enabled] 开机敲DEL键可以进BIOS。

[Disabled] 关闭该功能。

2-3-1-3、Boot Mode Select（启动模式选择）

根据安装的操作系统要求从传统模式和UEFI模式中选择系统启动模式。WIN8以前的系统一般选择传统启动。WIN8一般也可以用传统启动，如果开启Windows 8 Feature，自动配置成UEFI启动。

[UEFI] 只允许UEFI BIOS启动。

[LEGACY+UEFI] 允许LEGACY和UEFI两种模式启动。

2-3-2、FIXED BOOT ORDER Priorities（固定启动顺序优先权）

设置固定的启动设备的启动优先权。BIOS列出了13项启动顺序，每一项都可以选择启动设备。

2-3-2-1、Boot Option #1----#13（启动顺序选择#1---#13）

这是按1---13的顺序设置启动设备，下面是设置第一启动的设备，在下拉的可以启动设备里面选择。

2-3-2-2、BBS Priorities（BIOS启动优先权）

设置同类设备的启动顺序。如果有相同类型的设备，比如2个硬盘，就可以设置那个硬盘做第一启动硬盘。

注意：前面的Boot Option #1只有一个Hard Disk作为启动设备。如果2个硬盘，也只能是有一个Hard Disk，因此要在这里设置那个硬盘是第一启动的。

比如Hard Disk Drive BBS Priorities，就是当连接3块硬盘时，设置这3块硬盘的启动顺序。

2-4、Security（安全）

安全设置包括设置密码、U盘钥匙和机箱入侵设置。回车进入Security子菜单，可以看到系统提示Administrator Password/User Password没有设置（Not installed），U-Key也没有制作（Not installed）。

2-4-1、Administrator Password（管理员密码）

为了系统安全，设置管理员密码。如果设置了管理员密码，用户就有全权修改BIOS设置项。

密码设置

当你选择管理员设置项的时候，屏幕显示密码输入框。你可以在输入框里输入密码。

输入完密码，敲回车，这个密码将替换先前存储在CMOS里面的密码。替换前系统显示验证框，就是再输入一次这个密码供验证。

你也可以在验证框时按ESC退出输入密码的操作。

管理员密码建立完成，可以看到安全信息处显示管理员密码是已安装。同时弹出用户密码设置，用户密码的输入和管理员密码相同。

2-4-2、Password Check（密码验证）

选择你设置的密码用于那种验证。

[Setup]密码用于进BIOS设置，默认项。

[Boot]密码用于开机启动。

2-4-3、Password Clear（清除密码）

开启/关闭清除密码功能，默认是Enabled（开启）。

[Enabled]允许清除密码。默认项。

[Disabled]关闭该功能。

密码清除

先要输入已建立的密码

回车确认，输入新密码时，用空密码。

然后回车，弹出提示

点击Yes，确认要清除旧密码。

2-4-4、U-Key（U盘密钥）

开启/关闭U盘密钥功能。

[Enabled]开启U盘密钥。开启这项设置后，它下面的Make U-Key at就变成可以设置的。

[Disabled]关闭该功能，默认项。

2-4-5、Make U-Key at（在…制作U盘密钥）

U盘密钥可以防止其他人开机进系统，只有拿这个U盘密钥的用户才可以开机进系统。

把事先准备好的U盘，插入USB口，然后在此敲回车，就弹出插入的U盘ID信息，再敲回车确认，设置的密码就被移到U盘，开机时要插入这个U盘才可以。

如果要撤消U盘密钥，可以清CMOS。

2-4-6、Chassis Intrusion Configuration（机箱入侵配置）

按回车进入子菜单。设置机箱入侵。

如果你的机箱配有机箱入侵开关就可以开启这项功能。一旦机箱被打开系统就记录并发出报警信息。

[Disabled]关闭该项功能。

[Enabled]开启机箱入侵报警功能。

[Reset]复位，即清除报警信息。

2-5、Save & Exit（保存和退出）

这是有关保存设置和退出BIOS设置的选项。

2-5-1、Discard Changes and Exit（撤销改变并退出）

退出BIOS设置而不保存任何改变。这个选项常用于放弃所有改变设置而退出BIOS设置。

2-5-2、Save Changes and Reboot（储存变更并重新启动）

用于保存所有改变的设置并重新启动

2-5-3、Save Options（保存选项）

2-5-3-1、Save Changes（保存改变）

用于保存当前改变的设置。

2-5-3-2、Discard Changes（撤销改变）

撤销改变的设置。

2-5-4、Restore Defaults（恢复默认值）

用于恢复（加载）由BIOS厂商提供的默认设置。

2-5-5、Boot Override（直接启动）

该菜单下面列出了已安装的可以启动的设备，你可以选择其中一个直接启动。

3-OC（超频）

OC（超频）设置包括CPU、内存、集显的频率设置、电压设置，以及CPU和北桥的相关设置。

所有的设置项目如下

3-1、当前CPU/DRAM/Ring频率（Current CPU/DRAM/Ring Frequency）

显示当前的CPU/DRAM/Ring总线频率，只读。

3-2、CPU Base Clock (MHz)（CPU基本时钟频率）

设置CPU基本时钟频率，也就是外频。你可以调整这个值来超频。请注意不能担保超频成功和稳定。当处理器支持这项功能才显示。长期使用不建议调节，保持默认100MHz即可。

3-3、Adjust CPU Base Clock Strap（调整CPU基本时钟频率档位）

CPU基本时钟频率档位也就是CPU外频的倍率，默认Auto。

[Auto/1.0/1.25/1.67/2.5]Auto由BIOS自动设置。1.0—2.5是手动设置。调整该项对CPU外频、核显频率、内存频率产生影响，但在总频率相同情况下CPU外频的高低不会对性能产生影响，常常是为了配合实现更多的内存频率组合而设置，一般用1.0和1.25就可以。

3-4、CPU Base Clock Apply Mode（CPU基本频率应用模式）

设置已调整的CPU基本频率应用模式。设置项有：

[Auto] 由BIOS自动配置（默认）。

[Next Boot] 重新启动后执行这个调整的频率。重新启动时钟芯片复位一次，增加外频的

稳定性。

[Immediate] 立即执行调整的频率。

[During Boot]在启动期间执行调整的频率。

3-5、CPU PCIE PLL（CPU PCIE锁相环）

选择CPU PCIE总线的锁相环模式。当CPU支持该功能时才出现该选项。设置项有：

[Auto] 由BIOS自动配置（默认）。

[LC PLL] LC PLL可增加BCLK信号稳定性，但BCLK超频幅度会比较小，所以不超外频可以使用LC PLL。

[SB PLL] SB PLL可以是BCLK超频能力增强，所以超外频时可以选SB PLL。

3-6、Filter PLL （滤波器锁相环）。

开启/关闭CPU的过滤器锁相环。CPU支持该功能才能显示该项。设置项有：

[Auto] 由BIOS自动配置（默认）。

[Enabled]当BCLK档位设置很高的值，开起该项可以提供范围更广的基本时钟频率。.

[Disabled] 提供常规的基本时钟频率。

开启该项有利于CPU大幅度超频，当超高外频和倍频时可以打开，100外频和45倍频以下可以不打开。

3-7、Adjust CPU Ratio（调整CPU倍频）

设置决定CPU速度的倍频，该项仅当CPU支持超倍频的时候才可以超。设置的时候直接键入倍频数值。如下图键入25。

该项下面显示的Adjusted CPU Frequency，是已经调整完成的CPU频率。

3-8、CPU Ratio Mode（CPU倍率模式）

手动调整倍频后，弹出这个选项，默认是Dynamic Mode（动态模式）。

[Fixed Mode] 固定模式，就是倍频设定后是固定不变的。

[Dynamic Mode] 动态模式，就是倍频设定后，频率是动态的，随CPU负载而变动。

3-9、EIST（智能降频）

开启/关闭EIST（默认开启）。EIST全称是Enhanced Intel SpeedStep Technology，也就是智能降频技术，它能够根据不同的系统工作量自动调节处理器的电压和频率，以减少耗电量和发热量。

3-10、Intel Turbo Boost（英特尔睿频技术）

开启/关闭Intel Turbo Boost（默认开启）。该项仅当CPU支持Turbo Boost的时候才可以显示该项。Turbo Boost是自动超频技术，当系统要求更高的性能状态时，CPU会自动提高倍频（Boost范围内的倍频）。

3-11、Enhanced Turbo（增强Turbo）

开启/关闭增强Turbo功能。增强Turbo可以增加所有CPU核心的性能。

设置项有

[Auto] 由BIOS自动配置。

[Enabled]所有CPU核心都增加到最大倍率。

[Disabled] 关闭该功能。

3-12、Legacy Tweaking（传统调整）

传统调整。默认是关闭的。

[Enabled]开启传统调整，开启后可以提高传统基准测试（3DMark01）的得分。

[Disabled] 关闭该功能。

3-13、OC Genie Function Control（超频精灵功能管理）

OC Genie功能可以由主板上的OC Genie按钮控制，也可以由BIOS的虚拟按钮控制。这个选项就是设置由哪个控制。

[By BIOS Options]由BIOS选项控制。

[By On board Button]由主板上的按钮控制。（默认）

启用OC Genie，CPU超频到4.0GHz。

3-14、Adjust Ring Ratio（调整环倍率）

这个Ring Ratio直译是环倍率。其实就是CPU核心以外的，比如Cache（缓存）的倍率。可以直接输入倍率数值，而且可以超过CPU核心的倍率，不影响内存频率。

如上例，CPU核心是35倍，Ring Ratio设置为38倍，内存频率还是1600。

该选项下面的Adjusted Ring Frequency是显示已经调整的Ring频率。

3-15、Adjust GT Ratio（调整GT倍率）

设置集成显卡的倍率。可以直接输入倍率数值，有效数值取决于使用的CPU。

该选项下面的Adjusted GT Frequency是显示已经调整的GT频率。

3-16、DRAM Reference Clock（DRAM参考时钟）

设置内存的参考时钟频率。设置参数如下

默认Auto，200MHz/266MHz。

3-17、内存频率

设置内存频率。从频率的下拉菜单选择。注意：内存超频不一定保证成功。

该选项下面的Adjusted DRAM Frequency是显示已经调整的内存频率。

3-18、扩展内存预设技术（X.M.P）

开启/关闭扩展内存预设技术（X.M.P），默认是关闭。

扩展内存预设技术（X.M.P）是Intel提出来的一种内存频率预设技术，常用于内存超频。当你使用的内存条支持XMP技术，BIOS的这项设置就是可以设置的，否则是灰色不可设置的。

3-19、Load Memory Presets（加载已有的内存超频设置）

加载现有的内存超频设置，包括电压，优化的时序，频率。但是由于内存条个体体质不同，超频最好还是手动设置。菜单列出的是现有几种品牌内存的超频设置。如果你有用的是相同的内存条，可以加载。

3-20、DRAM时序模式（DRAM Timing Mode）

设置内存时序模式，设置项如下：

[Auto] DRAM时序取决于使用的内存条的SPD。

[Link] 允许用户对所有通道的内存手动配置DRAM时序。

[UnLink] 允许用户对各个通道的内存分别手动配置DRAM时序。

3-21、高级内存配置（Advanced DRAM Configuration）

DRAM时序模式设置为Link或者UnLink时，高级内存配置变成可以设置的，而且点击后进入二级菜单。如果DRAM时序模式是Link，高级内存配置是双通道一次设置，如果是UnLink，就要二个通道分别设置。高级内存配置分常规时序配置，高级时序配置和延迟时序配置等三部分。

3-21-1、常规时序配置：

上列内存参数设置，左侧是参数名称，中间是默认值，右侧是设置项（Auto，就是按SPD的默认设置），要修改设置，请直接输入数值。

Command Rate：首命令延迟，也就是我们平时说的 1T/2T模式。是指从选定bank之后到可以发出行地址激活命令所经过的时间。CR可能对性能的影响有比较大的变数：如果

CPU所需要的数据都在内存的一个行地址上，就不需要进行重复多次的bank选择，CR的影响就很小；但是如果一个rank中 同时多个bank要激活行地址，或者不同的 rank中不同bank需要同时激活的时候，CR对性能的影响就会提升。但是随着内 存频率的提升，CR=1T/2T的时间差越短，它的影响就会越来越小，这就是我们看到DDR1的时候1T/2T对性能影响挺大，但 是到了DDR3影响就很小的其中一个原因。但是为了性能最大化，我们尽量把CR设为1T，但是如果bank数很多的时候，例 如插满四条内存，就有32个bank，bank选择随机性增大，1T的首命令时间可能会不稳定。

tCL（CAS Latency）：CAS延迟。CAS即Column Address Strobe，列地址信号，它定义了在读取命令发出后到数据读出到IO接口的间隔时间。由于CAS在几乎所有的内存读取操作中都会生效（除非是读取到同一行地址中连续的数据，4bit颗粒直接读取间隔3个地址，8bit颗粒直接读取间隔7个地址，这时候CAS不生效），因此它是对内存读取性能 影响最强的。

已知CL时钟周期值CAS，我们可以使用以下公式来计算实际延迟时间tCAS：

tCAS（ns）=（CAS*2000）/内存等效频率

例如，DDR3-1333 CL9内存实际CAS延迟时间=（9*2000）/1333=13.50 ns

或者反过来算，假如已知你的内存可以在7.5ns延迟下稳定工作，并且你想要DDR3-2000的频率，那么你可以把 CL值设为8T（实际上8ns，大于7.5ns即可），如果你想要DDR3-1600的频率，那么你的CL值可以设到6T（实际7.5ns）。

这个公式对于所有用时钟周期表示延迟的内存时序都可以用。

说到这个公式，顺便说说大家对频率和时序的纠结问题。首先来回顾一下DDR一代到三代的一些典型的JEDEC规范，并按照上边那个公式算一下它的CL延迟时间：

DDR-400 3-3-3-8：（3*2000）/400=15 ns

DDR2-800 6-6-6-18：（6*2000）/800=15 ns

DDR3-1333 9-9-9-24：刚才算了是13.5 ns

再来看看每一代的超频内存的最佳表现（平民级，非世界纪录）：

DDR1 Winbond BH-5 DDR-500 CL1.5：（1.5*2000）/500=6 ns

DDR2 Micron D9GMH DDR2-1400 CL4：（4*2000）/1400=5.71 ns

DDR3 PSC A3G-A DDR3-2133 CL6：（6*2000）/2133=5.63 ns

可以看到不管是哪一代内存，随着频率提升，CL周期也同步提升，但是最后算出来的CL延迟时间却差不多。那么到了DDR4，JEDEC规范频率达到DDR4-4266，如果按照差不多的延迟，那么按照13ns多一些来算，那么CL值将达到 28T！如果按照我们的极限超频延迟来算，DDR4-4266下的延迟也将达到12T。所以到了下一代DDR4，两位数的时钟周期将不可避免。

所以，不要再去想什么DDR3的频率，DDR2的时序，在频宽严重过剩，IMC成为瓶颈的今天，它对性能没太多的提升。

tRCD（RAS to CAS Delay）：RAS的含义与CAS类似，就是行（Row）地址信号。 它定义的是在内存的一个rank（内存的一面）之中，行地址激活（Active）命令发出之后，内存对行地址的操作所需要的时间。每一个内存cell就是一个可存储数据的地址，每个地址都有对应的行号和列号，每一行包含1024个列地址，当某一行地址被激活后，多个CAS请求会被发送以进行读写操作。简单的说，已知行地址位置，在这一行中找到相应的列地址，就可以 完成寻址，进行读写操作，从已知行地址到找到列地址过去的时间就是 tRCD。当内存中某一行地址被激活时，我们称它为 “open page”。在同一时刻，同一个rank可以打开8个行地址（8个bank，也就是8个颗粒各一个）。下图 显示一个行地址激活命令发出，到寻找列地址并发出读取指令，中间间隔的时间就是tRCD。tRCD值由于是最关键的寻址时间，它对内存最大频率影响最大，一般想要上高频，在加电压和放宽CL值不奏效的时候，我们都要放宽这个延迟。

JEDEC规范中，它是排在第二的参数，降低此延时，可以提高系统性能，如果该值设置太低，同样会导致系统不稳定。参数范围4-15T。

tRP（Row precharge Delay）：RAS预充电时间。它定义的是前一个行地址操作完成并在行地址关闭（page close）命令发出之后，准备对同一个bank中下一个行地址进行操作，tRP就是下一个行地址激活信号发出前对其进行的预充电时间。由于在行地址关闭命令发出之前，一个rank中的多个行地址可能正在被读写，tRP对内存性能影响不如CL和tRCD。虽然tRP的影响会随着多个行地址激活与关闭信号频繁操作一个bank而加大，但是它的影响会被bank interleaving（bank交叉操作）和command scheduling（命令调配）所削弱。交叉读写会交替使用不同的bank 进行读写，减少对一个bank的操作频率；命令调配则是由CPU多线程访问不同的内存地址，同样是减少对一个bank的频繁操作次数。例如SNB CPU的内存控制器可以对读写操作命令进行有效地重新分配，以使得行地址激活命中率最大化（如果重复激活一个已经处于激活状态的行地址，那就是RAS激活命令未命中），所以tRP在SNB平台对性能的影响不大，并且放宽它有可能可以帮助提升稳定性。

参数范围4-15T。JEDEC规范中，它是排在第三的参数。

tRAS(Row active Strobe)：行地址激活的时间。它其实就是从一个行地址预充电之后，从激活到寻址再到读取完成所经过的整个时间，也就是tRCD+tCL的意思。这个操作并不会频繁发生，只有在空闲的内存新建数据的时候才会使用它。太紧的tRAS值，有可能会导致数据丢失或不完整，太宽的值则会影响内存性能，尤其是在内存使用量增加的时候。所以一般为了稳定性，我们设置tRAS≥tRTP+tRCD+CL即可。

参数范围10-40T。JEDEC规范中，它是排在第四的参数。

tRFC（Refresh Cycle Time）：行地址刷新周期，定义了一个bank中行地址刷新所需要的时间。重提一下刷新的含义，由于cell中电容的电荷在MOSFET关闭之后一段时间就会失去，为了维持数据，每隔很短一段时间就需要重新充电。这里多提一句，Intel平台和AMD平台对tRFC的含义不一样，AMD平台的tRFC是DRAM刷新延迟时间，单位是ns，通常有90/110/160/300几个值可以调整，也就是说它的tRFC时钟周期会随着频率的提升 而提升；而Intel平台的单位则直接是时钟周期，相反地延迟时间会随着频率的提升而降低。容量大的bank行地址和cell会更多，刷新时间也更长，因此tRFC也要更高。另外，tRFC如果太快会导致数据出错，太慢则影响性能，但可以增加稳定性。

tRFC值越小越好，它比tRC的值要稍高一些。参数范围48-200T。

tREFI（DRAM Refresh Interval）：内存刷新时间间隔，也就是内存的刷新命令生效前要经 过的时间。刷新的时间间隔一般取决于内存颗粒的容量（density），容量越大，就越需要频繁刷新，tREFI值就要越低。另 外 tREFI的时间也会受到内存工作温度与内存电压（Vdimm）影响，因为温度越高电容漏电越快。一般在AMD主板的BIOS 里，这个值只有3.9us和 7.8us可选，而在SNB平台，则是按时钟周期算，例如DDR3-1333下默认值为5199T，换算过来就 是 2000/1333x5199=7800ns，也就是7.8us。一般DRAM颗粒的spec中都是规定工作温度大于85度时采用3.9us。

tWR（Timing of Write Recovery）：内存写入恢复时间，它定义了内存从写入命令发出 （从开始写入算起）到下一次预充电间隔的时间，也就是tRP的前一个操作。如果这个时间设得太短，可能会导致前一次写入未完成就开始下一次预充电，进行寻址，那么前一次写入的数据就会不完整，造成丢数据的情况。这个周期也是第二时序中比较长的，DDR3-2000一般需要10-14个周期，甚至更高。

过低的tWR虽然提高了系统性能，但可能导致数据还未被正确写入到内存单元中，就发生了预充电操作，会导致数据的丢失及损坏。参数范围5-32T。

tWTR（Write to Read Delay）：内存写-读延迟，它定义的是内存写入命令发出后到下一个读取命令之间的时间间隔，最小为4T，与tRTP类似，提升内存的频率或者容量提升时，这个值需要提高。参数范围4-15T。

tRRD（RAS to RAS Delay）：行地址间延迟，定义的是同一rank不同bank间两个 连续激活命令的最短延迟，在DDR3时代一般最小是4T。它的作用和CR有点像，不过比CR更多的时候对性能有较大的影响 ，所以这个时序可尽量缩小。参数范围4-15T。

tRTP（DRAM READ to PRE Time）：与tWR类似，定义了同一rank上内存从读取命 令发出到tRP之前的间隔时间，但是它在读取完成并且行地址关闭之后才会生效。单颗

128MB的内存颗粒可以在DDR3- 2000下运行在4到6个时钟周期，如果bank容量增大时，这个时序有可能要放宽。参数范围4-5T。

tFAW（Four Activate Window）：FAW是Four Bank Activate Window的缩写，4个Bank激活窗口。它定义了同一rank中允许同时发送大于四个行激活命令的间隔时间，因此最小值应该不小于tRRD的四倍。在DDR3上，tRRD的最小值是4T，因此tFAW的最小值就是16T。这个tFAW由于是在一个rank中大于四个bank同时激活之后才生效，因此在内存不是很繁忙的时候，它对性能的影响并不是很大。但是对一些频繁读写内存的操作（例如SuperPI 32M），tFAW对性能的影响可能会加大。由于现在内存用满的几率非常非常小，两根双面的内存更是有4个rank，配合上interleaving，一个rank中同时激活大于四个bank的几率应该不大 ，所以通常我们把它设为tRRD的四倍应该就不会出问题。

tWCL（Write CAS# Latency）：写CAS#延迟。SDRAM内存是随机访问的，这意味着内存控制器可以把数据写入任意的物理地址，大多数情况下，数据通常写入距离当前列地址最近的页面。tWCL表示写入的延迟，除了DDRII，一般可以设为1T，这个参数和大家熟悉的tCL（CAS-Latency）是相对的，tCL表示读的延迟。该参数主要影响稳定性。参数范围5-15T。

tCKE（Clock Enable）：CKE是时钟有效信号，在这里这个参数叫做CKE Minimum Plus

Width，就是CKE最小脉冲宽度。

3-21-2、高级时序配置

高级时序配置包括读-读，写-写，写-读，读-写四种操作的时间。这四种操作可以在所有DIMM槽的Rank之间进行，也可以在不同的DIMM槽的Rank之间进行，还可以在同一DIMM槽的Rank之间进行。因此衍生出12个高级时序设置。

tRDRD（Timing of Read to Read）：读到读时间。这是在不同的内存芯片或DIMM槽之间，第一个虚拟CAS读突发操作到跟着的一个读突发操作的最小周期时间。这个参数也是越小越好，但太小也会不稳定。

tRDRDDR（Timing of Read to Read Different Rank）：这个参数的含义是读取

不同RANK的读到读时间（包括了所有DIMM）。参数范围1-6T。

tRDRDDD（Timing of Read to Read Different Rank，same DIMM）：这个参数的含义是在同一个DIMM（就是同一条内存）内，读取不同RANK的读到读时间。参数范围1-6T。

tWRWR（Timing of Write to Write）：写到写时间。这是从第一个虚拟CAS写突发操作的最后一个周期到跟着的一个写突发操作（这个改变是终端器允许的）的最小周期时间。这个参数也是越小越好，但太小也会不稳定。

tWRWRDR（Timing of Write to write Different Rank）：这个参数的含义是写不同RANK的写到写时间（包括了所有DIMM）。参数范围1-6T。

tWRWRDD（Timing of Write to Write Different Rank，same DIMM）：这个参数的含义是在同一内存条上写不同RANK的写到写时间。参数范围1-6T。

tWRRD（Timing of Write to Read）：写到读时间。这是在不同的内存芯片或DIMM槽之间，第一个虚拟CAS写突发操作到跟着的一个读突发操作的最小周期时间。这个参数也是越小越好，但太小也会不稳定。

tWRRDDR（Timing of Write to Read Different Rank）：这个参数的含义是写和读不同RANK的写到读时间（包括了所有DIMM）。参数范围1-6T。

tWRRDDD（Timing of Write to Read Different Rank，same DIMM）：这个参数的含义是在同一内存条上写和读不同RANK的写到读时间。参数范围1-6T。

tRDWR （Timing of Read to Write）：读到写时间。这是在不同的内存芯片或DIMM槽之间，第一个虚拟CAS读突发操作到跟着的一个写突发操作的最小周期时间。这个参数也是越小越好，但太小也会不稳定。

tRDWRDR（Timing of Read to Write Different Rank）：这个参数的含义是读和写不同RANK的读到写时间（包括了所有DIMM）。参数范围1-6T。

tRDWRDD（Timing of Read to Write Different Rank，same DIMM）：这个参数的含义是在同一内存条上读和写不同RANK的读到写时间。参数范围1-6T。

3-21-3、延迟配置：

默认是Auto，设置时直接输入延迟数值。

tIOL：IOL=IO Latency，就是内存的IO延迟。

tRTL：RTL=Round Trip Latency，就是往返（双程）延迟。

CH1/CH2：通道1/通道2，双通道内存控制器支持2个通道。

D0/D1：DIMM0（内存插槽0）/DIMM1（内存槽1），一个通道支持2个内存槽。

R0/R1：Rank0/Rank1，Rank是内存条的位宽，64位位宽是1个Rank（Rank0），128位是2个Rank（Rank0和Rank1）。所以Rank也可以翻译成“排”，一个“排”是64位。

上面的延迟配置就是针对一个通道的一个DIMM槽的一个“排（Rank）”的IO延迟和RT延迟。

有关Rank（排）和Bank（库）的概念解释如下：

CPU与内存之间的数据接口位宽是64bit，也就意味着CPU在一个时钟周期内会向内存发送或从内存读取64bit的数据。可是，单个内存颗粒的位宽仅有4bit、8bit或16bit，个别也有32bit的。因此，必须把多个颗粒并联起来，组成一个位宽为64bit的数据集合，才可以和CPU互连。内存条生产商把64bit集合称为一个物理BANK（Physical BANK），简写为P-BANK。为了和逻辑BANK相区分，也经常把P-BANK称为RANK或Physical

RANK,把L-BANK则简称为BANK。

如果每个内存颗粒的位宽是8bit，应该由8个颗粒并联起来，组成一个RANK（64bit）；同理，如果颗粒的位宽是16bit，应该由4个颗粒组成一个Rank。

由此可知：Rank其实就是一组内存颗粒位宽的集合。具体说，当颗粒位宽×颗粒数=64bits时，这个内存条就是有一个Rank。

为了保证和CPU的沟通，一个内存条至少要有一个Rank。

内存条的“（面Side）”和“排Rank”

“面（Side）”是指内存条PCB的2个面，颗粒可以焊接在其中一面，或者二面。每一面可以焊接8颗颗粒。

“排Rank”是颗粒位宽的集合，一个Rank是64位位宽。

所以“（面Side）”和“排Rank”是2个不同的概念。

内存条的面（Side）和排（Rank）有什么关系？

下面是常见内存条的结构

从上表可以看到，双面内存一般是2Rank，单面的有1Rank，也有2Rank，2Rank的是8颗16位宽的颗粒。

3-21-4、Misc Item（Misc项目）

IO Compensation（CH1）IO补偿（CH1）

通道1的IO补偿，默认值是21。较高的IO补偿，tIOL延迟可以更紧凑。较低的IO补偿，tIOL延迟也就较稀松。

IO Compensation（CH2）

通道1的IO补偿，默认值是21。较高的IO补偿，tIOL延迟可以更紧凑。较低的IO补偿，tIOL延迟也就较稀松。

RTL Init Value（CH1）

通道1的RTL初始值。默认是16。较低的RTL初始值引起RTL延迟更紧凑，用户可以微调它以便获得更多的内存延迟吞吐量。

RTL Init Value（CH2）

通道2的RTL初始值。默认是16。较低的RTL初始值引起RTL延迟更紧凑，用户可以微调它以便获得更多的内存延迟吞吐量。

Memory Chip Finetune

内存芯片细调。为了提高内存系统的超频能力和稳定，建议在14和24之间调节。

3-21-5、On-Die Termination Configuration（片内终端电阻配置）

终端电阻的作用是降低信号的回授。从DDR2开始信号的终端电阻移到内存芯片内部，而且是动态的，一路信号的终端电阻由2-3个组成，可以根据内存运作不同调整而改变阻值。

BIOS片内终端电阻配置的几个英文词含义如下：

Rtt----终端电阻

Rtt Wr----写入时的电阻值

Rtt Nom----常规时的电阻值

CH1/2----通道1/2

D0/1---- DIMM0（内存插槽0）/DIMM1（内存槽1），一个通道支持2个内存槽。

60/30----终端电阻阻值

常规时的阻值设置一般是0/20/30/40/60/120。

写入时的阻值设置一般是0/60/120。

阻值高，信号回授的就衰减的高，信号清晰度好。但是阻值高也影响速度。微星提供的阻值参数是符合DDR3内存规格的。

3-22、DRAM Training Configuration（DRAM训练配置）

这是一个二级菜单，回车后进入子菜单。子菜单有45项DRAM训练设置。这些项目的设置都是3个选项自动/禁止/允许，默认是自动。如果随意改变这些项目的设置，可能导致系统不稳定或者不能开机，出现这种情况要通过跳线（或按钮）清CMOS恢复默认设置。

这45项就不做详细的说明了。

3-23、Memory Fast Boot（内存快速启动）

开启/关闭内存每次启动的初始化和训练。设置项有：

[Auto] 依据BIOS自动配置。

[Enabled] 内存将完成第一次初始化和第一次训练，之后按系统启动时序启动就不再初始化和训练。

[Disabled] 每次启动都初始化和训练。

3-24、Digit ALL Power（全数字供电）

进入子菜单，管理有关CPU PWM的数字供电设置。

3-24-1、VR 12VIN OCP Expander（电压调节器12V输入过电流保护扩展）

设置12V供输入的过电流保护。

[Auto]由BIOS自动配置过电流保护。

[1A-----63A] 按回车弹出保护电流菜单，手动设置保护电流值，可以从中选择。

3-24-2、CPU Phase Control（CPU供电相管理）

根据CPU负载管理PWM相。如果设置成“Auto”， BIOS将自动优化CPU PWM相。

[Auto] 依据BIOS自动配置。

[Normal]常规供电相管理。

[Optimized]优化供电相管理。

[Disabled] 关闭PWM供电相管理。

3-24-3、CPU Vdroop Offset Control（CPU电压降补偿管理）

设置CPU电压降的补偿电压百分比。

设置项有Auto, +12.5%, +25%, +37.5%, +50%,+62.5%, +75%, +87.5%,

+100%。默认是Auto。Auto就是BIOS将自动配置补偿。

3-24-4、CPU Over Voltage Protection（CPU过电压保护）

设置CPU过电压保护。

设置项有Auto，400mV，500mV，600mV，700mC。默认是Auto。Auto就是BIOS自动配置过电压保护。如果保护电压设置过高，就会失去保护而导致系统毁坏。

3-24-5、CPU Under Voltage Protection （CPU欠电压保护）

设置CPU欠电压保护。

设置项有Auto，400mV，500mV，600mV，700mC。默认是Auto。Auto就是BIOS自动配置欠电压保护。如果保护电流设置过高，就会失去保护而导致系统毁坏。

3-24-6、CPU Over Current Protection （CPU过电流保护）

设置CPU过电流保护。

设置项有Auto，110%，120%，130%，140%，150%，160%，170%，180%，190%，200%。默认是Auto。Auto就是BIOS自动配置过电流保护。如果设置过高的百分比，就会失去保护而导致系统毁坏。

3-24-7、CPU Switching Frequency（CPU开关频率）

设置PWM工作速度，以便提供稳定的CPU核心电压和最小的纹波系数。

提高PWM工作速度将引起MOSFET温度偏高。因此在提高速度前，要确保为MOSFET准备一个更好的冷却方案。

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