集成电路专业英语词汇

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2024年6月2日发(作者：)

Abrupt junction 突变结 Accelerated testing 加速实验

Acceptor 受主 Acceptor atom 受主原子

Accumulation 积累、堆积 Accumulating contact 积累接触

Accumulation region 积累区 Accumulation layer 积累层

Active region 有源区 Active component 有源元

Active device 有源器件 Activation 激活

Activation energy 激活能 Active region 有源（放大）区

Admittance 导纳 Allowed band 允带

Alloy-junction device合金结器件 Aluminum(Aluminium) 铝

Aluminum – oxide 铝氧化物 Aluminum passivation 铝钝化

Ambipolar 双极的 Ambient temperature 环境温度

Amorphous 无定形的，非晶体的 Amplifier 功放 扩音器 放大器

Analogue(Analog) comparator 模拟比较器 Angstrom 埃

Anneal 退火 Anisotropic 各向异性的

Anode 阳极 Arsenic (AS) 砷

Auger 俄歇 Auger process 俄歇过程

Avalanche 雪崩 Avalanche breakdown 雪崩击穿

Avalanche excitation雪崩激发

Background carrier 本底载流子 Background doping 本底掺杂

Backward 反向 Backward bias 反向偏置

Ballasting resistor 整流电阻 Ball bond 球形键合

Band 能带 Band gap 能带间隙

Barrier 势垒 Barrier layer 势垒层

Barrier width 势垒宽度 Base 基极

Base contact 基区接触 Base stretching 基区扩展效应

Base transit time 基区渡越时间 Base transport efficiency基区输运系数

Base-width modulation基区宽度调制 Basis vector 基矢

Bias 偏置 Bilateral switch 双向开关

Binary code 二进制代码Binary compound semiconductor 二元化合物半导体

Bipolar 双极性的 Bipolar Junction Transistor (BJT)双极晶体管

Bloch 布洛赫 Blocking band 阻挡能带

Blocking contact 阻挡接触 Body - centered 体心立方

Body-centred cubic structure 体立心结构 Boltzmann 波尔兹曼

Bond 键、键合 Bonding electron 价电子

Bonding pad 键合点 Bootstrap circuit 自举电路

Bootstrapped emitter follower 自举射极跟随器Boron 硼

Borosilicate glass 硼硅玻璃 Boundary condition 边界条件

Bound electron 束缚电子 Breadboard 模拟板、实验板

Break down 击穿 Break over 转折

Brillouin 布里渊 Brillouin zone 布里渊区

Built-in 内建的 Build-in electric field 内建电场

Bulk 体/体内 Bulk absorption 体吸收

Bulk generation 体产生 Bulk recombination 体复合

Burn - in 老化 Burn out 烧毁

Buried channel 埋沟 Buried diffusion region 隐埋扩散区

Can 外壳 Capacitance 电容

Capture cross section 俘获截面 Capture carrier 俘获载流子

Carrier 载流子、载波 Carry bit 进位位

Carry-in bit 进位输入 Carry-out bit 进位输出

Cascade 级联 Case 管壳

Cathode 阴极 Center 中心

Ceramic 陶瓷（的） Channel 沟道

Channel breakdown 沟道击穿 Channel current 沟道电流

Channel doping 沟道掺杂 Channel shortening 沟道缩短

Channel width 沟道宽度 Characteristic impedance 特征阻抗

Charge 电荷、充电 Charge-compensation effects 电荷补偿效应

Charge conservation 电荷守恒 Charge neutrality condition 电中性条件

Charge drive/exchange/sharing/transfer/storage 电荷驱动/交换/共享/转移/存

储

Chemmical etching 化学腐蚀法 Chemically-Polish 化学抛光

Chemmically-Mechanically Polish (CMP) 化学机械抛光 Chip 芯片

Chip yield 芯片成品率 Clamped 箝位

Clamping diode 箝位二极管 Cleavage plane 解理面

Clock rate 时钟频率 Clock generator 时钟发生器

Clock flip-flop 时钟触发器 Close-packed structure 密堆积结构

Close-loop gain 闭环增益 Collector 集电极

Collision 碰撞 Compensated OP-AMP 补偿运放

Common-base/collector/emitter connection 共基极/集电极/发射极连接

Common-gate/drain/source connection 共栅/漏/源连接

Common-mode gain 共模增益 Common-mode input 共模输入

Common-mode rejection ratio (CMRR) 共模抑制比

本文标签： 基区沟道电荷共模宽度