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2024年7月10日发(作者：)

RAM:

随机存取存储器（random access memory，RAM）又称作“随机存储器”，是与

CPU直接交换数据的内部存储器，也叫主存(内存)。它可以随时读写，而且速度很快，通

常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储媒介。

这种存储器在断电时将丢失其存储内容，故主要用于存储短时间使用的程序。 按照存

储单元的工作原理，随机存储器又分为静态随机存储器（英文：Static RAM，SRAM)和动

态随机存储器（英文Dynamic RAM，DRAM)。

特点：随机存储、易失性、对静电敏感、访问速度（现代的随机存取存储器几乎是所

有访问设备中写入和读取速度最快的，存取延迟和其他涉及机械运作的存储设备相比，也

显得微不足道）、需要刷新（再生）

ROM：

ROM是只读存储器（Read-Only Memory）的简称，是一种只能读出事先所存数据

的固态半导体存储器。其特性是一旦储存资料就无法再将之改变或删除。通常用在不需经

常变更资料的电子或电脑系统中，并且资料不会因为电源关闭而消失。

不会因为断电而失去数据。

只读存储器（Read-Only Memory）是一种只能读取资料的存储器。在制造过程中，

将资料以一特制光罩（mask）烧录于线路中，其资料内容在写入后就不能更改，所以有

时又称为“光罩式只读内存”（mask ROM）。此内存的制造成本较低，常用于电脑中的

开机启动如启动光盘，在系统装好的电脑上时，计算机将C盘目录下的操作系统文件读

取至内存，然后通过cpu调用各种配件进行工作这时系统存放存储器为RAM。这种属于

COMPACT DISC激光唱片，光盘就是这种。

可编程程序只读存储器（Programmable ROM，PROM）之内部有行列式的熔丝，

是需要利用电流将其烧断，写入所需的资料，但仅能写录一次。 PROM在出厂时，存储

的内容全为1，用户可以根据需要将其中的某些单元写入数据0(部分的PROM在出厂时

数据全为0，则用 户可以将其中的部分单元写入1)， 以实现对其“编程”的目的。

PROM的典型产品是“双极性熔丝结构”，如果我们想改写某些单元，则可以给这些单

元通以足够大的电流，并维持一定的时间，原 先的熔丝即可熔断，这样就达到了改写某

些位的效果。另外一类经典的PROM为使用“肖特基二极管”的PROM，出厂时，其中

的二极管处于反向截止状态，还 是用大电流的方法将反相电压加在“肖特基二极管”，

造成其永久性击穿即可。

可抹除可编程只读存储器（Erasable Programmable Read Only Memory，

EPROM）可利用高电压将资料编程写入，抹除时将线路曝光于紫外线下，则资料可被清

空，并且可重复使用。通常在封装外壳上会预留一个石英透明窗以方便曝光。

一次编程只读存储器（One Time Programmable Read Only Memory，

OTPROM）之写入原理同EPROM，但是为了节省成本，编程写入之后就不再抹除，因

此不设置透明窗。

电子式可抹除可编程只读存储器（Electrically Erasable Programmable Read Only

Memory，EEPROM）之运作原理类似EPROM，但是抹除的方式是使用高电场来完成，

因此不需要透明窗。

6.快闪存储器

快闪存储器（Flash memory）的每一个记忆胞都具有一个“控制闸”与“浮动

闸”，利用高电场改变浮动闸的临限电压即可进行编程动作。

ROM与RAM的不同使用范围介绍

RAM-RandomAccessMemory易挥发性随机存取存储器，高速存取，读写时间相

等，且与地址无关，如计算机内存等。

ROM-Read Only Memory只读存储器。断电后信息不丢失，如计算机启动用的

BIOS芯片。存取速度很低，（较RAM而言）且不能改写。由于不能改写信息，不能升

级，现已很少使用。

EPROM、EEPROM、Flash ROM(NOR Flash 和 NAND Flash)，性能同ROM，但

可改写。一般读出比写入快，写入需要比读出更高的电压（读5V写12V）。而Flash可

以在相同电压下读写，且容量大、成本低，如今在U盘、MP3中使用广泛。在计算机系

统里，RAM一般用作内存，ROM用来存放一些硬件的驱动程序，也就是固件。

RAM为静态易失型存储器；

ROM为非易失性存储器；

本文标签： 写入资料存储器使用内存

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