FLASH闪存

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文章目录

• • FLASH
  • 闪存模块存储器组织
  • • 组成
    • FLASH闪存的读取
    • 编程和擦除操作
    • 注意事项
    • 标准编程步骤
    • 闪存擦除
  • FLASH操作相关寄存器
  • • • FLASH访问控制寄存器
      • FLASH秘钥寄存器
      • FLASH控制寄存器
  • 库函数

FLASH

通常指FLASH MEMORY 即闪存 全名叫FLASH EEPROM Memory
结合了POM和RAM的长处 不仅具备电子可擦除编程性能 还可以 快速读取数据（NVRAM的优势）
数据断电不会消失
应用有U盘 MP3

闪存模块存储器组织

组成

① 主存储器

存放代码 和 数据常数 分12个扇区

② 系统存储器
主要存放BootLoader代码 固化 专门给主存储器下载代码
存储器启动 即进入串口下载模式

③ OPT区域
一次性可编程区域 被分为五个部分 前512字节 可用来存储用户数据 一次性
后面16个字节 用于锁定对应块

④ 选项字节
配置 读保护 BOR级别 软硬件看门狗 以及 器件处于待机模式或停止模式下的保护服务

FLASH闪存的读取

动用语句：data =（vu32）addr；
将addr强制转换为vu32 指针 然后取该指针所指向的地址的 值 即得到addr地址的值

准确读取 要根据CPU时钟频率 和 器件 电压 在Flash存取控制寄存器
FLASH_ACR 中正确设置等待周期数

供电电压一般是3.3V 所以 在设置168Mhz频率作为CPU时钟之前 必须先设置LATENCY为5
否则fLASH 读写可能出错 导致死机

编程和擦除操作

在对Flash执行写入擦除操作时 任何读取flash的操作都会导致总线阻塞
闪存编程控制器：
FLASH访问控制寄存器
FLASH秘钥寄存器
FLASH选项秘钥寄存器
FLASH状态寄存器
FLASH控制寄存器
FLASH选项控制寄存器

注意事项

写保护被解除后 才能操作相关寄存器
FLASH_CR解锁序列：

若写入错误 则FLASH_CR 将被锁定 直到下次复位后才可以再次解锁

标准编程步骤

① 检查FLASH_SR中的BSY位
②将FLASH_CR寄存器中的PG位置1 激活flash编程
③真对所需存储器地址 执行数据写入操作
并行位数 x8时按字节写入 PSIZE==00
为x16时按半字写入 PSIZE=01
为x32时按字写入 PSIZE=02
为x64时按双字写入 PSIZE=03
④等待BSY位清零 完成一次编程

闪存擦除

分两种：
扇区擦除 整片擦除
擦除步骤：
① 检查解锁
② 检查BSY位
③ 将SER位置1 并从主存储块的12个扇区中选择要擦除的扇区
④ STRT位置1 触发擦除操作
⑤等待BSY清零

批量擦除：
① 检查BSY位
②将MER位置1
③将STRT位置1 触发擦除操作
④等待BSY位清零

FLASH操作相关寄存器

FLASH访问控制寄存器

FLASH秘钥寄存器

FLASH控制寄存器

库函数

//读取指定地址的半字

u32 STMFLASH_ReadWord(u32 faddr)
{
	return *(vu32*)faddr; 
} 

//返回某地址所在的扇区
uint16_t STMFLASH_GetFlashSector(u32 addr)
{
	if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_1)return FLASH_Sector_0;
	else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_2)return FLASH_Sector_1;
	else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_3)return FLASH_Sector_2;
	else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_4)return FLASH_Sector_3;
	else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_5)return FLASH_Sector_4;
	else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_6)return FLASH_Sector_5;
	else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_7)return FLASH_Sector_6;
	else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_8)return FLASH_Sector_7;
	else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_9)return FLASH_Sector_8;
	else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_10)return FLASH_Sector_9;
	else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_11)return FLASH_Sector_10; 
	return FLASH_Sector_11;	
}
//写函数  在指定地址写入一定长度的数据

void STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,u32 *pBuffer,u32 NumToWrite)	
{ 
  FLASH_Status status = FLASH_COMPLETE;
	u32 addrx=0;
	u32 endaddr=0;	
  if(WriteAddr<STM32_FLASH_BASE||WriteAddr%4)return;	//非法地址
	FLASH_Unlock();									//解锁
  FLASH_DataCacheCmd(DISABLE);//FLASH擦除期间 禁止数据缓存
 		
	addrx=WriteAddr;				//写入的起始地址
	endaddr=WriteAddr+NumToWrite*4;	//写入的结束地址
	if(addrx<0X1FFF0000)			//仅主存储区执行擦除操作
	{
		while(addrx<endaddr)		//非FFFFFFFF的地方 擦除
		{
			if(STMFLASH_ReadWord(addrx)!=0XFFFFFFFF)//有非0XFFFFFFFF的地方擦除这个扇区
			{   
				status=FLASH_EraseSector(STMFLASH_GetFlashSector(addrx),VoltageRange_3);//VCC=2.7~3.6V之间
				if(status!=FLASH_COMPLETE)break;	//发生错误
			}else addrx+=4;
		} 
	}
	if(status==FLASH_COMPLETE)
	{
		while(WriteAddr<endaddr)//写
		{
			if(FLASH_ProgramWord(WriteAddr,*pBuffer)!=FLASH_COMPLETE)//写入数据
			{ 
				break;	//写入异常
			}
			WriteAddr+=4;
			pBuffer++;
		} 
	}
  FLASH_DataCacheCmd(ENABLE);	//FLASH擦除结束 开启数据缓存
	FLASH_Lock();//上锁
} 
//读数据
void STMFLASH_Read(u32 ReadAddr,u32 *pBuffer,u32 NumToRead)   	
{
	u32 i;
	for(i=0;i<NumToRead;i++)
	{
		pBuffer[i]=STMFLASH_ReadWord(ReadAddr);//读取4个字节
		ReadAddr+=4;//偏移四个字节
	}
}

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