联芯科技推出首款TDGSM+GSM双卡双待功能手机方案

国人大常委会副委员长路甬祥，全国人大常委会副　业发展，利用十年的时间实现产值跻身全国ＩＣ产业　

城市前五强。　

委员长、中国科协主席韩启德，全国人大常委会副委　

员长桑国卫，国务委员兼国务院秘书长马凯等领导　

参观了“面向未来”展区，并对包括北方微电子产品　

在内的一大批创新型高端工业装备给予了肯定和鼓　

目前我国集成电路产业已经形成大连一天津／　

北京一青岛一上海一宁波一福州一厦门一深圳一珠　

海沿海产业带和上海一苏州一无锡一南京一合肥一　

励。（来自北方微电子有限公司）　

ＴＤ芯片总体质量已与　

ＷＣＤＭＡ芯片基本相当　

在日前举办的“２０１２便携产品创新技术展的　

Ｐｏｒｔａｂｌｅｉｎｎｏｖａｔｅ”上，中国移动的高级项目经理何彬　

在主题演讲中介绍了目前ＴＤ产业的现状。　

何彬表示，ＴＤ产业链正在不断壮大，并取得了　

长足的进步。其中，ＴＤ终端产业厂商已经达到２５０　

家，投人手机研发的有１５０家，可商用的芯片供应商　

增加到了７家，芯片巨头高通公司将在今年第三季　

度提供商用的ＴＤ芯片。　

ＴＤ芯片总体质量已经与ＷＣＤＭＡ芯片基本相　

当，４０ｍｍ工艺已经广泛应用，套片布板面积也与　

ＷＣＤＭＡ相当，部分芯片价格还低于竞争制式。　

另外，何彬表示，智能机同质化严重，降低了国　

际品牌溢价，国内品牌在产品设计方面的快速提升，　

导致了国际品牌相机萎缩。而成熟的终端操盘能力，　

将是市场经营制胜的核心。终端营销绝无一招鲜，　

靠的是组合拳，要统筹运用价格、渠道、促销、传播等　

市场资源，合理配置，共同推动终端的规模销售。　

（来自ＣＳＩＡ）　

合肥力争ＩＣ产业产值跻身全国前五　

“现在家电市场上流行的变频控制技术，几乎　

全部依赖进口。”在近日举行的合肥市集成电路产　

业发展研讨咨询会上，清华大学教授魏少军用这样　

的话表述集成电路设计的紧迫性和重要性。记者获　

悉，合肥正计划通过创“芯”工程，促进集成电路产　

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武汉一重庆一成都的沿江产业轴，合肥是沿江产业　

轴不可缺少的城市。目前合肥已有包括Ｉｃ设计、测　

试封装、Ｉｃ设备制造等数十家Ｉｃ企业，并拥有中科　

大、合工大和安大等ＩＣ人才培养基地，每年可提供　

数百名微电子硕士和博士研究生。　

据了解，合肥集成电路产业发展中，将坚持设计　

先行的原则，把设计作为完整产业链建设的突破口。　

根据计划，合肥将在北京、上海、深圳及中国台湾、美　

国硅谷等ＩＣ设计产业集中区开展全方位招商引智，　

承接Ｉｃ设计产业转移。５年后，合肥要实现Ｉｃ设计　

产值３０亿～５０亿元的目标，进入Ｉｃ设计产值全国　

城市前十位。（来自ＣＳＩＡ）　

联芯科技推出首款　

ＴＤ／ＧＳＭ＋ＧＳＭ双卡双待功能手机方案　

日前，一款基于联芯科技双卡双待功能手机解　

决方案的万事通Ｇ５顺利通过中国移动的入库测　

试，这是业内第一款ＴＤ／ＧＳＭ＋ＧＳＭ双卡双待的功能　

手机。　

联芯科技此次推出的ＴＤ／ＧＳＭ＋ＧＳＭ双卡双待　

方案，突破了传统２Ｇ双卡双待的技术限制，两张卡　

可以分别处理语音和数据业务，也就是说一张卡在　

进行语音操作的同时，另外一张卡进行上网操作完　

全不受影响。双卡双待使用户选择更加灵活，用户可　

以根据自身需求自由匹配不同套餐、不同资费、不同　

运营商的两张ＳＩＭ卡，满足现阶段用户多样化的要　

求以及运营商的发展需求。　

对于手机厂商而言，该款方案相对于普通ＴＤ　

功能手机在硬件设计上只需增加一个ＳＩＭ卡槽，即　

可实现“０”成本升级双卡双待；软件方面，联芯科技　

将提供Ｔｕｒｎｋｅｙ一站式交付，一套软件即可实现单　

卡单待、双卡双待两种产品形态，极大地降低了终端　

立矽衬底芯片制造车间，并对技术和操作人员进行　

开发商的开发成本。目前，该方案已经实现大规模　

量产，多家客户正在进行开发，预计到第四季度将有　

培训。（来自中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究　

所）　

更多的双卡双待功能手机面世。（来自联芯科技）　

宏力半导体成功开发０．１３微米　

嵌入式ＥＥＰＲＯＭ模块　

上海宏力半导体制造有限公司（以下简称“宏　

力半导体”）日前宣布成功开发出高可靠性的０．１３　

微米嵌入式ＥＦＰＲＯＭ模块（具有单字节擦写能　

力）。　

宏力半导体先进的０．１３微米嵌入式非挥发性　

存储技术，第一次在０．１３微米１．５伏低漏电、低功耗　

逻辑工艺平台上实现了闪存模块和ＥＥＰＲＯＭ模块　

的完美结合。基于该先进技术开发出的０．１３微米嵌　

入式ＥＥＰＲＯＭ模块，数据保持时间达到１００年，擦　

写次数大幅提高到５０万次。此次显著的技术创新　

与提升，标志着宏力半导体在嵌人式非挥发性存储　

器技术研发领域又迈上了新的台阶，进一步巩固了　

宏力半导体在嵌入式非挥发性存储器市场的领导地　

位。（来自宏力半导体）　

中科院ＬＥＤ芯片研究团队　

为海南企业献策　

近Ｅｌ，中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所　

ＬＥＤ芯片科研团队应海南世银能源科技有限公司　

邀请，携最新成果赴海南与企业对接并提出了切实　

可行的建议。　

世银公司是海南省高新技术企业和绿色照明示　

范省主要实施单位。纳米所专家在该公司详细调研　

后表示，可提供２英寸的矽衬底芯片，替代世银公司　

目前使用的国内通用的蓝宝石衬底芯片，从而降低　

其芯片成本２０％～３０％，并提高灯具亮度。　

此外，纳米所专家还表示愿意帮助世银公司建　

国际奠闻　

应用材料公司推出突破性刻蚀技术　

近日，应用材料公司推出了Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｃｅｎｔｕｒａ￣　

Ａｖａｔａ　电介质刻蚀系统，提升了尖端刻蚀技术。该　

突破性系统能够解决三维存储结构制造过程中所面　

临的最严峻的挑战，提供未来数据密集型移动终端　

所需的高密度万亿比特存储能力。　

Ａｖａｔａｒ系统经过全新设计，能够刻蚀　维　

ＮＡＮＤ存储阵列标志性的高深宽比结构。这一新型　

闪存器件有多达６４层的存储单元垂直重叠于其中，　

从而在极小区域内获得超高的比特密度。　

该系统能以高达８０：１的深宽比，在复杂的薄膜　

叠层中刻蚀通孔和沟槽。此外，这款系统还同时实现　

了精确刻蚀渐变深度差异很大的结构的目标——这　

对于制造将每层存储单元与外界相连接的“阶梯　

式”接触结构至关重要。（来自应用材料公司）　

富士通半导体推出　

宽电压双Ｆ　ｌ　ａｓｈ　ＭＣＵ系列　

富士通半导体（Ｆｕｊｉｔｓｕ　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）宣布推　

出全新通用型８位ＭＢ９５６５０系列微控制器产品，具　

备宽工作电压、１２位高分辨率ＡＤＣ，以及搭载高性　

价比主／从式Ｉ２Ｃ控制器的双ＦＬＡＳＨ。这系列全新　

产品包括２４款可支持ＳＯＰ２４、ＴＳＳＯＰ２４与ＱＦＮ３２　

ｉ种封装形式的产品。　

ＭＢ９５６５０系列以８位微控制器Ｆ２ＭＣ—Ｎｅｗ８ＦＸ　

系列为基础，其设计采用宽工作电压，让产品能在　

１．８Ｖ～５．５Ｖ电压范围内运作，并整合了主／从式Ｉ２Ｃ　

控制器和１２位高分辨率ＡＤ转换器，以及采用双信　

道ＦＬＡＳＨ技术，让程序在ＦＬＡＳＨ上执行的同时，亦