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2024年6月13日发(作者:)
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解决方赛精选
维普资讯
3 G/3.5 G手机中功率放大器
专用电源解决方案
根据iSuppti公司预测,到2008
年全世界电源管理芯片销售额将上
升至295亿美元。而2003年到2008
年的年复合增长率将达到12.7%。在
2005年,虽然半导体行业本身出现
大的调整,但在移动通信和消费电
子产品的推动下,电源管理芯片依
然增势强劲。随着3G的开始和3.5G
脚步声不断临近,下一世代手机中
集成的多媒体应用和新的信号发送
方式为电源管理带来了新的课题
十多年以来,以手机为主的移
动通信产品高速发展。从初期采用
模拟技术的大哥大,到如今采用各
种数字通信标准的移动电话,通信
技术的发展也推动硬件本身的不断
技术提升。在3G手机开始广泛普
及的时候,移动电话已经悄然发展
到了第3代和3.5代。第3.5代(俗
称3.5G)的手机中融入了更多的多
媒体应用和更高的通信速度,耗电
量也随之上升。而现有的锂电池也
越来越无法满足手机多媒体和通信
规格的要求。
现有的手机电池一般采用锂电
池,容量约在900mA一1200mA左右。
新的多媒体功能必将增加手机功
耗,从而缩短电池续航时间。改变
这一情况主要有两种手段,提升电
池技术(如燃料电池等)和改善电源
转换效率和降低功耗。而在燃料电
池等高密度电池技术还无法实现大
规模推广应用时,提升手机的电源
管理成为唯一的选择。
■富士通微电子(I-海)有限公司产品经理王韵
2.5G和3G移动通讯终端之间, 再次,除了降低功耗提高使用
电源要求的最大区别主要来自功率 效率之外,频繁使用过程中如何降
放大器(PA)所需功率的不同。如何
低对电池的损耗,也是提高锂电池
降低功耗,实现更优化的电池效率,
续航能力的方法之一。突入电流
延长电池续航时间?如何在高速通
(Byposs ̄DCDC,DCDC ̄Byposs启
信实现高速响应?如何在与基站不 动时的峰值电流)会导致锂电池劣
同距离时智能切换不同发送功率? 化,从而影响电池使用时间。
位于手机前端的功率放大器专用电 MB39C018将这一峰值电流降低至
源管理IC的作用愈发变得更加重要。 1A以下,有效防止锂电池的劣化,
如何提高功率放大器用Dc/DC
是锂电池在长期反复使用过程中也
的转换效率?首先,标准电压VREF
能保持较好的续航能力。
输出对DO/DO的转换效率会产生很
MB39C018对应负荷电流800mA
大的影响。依附于负载特性的VREF (图1),DO/DO输出电压退阶响应时
输出值精度越差,手机在信号发送 间低于20ps(图2),可以说是支持
时的损失就越大,从而导致电池效
3G/3.5G移动电话的Dc/DC转换器
率的下降。MB39C018将标准电压
fC。采用电流控制模式,负载突然
VREF的DC/DC负载依存特性精度
变化时的响应速度优于电压控制模
控制在1.24V-10mV(标准值)(0~
式,相位补偿时也不需要外置电阻
800mA时),从而保证了稳定的电压 和电容器。这样不但能减少元器件
供给,帮助手机信号发送效率大大 数目,也降低了工程师在制板的时
提高。
间。并且,因为采用电流控制模式,
其次,通过智能高速切换信号
所以不需要软启动和短路保护之类
输出功率,也能够大幅提高电池续 的保护功能。输出电压也可以利用
航时间。比如在CDMA模式当中,
DAC控制或内部基准电压,由电阻
手机端根据与基站不同距离,自动 分压器设定。MB39C018还内置了
切换信号输出功率。离基站距离远 温度保护功能和UVLO功能。
的时候,Dc/DC提供大电压和大电
最适于移动电话的电源放大器、
流用以大功率发射信号,距离近的 RFPC卡、数码相机等便携装置的内
时候则反之。通过高速切换输出功
置电源。
率,从而有效实现延长电池寿命和
续航时间。MB39C018进阶时间仅
特长
为10ps(标准值),退阶也只需20ps
高效率:96%(最大)
(标准值),可以充分保证3G/3.5G手
输出电流:DC/DC 800mA(最大)
机高速切换的需求。
旁路FET…1A(最大)
世界电子元器件2007.9 gec.eccn.com
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输入电源电压范围:2.5V~5.5V
输出电压可变范围:O.7V~~3.6V
工作频率:(标准)2MHz
不需要Flyback二极管
低压差工作:支持100%ON DU1、r
照片1外观
内置高精度基准电压源
1,24V±1,5%(25℃)
关机模式时的消耗电流:17A以下
内置开关FET:
Pch MOS FET 0.3Q(标准)
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” 图1负荷稳定度
Pch MOS FET 0_2Q(标准)
负荷电流和DC/DC输出电压特性
VlN=3.2V,Vout=2.7V
使DC/DC ̄:?DC/DC输出电压按一定步长变化时的
响应时间特性
lOUT=OmA(无负荷)VIN=3.7V VOUT=1.1一一2_7V
To=+25℃
内置旁路FET:
Pch MOS FET 0.O8Q(标准)
电流型的输入:负荷过渡响应速度快
L…一 ∽…∞m
” 图2 DC/DC步长晌应特性
内置温度保护功能
包装:QFN24(O.4 4.0 0.85mm)
无铅/符合RollS指令的要求
电路结构
本产品由以下6个功能组成。
PWM Logic Control电路
用2MHz的切换频率使内置的Pch/Nch MOS FET进
行同步整流工作时,进行控制。
lout Comporotor电路
从内置的Pch MOS FET检测到流向外部感应器的
电流,比较峰值电流和ErrAmp的输出,对PWM Logic
Control关闭内置的Pch MOS FET。
ErrAmp相位补偿电路
内置有ErrAmp的相位补偿电路,对本产品进行调
节,使能进行最佳的工作。
VREP电路
用BGR(Bond Gop Reference)电路生成高精度的基
准电压。输出电压是1,24V(标准)。
旁路FET电路
.. 豳3应用举例
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■
解决方案糯进
引起DC/DC电源(VIN)和输出(v0)的短路。在
VREFIN电压达到1.33V以上时,本产品停止DC/DC工
作,打开旁路FET。
保护店路
在接合部分的温度达到135 ̄C(标准)时,过热保护
电路同时关闭Nch和Pch的SWFET。虽然没有设置专
用的过电流保护电路,但是因为采用电流型电压控制
方式,所以一直监视和控制电流的峰值。
支持第3.5代移动电话的电源放大器用电源
1旁路FET 1A(最大)
2切换频率:2MHz
转换效率:96%(最大)
3锂电池
4同步整流型降压电路
5 800mA(最大)
图4结构框图
6连接天线
7基带芯片
下面的公式那样设定输出电压。
Vo=3 VREFIN
8电源放大器模块
※VDD电压低于输出电压设定值时,Pch—FET会固
圆
※通过DAC在VREFIN端子上施加电压,可以像
定为ON。
SPARTAN-3A DSP平= ̄FPGA
又添低功耗器件
赛灵思公司近日宣布其
互为补充、相得益彰。事实上,与竞 XtremeDSP DSP48A逻辑片包括专用
tan一3A DSP
18X18乘法器和18位预加法器(pre—
XtremeDSP信号处理解决方案产品
争FPGA产品相比,Spar
系列新增功耗优化的Spartan一3A DSP 3400ALP具有25%的功耗效率优势,
adder)和48位后加法器/累加器
器件。这个目前业已投入量产的 最低成本的器件在250MHz时钟速 (post—adder/accumulator),能够以低
FPGA新器件,为低成本且低功耗
度下性能高达每毫瓦4.O6GMACs。
FPGA领域的应用如军事通信战术
DSP功效(powerefficiency)是指
成本提供优异的DSP性能。
新器件能够实现高功率效率的
无线电系统、无线接入点和便携式 完成信号处理计算时所消耗的功
另一个原因是Spartan一3ADSPFPGA
医疗设备等,提供了高性能的数字
率。DSP功效指标适用于系统、功
平台采用了高级静态功率管理(待
信号处理(DSP)能力。 能、构建模块和通用操作。执行通 机模式)功能,可以在保持FPGA配
与标准器件产品相比,Spar— 用乘法累加操作时,Spartan一3ADSP
置数据和应用状态的情况下大幅降
tan一3A DSP低功耗(LP)器件的静态
LP器件在250MHz时钟速度下功效
低FPGA功耗。这意味着在应用中
功耗降低了50%,而在待机模式下 达每毫瓦4.O6 GMACs。
静态功耗的降低更是高达70%。同
时,Spartan一3A DSP低功耗器件还
消费额外逻辑资源就能完成信号处
器件可以根据需要快速进入和退出
Spartan一3ADSPLP可用于超级便
Spartan一3ADSPFPGA平台不需
待机模式(suspend mode)。
具有工业额定等级。降低的功耗与
理功能,因此设计人员可以在获得 携式超声设备等应用。Spartan一3A
Spartan—DSP系列固有的因集成专
更高的功效的情况下达到性能和成
DSP FPGA平台的待机模式还可帮助
圃
用DSP电路而拥有的动态功耗优势 本目标。用来构成专用DSP电路的
延长此类应用中电池的寿命。
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