双通道DDR技术

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2023年12月21日发(作者：)

我们都知道，P4处理器是一颗对于内存带宽非常渴求的处理器，从400Mhz FSB的Willamette核心到533MHz的Northwood核心的P4处理器，处理器带宽都高达3.2Gb/s与4.3Gb/s，除了PC800和PC1066的RDRAM能够满足P4处理器带宽之外，DDR内存尚还不能满足P4处理器对内存带宽的需求。要知道，最快的DDR400内存也仅仅能够提供3.2Gb/s的内存带宽，随着P4处理器全面转向533MHz FSB之后，DDR内存已经开始不能满足P4处理器对于内存带宽的需求了，内存带宽的问题再次被人们关注。

但是DDR内存的带宽对于P4处理器来说还是显得不够。要想解决这个问题，似乎只有等待下一代DDR

内存的标准——DDR II出台之后，才能够给P4处理器提供足够的内存带宽？之前在AMD Athlon平台上就曾经出现过的双通道DDR内存的解决方案就是一个不错的选择，能够大大提高DDR内存的带宽。但是双通道DDR对于AMD平台来说并没有太大的实际意义，毕竟AMD Athlon系列处理器采用266MHz/333MHz FSB，能够利用的内存带宽仅为2.1Gb/s和2.7Gb/s。这也导致双通道DDR芯片组在AMD平台上并未得到广泛的采用。

好在主板芯片组厂商已经意识到这个问题。Intel一贯在内存规格的支持上显得比较保守，到目前DDR400的到广泛支持的情况下也仅仅推出了支持DDR333的845GE/PE，但是Intel在双通道芯片组的开发方面却是不落人后，在此之前Intel已经推出过服务器/工作站主板芯片组E7500系列芯片组，采用双通道DDR内存技术，使得DDR内存带宽成倍增加，大大缓解了P4 至强处理器的内存带宽问题。在今年9月的IDF2002上，Intel也展示了次世代的双通道DDR芯片组，代号为Granite Bay，正式名称为E7205，定位于入门级工作站以及高性能台式机主板使用。

Granite Bay芯片组介绍

Intel这款Granite Bay芯片组是一款面向工作站级别的芯片组，代表了下一代工作站主板的发展趋势，支持Intel P4处理器，除了支持Hyper-Threading（超线程技术）之外，还拥有目前最先进的一些技术，例如双通道DDR内存、AGP8X支持，使得这款芯片组在系统总线、内存带宽以及视频处理带宽方面都有着最佳的效能。

Intel号称这款芯片组是一款“高效合理”的P4平台，的确，这款芯片组拥有众多先进特性，并且在各方面的支持与搭配都是相当平衡。下面我们先来看看这款芯片组的规格：

1、支持带有512K L2缓存的P4处理器，支持400 MHz /533MHz FSB，芯片组和处理器之间的带宽最高可达4.3Gb/s；

2、提供双通道DDR266的内存支持，提供高达4.3Gb/sde内存带宽，完全能够满足系统总线的需要；

3、支持AGP 8X，为图形子系统提供2.1Gb/s的数据带宽，满足高性能图形处理的需要；

4、搭配Intel 先进的ICH4南桥芯片，提供包括USB 2.0等一系列先进特性。

此外，这款芯片组还具有如下特性：

·最大支持4GB内存，并且支持的内存DIMM数目为4个；

·支持6个PCI插槽

·支持ECC内存校验，确保数据安全；

·采用Intel Hub架构（Intel Hub Architecture）设计；

·支持6个高速USB 2.0端口，满足更多高速外部设备对数据传输的需求；

·支持Alert on LAN 2.0快速以太网的远程管理技术，使用该技术后，即使主服务器发生“冻结·（Freeze）故障”时，系统不仅会迅速通知管理人员，还可以使用诊断模式重新启动服务器。

·确保系统的正常与安全；

·支持Ultra ATA/100硬盘传输模式；

·支持Intel Application Accelerator应用程序加速器，将缩短系统启动时间以及提升应用程序运行效能；

·支持AC’97控制器，支持Dolby Digital 5.1环绕立体声；

·支持节能模式。

E7205芯片组的MCH芯片采用45mm×45mm 1005pinFC-PGA封装，相对于845系列芯片组的针脚数目要多一些。下面我们再来看看这款芯片组的架构示意图，以便我们更好的了解这款芯片组。

此外，Intel同时发布的双通道DDR芯片组还有一款E7505，不过这款芯片组是双XEON处理器的，而E7205则只能够支持单P4处理器，这也是Intel将这款芯片组锁定为入门机工作站和高性能台式机芯片组的原因之一。

Granite Bay芯片组前景分析

前面我们看了Intel E7205芯片组的一些规格与资料之后，很多人不禁有疑问，这款E7205芯片组在规格上看来的确比较诱人，特别是双通道DDR内存使得P4平台内存带宽的瓶颈得到了解决，那么这款芯片组的前景如何呢？且听笔者为你慢慢道来。

首先，这款芯片组在性能上，的确是领先现有的单通道DDR内存芯片组，毕竟双通道DDR266内存能够为P4平台提供高达4.3Gb/s的内存带宽，大大缓解了系统总线带宽与内存带宽之间交换数据的瓶颈，大大提高了系统的工作效能。但是，我们也应该看到，单纯的内存提升只是对于某些特定的应用有着明显的性能提升，对于大多数应用程序来说，并不能从内存带宽的提升获得直接的好处。

其次，这款芯片组能够支持Intel最新的Hyper-Threading技术，搭配支持该技术的P4 3.06GHz处理器，就能够成为性能最强劲P4平台，并且通过Hyper-Threading技术模拟的双处理器，能够使得处理器效能大幅度增加。但是，在软件设计还尚未完全支持超线程技术之前，超线程技术并不能给系统性能带来明显的好处，甚至在某些应用中还可能导致性能的下降。

第三，在AGP 8X大行其道的今天，这款芯片组提供了对AGP 8X的支持，并且能够兼容AGP 4X等1.5V

AGP显卡，高达2.1Gb/S的总线带宽，满足高性能图形处理的需要，同时提供了对大多数主流显卡的兼容与支持。但是我们也要看到，目前AGP8X的支持还不够成熟，并且游戏和软件的设计还没有充分利用到AGP 8X的带宽，所以，AGP 8X需要有真正的性能提升，还需要假以时日。

第四，人们最为关心的就是价格问题，我们姑且不谈使用双通道DDR内存需要DDR内存成对搭配使用带来的成本增加，单就从这款芯片组的价格来说，据悉这款芯片组的价格将在60美元左右，相比845系列芯片组将会贵上不少，这也导致主板的价格将会比较昂贵，毕竟这款芯片组并不是针对主流主板市场，而是针对入门级工作站以及高性能台式机主板而设计的。

综上所述，这款芯片组主要定位于入门级工作站以及高性能台式机，而非针对主流主板市场设计，所以，在定价上相对昂贵，但是，毋庸置疑的是，种种先进技术的应用，尽管现在看来并不能充分发挥效能，但是从发展的角度来说，这些技术为未来应用对性能的需求做好了充分的准备，并且，这些技术的运用也导致这款芯片组在性能上有一定的提升，对于某些追求性能的用户来说，价格自然不是最大的问题，但是对于主流的主板用户来说，目前E7205的定位与价格还显得有些遥远。当然，我们也不排除随着主板芯片组技术的发展，这些“阳春白雪”也会走近“下里巴人”。以前的i850＋RDRAM的组合，就是由于价格的因素，导致不能为主流市场所接受，但是，和850芯片组相比，E7205支持便宜的DDR内存，这也导致了E7205有一定的用户基础，随着主板价格的下降，E7205将能够被一些追求性能的台式机用户所接受而进入主流高端台式机市场。

Granite Bay芯片组主板一览:

目前，各大一线主板厂商都开始Granite Bay芯片组，纷纷推出了基于该芯片组的主板，下面我们就来看看这些已有的主板产品。

华硕P4G8X Deluxe

伴随着英特尔发表支持Hyper-Threading技术的Pentium 4处理器，华硕计算机亦推出最新一代主板─P4G8X。藉由搭载Intel E7205芯片组，华硕P4G8X主板可以支持双通道DDR内存、Hyper-Threading技术及AGP 8X等最新技术。

技嘉泰坦GA-8INXP:

技嘉这款主板除了拥有E7205芯片组的先进特性之外，还拥有技嘉独有的“6-Dual”技术。GA-8INXP的“6-Dual”技术具体包括：可以大幅提升运算效能的“Dual Logical Processor”双逻辑处理器技术、“Dual

Channel DDR”双信道DDR技术、“Dual Power System”，即DPS双电源供电系统设计，还有用于保护数据、提升数据存储容量及调用速度的“Dual RAID”技术、维持系统稳定的“Dual Cooling System”技术，以及为人们熟知的，用于防范病毒攻击和系统灾难恢复的技嘉主板标志性技术：“DualBIOS”。

微星 GNB Max:

作为一线主板大厂的微星科技，在新主板的研发上也是不落人后，也推出了基于Intel E7205芯片组的主板——GNB Max。

其他双通道DDR P4芯片组简介

除了Intel的E7205芯片组之外，VIA仍然凭借脆弱的授权关系继续开发Pentium4芯片组，而SiS得到Intel正式的授权会发展的更快，事实也的确如此，现在VIA在Pentium4芯片组上的开发速度过慢，已经有被SiS赶超的危险。这两个厂商在双通道DDR芯片组上都有计划推出新产品。VIA预计将推出P4X600，而SiS则计划推出SiS 655芯片组。其中，P4X600还未正式发布，而SiS 655则已经在11月18日正式发布。下面我们就来看看这两款芯片组。

VIA推出的双通道DDR SDRAM芯片组是P4X600，它具有一些先进的特性。P4X600支持533MHz的Pentium4前端总线，AGP 8X，它支持双通道PC2100（DDR266）和PC2700（DDR333）内存模组。与其配合的南桥芯片是VIA的VT8235，它支持USB 2.0和ATA-133，它使用533MB/s的V-Link总线。

SiS655为目前市场中首套应用双信道内存DDR333于Intel P4处理器芯片组。SiS655 芯片支持INTEL

P4处理器最新Hyper-Threading技术，同时支持高达533MHz之前置总线、AGP 8X接口、双信道DDR333内存控制器、以及SiS独家研发之南北桥 MuTIOL 1G技术。SiS655之双信道DDR333内存控制器，不论在128位模式或2X64位模式，皆可将内存频宽提升2倍至5.4GB/s，并提供弹性之DIMM设定，完整确保双通道技术优势，呈现P4处理器绝佳运算能力。SiS655搭配SiS963南桥芯片，透过全球首创MuTIOL

1G专利技术，能够在高达533MHz的执行速度下，支持每秒1GB之传输速率及16位双向数据总线。提供IEEE 1394a、USB 2.0和双ATA 133/100/66 IDE信道高速连接功能。SiS655/SiS963 的超强组合不仅带来了卓越的数据传输频宽，迅速流畅的连结让消费者尽情享受高速传输所带来的优越使用环境。

总结

综上所述，支持双通道DDR内存似乎是未来P4平台芯片组发展的趋势，毕竟，在P4平台，使用双通道DDR技术要比在AMD平台上的效能提升大得多。不过就目前的趋势来看，Intel E7205面向入门级工作站和高端台式机系统，要想应用到主流桌面市场还需假以时日。其他厂商也积极着手双通道DDR P4芯片

组的研发，并且据传下一代Intel双通道芯片组E7205的后继者Canterwood已经计划于明年第二季推出，售价也将和E7205差不多，似乎更值得用户和厂商关注。不过随着主板芯片组技术的发展，双通道DDR这项技术必将给P4平台用户带来前所未有的极速体验。

CPU的速度正以呈G级发展，2G的CPU已经不算什么，3G正在向我们招手。与此同时，内存的频率和带宽也在不断提升，以免造成系统瓶颈。其中双通道DDR、DDR 2、RDRAM都是即将流行的内存技术，让我们一起来展望未来吧。

一、DDR 2

英特尔的Howard David在IDF Fall 2002上已经介绍了DDR和DDR 2的差异，DDR 2 533MHz将于2003年中出现，并于2004年批量生产。现在，DDR 2只是一个原型产品，仍然未最终定案，还有几个小的细节需要解决，并通过JEDEC（Joint Electronic Device Engineering Council，联合电子设备工程委员会）审批才能最后敲定，样品将于2002年低发布。

初代DDR 2将运行于266MHz DDR（Double Date Rate，上下行双数据率）总线上，为了确保稳定性，DDR 2使用了微分滤波闸门。通过计算，可以确定两个不同信号之间的差异。在工作的过程中，一直测量着电压，并与参考电压（Vref）作比较。由于参考电压在所有时间都是不断维持着的，作为比较是再好不过了。两个微分信号都用参考电压作为参照标准计算，可以消除参考电压微细波动对整体造成的影响。

以上方法可以减少时间歪斜和干扰，时间歪斜是一种信号错误，如：一个字节中某一位信号比其它位到达延迟；干扰指邻近线信号接口之间的信号干扰。所有的DDR 2将使用BGA（Ball Grid Array，球状网阵排列）封装，用于减少电感应、电容和终结器的数目。

相比起带宽来说，DRAM的反应时间改善比较慢，Samsung三星和Micron美光演示的DDR 2 533，反应时间只有4-4-4。为了减少反应时间，DDR 2需要装备八个内部储藏位（bank），可以提高内存页的命中率，并允许芯片组用储藏位交叉存取，提高整体性能。顺便一提，交叉存取是在多个储藏位之间，进行交错的传输，比单bank位存取要快得多。

David Howard指出8储藏位交叉存取可以改善真实性能约为2 - 3 %，如此小的架构改善，竟然可以带来如此高的性能提升，真是让人印象深刻。不过，剩下的问题就是如何提高8个储藏位的效率，受制于功耗的原因，不可能同时激活8个页面。DDR 2将进行两倍预获取（4n），比传统的DDR（2n）多一倍。那么，DDR 2 400芯片在10ns的时钟周期下，就能等同于DDR 200的性能。时钟周期实际上是内存芯片的内部速度，如：PC 800 RDRAM传输线运行在400MHz，内部芯片运行在100MHz（与DDR 400相同）。DDR 400的时钟周期如果提升为5ns（200MHz），生产变得很困难，产量也非常低。而DDR 2 400却因为较低的时钟频率，产量可以提得更高，对主板的设计要求也没有那么高，同样能够保持稳定性。

DDR的电压为2.5V，比SDR SDRAM降为3.3V，DDR 2的VDD则降到1.8V。机械设计方面，DDR 2与DDR类似，只有非常小的规划布局差异。

二、双通道DDR的发展

英特尔没有揭露太多关于内存发展的未来计划，不过，可以肯定一点，它将正式支持双通道DDR。Tyan泰安和其它主板厂商推出了不少基于GraniteBay、Placer芯片组的产品。

英特尔将在2002年第四季度，正式支持PC 1066 RDRAM和DDR 333，下面这个含糊不表发展蓝图，暗示RDRAM可能会支撑到2005年。不过，英特尔却宁愿支持DDR 2，并且用于所有市场中（服务器、工作站、桌面机），那么，在2004年后RDRAM只会在网络市场上见到。

双通道DDR 2将会以双通道的形式进入市场，换言之，128位的533MHz DDR可能在2004年末出现，最高带宽达到8.5GB/秒。

DDR 400就没有这么幸运了，英特尔和美光都指出DDR 400将不会成为主流内存。只有256Mbit和128Mbit芯片可以运行在200MHz，产量还非常低，发热量极好，无法在大多数旧主板上稳定工作。

DDR 2在2005年可以达到667MHz，接着在2007年被DDR 3所取代，DDR将达到800 - 1066MHz。

三、RDRAM

RDRAM的未来是最大的疑问，英特尔既没有肯定也没有否定RDRAM的市场是否会为DDR 2所取代。英特尔指出RDRAM将会占据小区域市场，直到2005年。

无论英特尔变得怎样，Samsung三星的发展蓝图仍然显出它的极大侵略性。2003年第三季度引入PC1333，带宽为5.3GB/秒。2004年引入PC1600，并且引入PC1200和PC1333的64位RIMM，最高带宽可达10.6GB/秒。64位RDRAM是RAMBUS的一个发展转机，现在只有32位的PC1066的产品，到2003年第二季度，所有的双通道32位RDRAM（总共四个通道）都准备过渡到64位。在服务器市场上，RDRAM最大支持容量为8GB，在工作站市场，最大支持容量是4GB。

SiS的新芯片组R658已经发布，当它上市之后，SiS还会继续支持RDRAM。

四、结论

DDR 2比DDR更稳定、更少功耗和更高性能。借助双通道128位方案，DDR 2的带宽可以满足英特尔芯片的需求，667MHz FSB（Front Side Bus，前端总线）的Prescott内核P4正好对应双通道的DDR 2 400或DDR 333，然而Tejas（1.2GHz - 1.33GHz FSB）必须要双通道DDR 2 667的帮忙。

然而，DDR 2的发展并不总能按照CPU的性能同步提速，带宽请求提高没问题，但内存反应时间的减速幅度却很慢，结果导致内存性能多数情况下比CPU性能提升要慢。

大家都感觉到英特尔会继续发展DDR 2之外的第二种内存，也许是RDRAM，也许是其它，投资内存工业，确实是回报丰厚，英特尔不会轻易放弃的。当然，现有的内存市场，只有高端产品好赚钱，所以大家都把目标定在DDR 2，希望可以狠赚一笔。

随着CPU频率及系统总线前端速度的不断跃升，现有的内存带宽日益捉襟见肘。在很多应用上，内存带宽已经成为了高端系统的瓶颈，压制了CPU的尽情演绎。虽然Rambus为业界带来了高性能的解决方案，但无奈其搭建成本一直居高不下，因此，RDRAM始终局限于高端的商用市场而无法解决主流市场对内存带宽的饥渴。

面对这种局面，NVIDIA终于在Computx2001中为大家带来了全球首个双通道DDR解决方案。对比当时的KT266A、AMD761芯片组、nFORCE能提供几乎翻倍的内存带宽。最重要的是消费者无需付出高昂的代价，只需两条DDR266内存即可享受双通道技术带来的极速感受。但是，由于NVIDIA一直无法就P4芯片组专利授权及权利金等问题和Intel达成共识，P4用户群一直在承受着高速CPU低效能内存的“煎熬”！

时至今日，P4用户可谓守得云开见月明，Intel终于在IDF 2002上展示了其首款双通道DDR芯片组——Granite Bay，而VIA也在VTF2002中发布了自家的双通道P4芯片组——P4X600。此外，SiS的655也将于年底面世。同时，NVIDIA也继续为AMD用户带来新一代的双通道DDR平台，预计nFORCE 2很快就会摆上货架。一时间，双通道DDR已成为众多平台的高效高性价比解决方案。

双通道DDR之技术篇

双通道DDR有两个64bit内存控制器，从而可以提供128bit内存总线所达到的带宽。双通道DDR266能提供4.2GB/s的带宽，而双通道DDR333和DDR400则能达到5.4GB/s和6.4GB/s；这样换算就连PC1066 RDRAM的每秒4.2GB带宽也只能甘拜下风！虽然双64bit内存体系所提供的带宽等同于一个128bit内存体系所提供

的带宽，但是二者所达到效果却是不同的。双通道体系包含了两个独立的、具备互补性的智能内存控制器，两个内存控制器都能够在彼此间零等待时间的情况下同时运作。

例如，当控制器B准备进行下一次存取内存的时候，控制器 A就在读/写主内存，反之亦然。两个内存控制器的这种互补“天性”可以让有效等待时间缩减50%。双通道DDR的两个内存控制器在功能上是完全一样的，并且两个控制器的时序参数都是可以单独编程设定的。这样的灵活性可以让用户使用三条不同构造、容量、速度的DIMM内存条，此时双通道DDR简单地调整到最低的密度来实现128bit带宽，允许不同密度/等待时间特性的DIMM内存条可以可靠地共同运作。

原味Intel篇

没有Intel的支持，双通道DDR不会一夜之间吸引了无数眼球。虽然此前NVIDIA致力推广双通道DDR，但始终得不到理想的市场反应。直到Intel发布Granite Bay（见图1）后，情况逆转，一时间双通道DDR成为大家的热门话题。作为搭配P4的理想平台，当然是使用Intel自家的芯片组，无论是稳定性，兼容性和性能方面都高人一筹。

Granite Bay（正式名称为E7205)芯片组定位在高端工作站，支持1U处理器，也是Intel旗下第一款支持双通道DDR内存的芯片组。Granite Bay的MCH北桥芯片（FCBGA封装，1077pin）搭配ICH4南桥芯片的组合，支持400MHz/533MHz前端总线，支持Hyper-Threading技术、AGP 8X总线、USB2.0接口；支持双通道PC1600或者PC2100内存，南北桥之间采用266MB/s的Hub Link总线连接。但Intel决定暂推出用于支持双通道PC2700 (DDR333)内存的芯片组，因为由双通道PC2100 DDR SDRAM提供的4.2GB/s峰值带宽，恰好等于533MHz P4系统总线所提供的带宽。

风云VIA篇

VIA在早前的VTF2002上发布了P4X600（见图2）。这款芯片组将支持Intel P4 400MHz或者533MHz总线，并且支持双通道的DDR内存。与Granite Bay相比可以支持DDR333内存，也就是说我们使用128bitDDR333内存时就能得到5.4GB/s的带宽。P4X600芯片组将配合VT8235南桥，支持AGP 8X及USB

2.0界面，南北桥通讯采用8X V-link。相对于Intel的Granite Bay，P4X600在价格上要更有优势，不过碍于P4授权的关系，该芯片组能否得到广泛采用依然是一个未知数。

无忧SiS篇

据有关的消息透露，矽统已经准备推出支持双通道DDR内存SiS655（见图3）芯片组主板的工程样板，支持双通道DDR266/333，并且允许不同容量的内存混插工作于双通道模式，四条DIMM插槽最大可支持4GB

DDR333内存。值得留意的是用户要使用双通道DDR333内存一定要配对使用，不然效果会大打折扣。搭配SiS963超级南桥，支持ATA133/IEEE 1394/USB2.0接口等。由于SiS获得了Intel的P4授权而免却了后顾之忧，凭借其一如既往的高性价比，SiS655将成为继Granite Bay后的又一上佳之选。

野心NVIDIA篇

AMD平台的双通道DDR解决方案依然是NVIDIA的独角戏。nFORCE 2支持200/266/333MHz前端总线，支持双通道DDR266/333/400内存和AGP 8X（见图4）。搭配全新概念的南桥MCP与MCP-T（见图5），支持USB2.0、IEEE1394、ATA/133硬盘传输、DualNET功能并且具备强大的APU音频处理器。其整合图形核心IGP版在采用双通道DDR内存后游戏性能得到大幅提高，整合的图形核心性能表现要优于GeForce4

MX420。nFORCE2无疑是目前AMD用户最值得选择的一款主板，而且整合的图形核心性能也要优于目前所有的整合型主板，来自NVIDIA方面的消息，主板厂商会把nFORCE2主板价格定位在100美元左右。

毫无疑问，双通道DDR是在DDRⅡ进入主流之前最好的选择，只需两条DDR内存加一块主板便能享受双倍带宽的快感。最重要的是RDRAM在售价及相关的主板成本上已经远超于双通道DDR及其配套主板，性能方面也无优势可言，而从现在到明年下半年的一段长时间中，双通道DDR333或双通道DDR400内存的应用将趋向普及。在更完善的相应内存标准确定之前，双通道DDR内存会有不弱的生命力。

双通道内存技术究竟带来了什么？

关于双通道内存系统，我们最关心的莫过于它所带来的内存带宽的提升。为了解决目前系统中的内存性能瓶颈问题，内存厂商单纯地提高内存的运行频率，这相对于研发新型的内存要容易得多，当然成本也相应地低得多。但是由于晶体管本身的特性和制造技术的制约，内存颗粒的速度不可能无限制地提升，所以在全新的内存研发出来之前，双通道内存技术就成了一种可以有效地提高内存带宽的技术。它最大的优势在于只要更改内存的控制方式，就可以在现有内存的基础上带来内存带宽的提升。

从理论指标来看，双通道内存技术具有相当的优势。双通道DDR400的理论带宽是6.4GB/s，和英特尔的前端总线为800MHz的P4处理器及i865、i875芯片组完全匹配，这也是为什么英特尔转而支持DDR400的原因。前端总线为800MHz的P4平台选用双通道DDR400，与双通道的内存控制和管理机制及高带宽是有很大关系的。

双通道内存的安装

对于采用i865和i875芯片组的主板来说，目前该类型主板大都具有4个DIMM插槽，每两根一组，每一组代表一个内存通道，只有当两组通道上都同时安装了内存时，才能使内存工作在双通道模式下。同时，安装内存必须对称（A通道第1个插槽搭配B通道第1个插槽，或A通道第2个插槽搭配B通道第2个插槽）。为了方便用户安装，目前已有部分厂商的主板将对称的内存插槽以不同的颜色标示出来，用户只要把内存安装在颜色相同的DIMM插槽上即可。安装成功后，开机自检时，会显示出内存工作在双通道模式下。

对nForce2主板来说，其内存部分虽然有两条分离的数据线供DDR内存双通道模式使用，但当用户插上单数条的DDR内存的时候，主板会自动锁定在单通道模式上。所以若想有效地利用nForce2主板的DDR内存双通道的方法，必须采用偶数条内存，而且最好是同一厂商、同一规格的内存条，按照正确的方法安装。安装时必须按照主板DIMM插槽上面的颜色标志正确地安装内存，才能让两个内存控制器同时工作，实现双通道DDR功能。

双通道内存技术存在的问题

任何一项技术都有其优点也有其缺点，双通道DDR内存技术也不例外。首先，双通道内存都需要成对地使用，这样就大大降低了内存配置的灵活性。更重要的一点是采购内存的时候至少要选择2×64MB、2×128MB……，这会让用户在内存方面的预算成倍地增加。

其次，双通道内存技术的理论值虽然非常诱人，但是由于各种因素，其实际应用的性能并不能比单通道DDR内存高1倍，当然也无法比PC133 SDRAM高出4倍，因为毕竟在现有的系统条件下，系统性能瓶颈不仅仅是内存。从一些测试结果可以看到，采用128bit内存通道的系统性能比采用64bit内存通道的系统性能高出3%~5%，最高的可以获得15%~18%的性能提升。

另外，要实现对双通道内存技术的支持，芯片组厂商需要在这个方面投入更多的研发力量。而且由于双通道内存的控制特性，使得其控制器比普通的内存控制器复杂得多。双通道内存技术需要重新设计芯片组内存控制器，增加了主板的设计难度，这也会导致芯片组成本的提高。用户使用的时候还需要留意不要插错了位置。nForce2甚至要求在使用DDR400内存时，要提高供电电压……这么多的注意事项让普通用户感觉很烦琐，而且即使这些注意事项都做到了，用户在大部分应用中也只能得到5%左右的性能提升，有时候还不如去买一颗稍微有点超频潜力的CPU来得划算。

写在最后

双通道内存技术并非DDR内存所独有，RDRAM也应用了这种技术，像英特尔的i850E芯片组就支持

双通道PC1066 RDRAM。因此确切地说，双通道内存技术是双通道内存控制技术，是在当前内存技术的基础上开发的一种内存管理和控制技术。它的重点在对于内存的控制而不是内存本身，整合在芯片组北桥中的内存控制器承担了这个责任，因此说它是芯片组技术似乎更合适。

解决计算机内存带宽瓶颈问题并非只有一条出路，但目前由于种种情况，双通道内存技术似乎是最好的解决方案，而且还将持续一段时间。而且从内存技术的发展过程中我们知道，无论是什么技术，只要性能出色、价格便宜、便于使用才会有着光明的前景，这对于计算机其它技术也不例外。

双通道内存技术的原理

双通道技术在当今的电脑应用越来越广泛，相信大家对双通道，使普通的DD的词语并不陌生。那么究竟双通道技术是怎么样的呢？双通道内存技术其实就是双通道内存控制技术，能有效地提高内存总带宽，从而适应新的微处理器的数据传输、处理的需要。它的技术核心在于：芯片组(北桥)可以在两个不同的数据通道上分别寻址、读取数据R内存可以达到128位的带宽。

双通道主板的工作原理示意图

双通道DDR有两个64bit内存控制器，双64bit内存体系所提供的带宽等同于一个128bit内存体系所提供的带宽，但是二者所达到效果却是不同的。双通道体系包含了两个独立的、具备互补性的智能内存控制器，两个内存控制器都能够在彼此间零等待时间的情况下同时运作。例如，当控制器B准备进行下一次存取内存的时候，控制器A就在读/写主内存，反之亦然。两个内存控制器的这种互补“天性”可以让有效等待时间缩减50%，双通道技术使内存的带宽翻了一翻。

双通道内存技术的发展

双通道内存技术最初是从RAMBUS推出的RDRAM内存条开始的。RAMBUS的内存速度非常快，但是总线宽度却比SDRAM内存还要小，因此它不得不结合Intel的双通道内存控制技术提高带宽，达到高速的数据传输速率。不过RAMBUS由于生产成本过高的原因，逐步被市场淘汰，反而让DDR使双通道技术发扬光大。如今Pentium 4采用的NetBurst架构对内存带宽要求非常高，如果内存无法提供相应数据传输率的话，这么快的处理器总线速度也是英雄无用武之地。因此只有通过双通道内存控制技术才能够解决这个问题。最近金邦推出了DDR500内存条，单条的数据带宽以及达到4GB之高，如果使用双通道技术的话带宽将达到8GB之多。

双通道内存技术的应用

前面已经说过，双通道内存主要是依靠主板北桥的控制技术，与内存本身无关。因此如果要使用支持双通道内存技术的话主板才是关键。目前支持双通道内存技术的主板有Intel的i865和i875系列、SIS的

SIS655、658系列、nVIDIAD的nFORCE2系列等。Intel最先推出的支持双通道内存技术的芯片组为E7205和E7500系列。

双通道内存D的安装有一定的要求。主板的内存插槽的颜色和布局一般都有区分。如果是Intel的i865、875系列主板一般有4个DIMM插槽，每两根一组，每组颜色一般不一样；每一个组代表一个内存通道，只有当两组通道上都同时安装了内存条时，才能使内存工作在双通道模式下。另外要注意对称安装，即第一个通道第1个插槽搭配第二个通道第1个插槽，依此类推。用户只要按不同的颜色搭配，对号入座地安装即可。如果在相同颜色的插槽上安装内存条，那么只能工作在单通道模式。而nFORCE2系列主板同样有两个64位的内存控制器，其中A控制器只支持一根内存插槽，B通道则支持两根，A、B插槽之间有一段距离以方便用户识别，A通道的内存插槽在颜色上也可能与B通道两个内存插槽不同，用户只要将一根内存插入独立的内存插槽而另外一根插到另外两个彼此靠近的内存插槽就能组建成双通道模式，此外，如果全部插满内存，也能建立双通道模式，而且nForce2主板组建双通道模式时对内存容量乃至型号都没有严格的要求，使用方便。

nFORCE2主板用距离来区分内存的A、B控制器

i865主板用两组不同的颜色代表两个内存控制器

如果安装方法正确的话，在主板开机自检时，将会显示内存的工作模式；用户根据屏幕显示(如“DDR333

Dual Channel Mode Enabled”，“激活双通道模式”)，那么内存就已经工作在双通道模式。

总之双通道内存控制技术的出现确实令道使用P4的用户性能有了一定的提升，也是未来发展的趋势。但是也要看具体的应用，如果在AMD的CPU平台上，使用支持双通道的DDR 266/200的内存条，并不会比使用单条的DDR333的内存更有效率，因为后者已经能满足外部总线频率的带宽需要；在这类主板上使用双通道对用户来说是一种资源的浪费。另外要注意的是内存条的搭配，Intel的要求也比其他主板要高，最好使用相同品牌相同型号的内存条，确保稳定性。

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