解读内存颗粒编号含义

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2024年3月9日发(作者：)

现代内存颗粒编号含义

现代品牌的内存在国内的销售量一直名列前茅，不少消费者选购内存时都会考虑产品的规格参数。其实，小编有一个方法可以让消费者简单直观的了解到内存的规格－－解读编号含义，现在我们以现代内存为例，图解说明让大家迅速学会解读编号。

现代内存颗粒的编号是由四段字母或数字组成，如下图一所示，下面，小编就给大家分别解释，主要对内存规格进行说明。

A部分标明的是生产此颗粒企业的名称－－Hynix。

B部分标明的是该内存模组的生产日期，以三个阿拉伯数字的形式表现。第一个阿拉伯数字表示生产的年份，后面两位数字表明是在该年的第XX周生产出来的。如上图中的517表示该模组是在05年的第17周生产的。

C部分表示该内存颗粒的频率、延迟参数。由1-3位字母和数字共同组成。其根据频率、延迟参数不同，分别可以用＂D5、D43、D4、J、M、K、H、L＂8个字母/数字组合来表示。其含义分别为D5代表DDR500（250MHz），延迟为3-4-4；D43代表DDR433（216MHz），延迟为3-3-3；D4代表DDR400（200MHz），延迟为3-4-4；J代表DDR333（166MHz），延迟为2.5-3-3；M代表DDR266（133MHz），延迟为2-2-2；K代表DDR266A（133MHz），延迟为2-3-3；H代表DDR266B（133MHz），延迟为2.5-3-3；L代表DDR200（100MHz），延迟为2-2-2。

D部分编号实际上是由12个小部分组成，分别表示内存模组的容量、颗粒的位宽、工作电压等信息。具体详细内容如图二所示。

D部分编号12个小部分分解示意图

采用现代颗粒的内存颗粒特写

第1部分代表该颗粒的生产企业。＂HY＂是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代生产制造。

第2部分代表产品家族，由两位数字或字母组成。＂5D＂表示为DDR内存，＂57＂表示为SDRAM内存。

第3部分代表工作电压，由一个字母组成。其中含义为V代表VDD=3.3V & VDDQ=2.5V； U代表VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W代表VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S代表VDD=1.8V & VDDQ=1.8V来分别代表不同的工作电压。

第4部分代表内存模组的容量和刷新设置，由两位数字或字母组成。对于DDR内存，分别由＂64、66、28、56、57、12、1G＂来代表不同的容量和刷新设置。其中含义为：64代表64MB容量，4K刷新；66代表64MB容量，2K刷新； 28代表128MB容量，4K刷新；56代表256MB容量，8K刷新；57代表256MB容量，4K刷新；12代表512MB容量，8K刷新；1G代表1GB容量，8K刷新。

第5部分代表该内存颗粒的位宽，由1个或2个数字组成。分为4种情况，分别用＂4、8、16、32＂来分别代表4bit、8bit、16bit和32bit。

第6部分表示的是Bank数，由1个数字组成。有三种情况，分别是＂1＂代表2 bank，＂2＂代表4 bank，＂4＂代表8 bank。

第7部分代表接口类型，由一个数字组成。分为三种情况，分别是＂1＂代表SSTL_3，＂2＂代表SSTL_2；＂3＂代表SSTL_18。

第8部分代表该颗粒的版本，由一个字母组成。这部分的字母在26个字母中的位置越靠后，说明该内存颗粒的版本越新，目前为止HY内存共有5个版本，表现在编号上，空白表示第一版，＂A＂表示第二版，依次类推，到第5版则有＂D＂来代表。购买内存的时候版本越说明新电器性能越好。

第9部分代表的是功耗。如果该部分是空白，则说明该颗粒的功耗为普通，如果该部分出现了＂L＂字母，则代表该内存颗粒为低功耗。

第10部分代表内存的封装类型，由一个或两个字母组成。由＂T＂代表TOSP封装，＂Q＂代表LOFP封装，＂F＂代表FBGA封装，＂FC＂代表FBGA（UTC：8 x 13mm）封装。

第11部分代表堆叠封装，由一个或两个字母组成。空白代表普通；S代表Hynix；K代表M&T；J代表其它；M代表MCP（Hynix）；MU代表MCP（UTC）。

第12部分代表封装材料，由一个字母组成。空白表示普通，＂P＂代表铅，＂H＂代表卤素，＂R＂代表铅和卤素。

总的说来，其实只要记住第2、3、6和C部分等几处数字的实际含义，就能很轻松对使用现代DDR SDRAM内存颗粒的产品进行辨别。尤其是C部分数字，它将很明确的告诉消费者，这款内存实际的最高工作状态是多少。那么就算内存条上贴的标签或者包装盒上吹的再好，你也消楚的知道这款内存的真正的性能如何。

Micron的内存编码分析

内存是计算机的重要部件，如果准备购买Micron品牌内存的消费者学会解读内存芯片的编码，可以避免购买到＂以假充真＂的伪劣产品。Micron公司对各种内存芯片产品都采用统一的统一编号规则，所以学习Micron的内存编号并不复杂。

A字段由MT组成，代表Micron内存芯片的前缀。

B字段表示产品类型。4代表DRAM46代表DDR SDRAM47代表DDRII48代表SDRAM49代表RLDRAM。

C字段表示工作电压、生产技术。C代表VCC电压为5V、CMOS工艺LC代表VDD电压为3.3V、CMOS工艺V代表VDD电压为2.5V、CMOS工艺H代表VDD电压为1.8V、CMOS工艺。

D字段表示密度与宽度，格式为：16M8，表示16Mbit密度，8位数据宽度。

这组字符是以字母区隔开，字母前面表示密度，字母表示密度的单位，字母后面表示数据宽度。没有字母表示密度的单位为BitK表示密度的单位为KbitM表示密度的单位为MbitG表示密度的单位为Gbit。

E字段代表内存芯片的内核版本号，此字段也可能是空白。

F字段表示内存芯片的封装方式。

DJ表示SOJ封装;DW表示SOJ（Wide）;F表示FBGA（54针，4面封装）;FB表示FBGA（60针、84针8＊16）;FC表示FBGA（60针、90针和144针，11＊13）;FD表示FBGA（80针，9＊16）;FF表示FBGA（54针，8＊9）;FG表示FBGA（54针，8＊14）;FH表示FBGA（84针，11＊16）;FJ表示FBGA（60针，9＊16）;FK表示FBGA（60针，90针和144针，12＊12）;FM表示FBGA（144针，11＊18.5）FN表示FBGA（60针，10＊12.5）;FT表示FBGA（92针，11＊19）;FW表示FBGA（135针，11＊13）;FX表示FBGA（60针，10＊18.25）;F1表示FBGA（62针，13＊13）;F2表示FBGA（84针，11＊15）;LG表示TQFPR1表示FBGA（62针，13＊13;）R2表示FBGA（84针，11＊15）;TG表示TSOP（Type II）;TH表示TSOP（Type II）扩大宽度;TG表示Stacked TSOP

G字段表示内存芯片的时钟频率。

对于SDRAM内存芯片，-15代表66MHz;-12代表83MHz;-10代表100MHz;-8A代表125MHz（PC100）;-8C代表125MHz（PC100）;-8E代表125MHz（PC100）;-75代表133MHz（PC133）;-7E代表133MHz（PC133）;-7代表143MHz（PC133）;-65代表150MHz-6代表167MHz;-6A代表167MHz;-55代表183MHz;-5代表200MHz。对于DDR SDRAM内存芯片，-10代表100MHz（DDR200）；-8代表125MHz（DDR200）；-75代表133MHz（DDR266x）-75Z代表133MHz（DDR266B）；-75E代表133MHz（DDR266A）；-65代表150MHz（DDR333x）；-6G代表167MHz（DDR333x）；-6T代表167MHz（DDR333x）；-6代表167MHz（DDR333x）；-55代表183MHz-5代表200MHz。对于DDR-II SDRAM内存芯片，-5代表200MHz-37代表267MHz。对于RLDRAM内存芯片，-5代表200MHz-；4代表250MHz；-33代表300MHz。

H字段表示功耗，此字段也可能是空白。L代表低功耗S代表自动更新。

I字段表示工作温度。空白代表商业温度（0℃～+70℃）I代表工业温度（-40℃～+85℃）。

J字段为特殊处理的代码。ES代表工程样品MS代表机械样品K代表过渡提供的样品H代表高速。

华邦内存的编号含义

虽然我们在零售市场看不到华邦原厂的内存条，但是不少著名内存厂商都会采用华邦生产的内存芯片。现在让我们一起来学习，华邦内存的编码含义。

A字段由W组成，代表华邦（Winbond）内存芯片的前缀。

B字段表示产品类型。98代表SDRAM内存94代表DDR SDRAM内存。

C字段表示内存芯片的容量。16代表16Mbit（2MB）32代表32Mbit（4MB）64代表64Mbit（8MB）12代表128Mbit（16MB）25代表256Mbit（32MB）。要计算内存条的总容量，只需将内存芯片的容量乘上内存芯片的数量即可。 D字段表示内存结构。08代表＊816或G6代表＊1632或G2代表＊32。

E字段表示内存芯片的修正版本。A代表第1版B代表第2版C代表第3版D代表第4版。

F字段表示内存芯片的封装方式。B代表60balls BGA、90balls BGA或144-Ball LF BGA封装D代表100-Pin LQFP封装H代表50-Pin 400mil TSOP、66-Pin 400mil TSOP或86-Pin

400mil TSOP封装。

G字段表示内存芯片的速度标识。对于SDRAM而言：-5代表200MHz（CL=3）-6代表166MHz（CL=3）-7代表143MHz（CL=3）或PC133（CL=2）-75代表PC133（CL=3）-8H代表PC100（CL=2）。对于DDR SDRAM而言：-4代表250MHz（CL=3/4）-5代表DDR400（CL=2.5）-5H代表200MHz（CL=3）-55代表183MHz（CL=3）-6代表DDR333（CL=2.5）-7代表143MHz（CL=2.5）或DDR266（CL=2）-75代表DDR266（CL=2.5）。

H字段表示工作温度类型（此字段也可空白）。空白或L代表正常温度（0℃～70℃），I代表工业温度（-40℃～85℃）或扩大温度（-25℃～85℃）。

金士顿内存编码含义分析与内存常见单位换算方法

金士顿是世界著名的内存生产商，拥有一流的技术保证及优质的售后服务。金士顿发展至今各种内存型号较多，消费者可以从内存的编码中直接获取容量、外频速度等有效信息。

一、金士顿内存编码分析

现在以常见的品牌内存金士顿ValueRAM DDR内存编号为例：

编号为ValueRAM KVR400X64C25/256.

1、KVR代表kingston value RAM

2、外频速度

3、一般为X

4、64为没有ECC；72代表有ECC

5、有S字符表示笔记本专用内存，没有S字符表示普通的台式机或是服务器内存

6、3：CAS=3；2.5：CAS=2.5；2：CAS=2

7、分隔符号

8、内存的容量

金士顿ValueRAM SDRAM内存命名方式也和DDR一样。

二、内存常见单位换算

除了了解金士顿的编码含义之外，我们在选择内存时，还会碰到一些诸如：-5ns，内存带宽，PC-2100等计量单位。它们究竟代表什么含义？相关联的单位之间的换算关系是怎样的？下面我就为大家简单介绍一下。

Hz（赫兹）用来表示时钟频率，通常以MHz和GHz作为计量单位。 kHz 1000次/s（秒）

1kHz=1000Hz MHz 100万次/s（秒） 1MHz=1000kHz GHz 10亿次/s（秒） 1GHz=1000MHz ns（纳秒, ns为十亿分之一秒）通常用来表示物理内存和显存的存取速度。其值越小，极限工作频率就越高。

计算内存颗粒极限工作频率的公式是：

SDRAM极限工作频率=1000÷ns

DDRSDRAM的极限工作频率=（1000÷ns）＊2

DDRSDRAM在命名原则上也与SDRAM不同。SDRAM的命名是按照时钟频率来命名的，例如PC100与PC133。

而DDRSDRAM则是以数据传输量作为命名原则，例如PC2100以及PC2700，单位MB/s。

所以DDRSDRAM中的DDR266其实与PC2100是相同的规格，数据传输量为2128MB/s（64bit＊133MHz＊2÷8＝2128MBytes/s），而DDR333与PC2700也是一样的情形（64bit＊166MHz＊2÷8＝2656MBytes/s）。

分析三星内存的编码含义

三星品牌的内存具有一定的质量保证，因此获得不少消费者的青睐。但是，部分消费者购买三星内存之后，发现产品存在着容量虚标的情况。其实，这是因为消费者在选购时，不懂得鉴别而导致购买到仿冒产品的结果。为了避免这种情况发生在更多消费者的身上，我们必须学会解读内存编码的含义。

三星DDR内存颗粒的编号共分为四段数字或字母，19个部分组成。请看下面的三星内存编号示意图，图中有A、B、CDE和F为四段数字或字母，而19部分则是指包含在A、B、CDE和F四段数字或字母组成的编号，主要对内存规格进行说明。下面，就给大家分别解释。

首先来解释一下四段号码的大概含义。

A部分标明的是生产企业的名称－－SAMSUNG。

B部分说明的是该内存模组的生产日期，以三个阿拉伯数字的形式表现。其中第一个阿拉伯数字表明，生产的年份，后面两位数字表明是在该年的第XX周生产的。例如，上图中的446就该表示该模组是在04年的第46周生产的。如果三位数字是532，则表明该内存模组是05年第32周生产的。

C部分说明的是该内存的封装类型，由一个英文字母表示。该部分将分别以T、U、N、V、G、Z几个字母来代表不同的封装类型。其中T代表是TSOP2封装，U表示TOSP2（Lead-Free）封装，N表示sTSOP2封装，V表示sTOSP2（Lead-Free）封装，G表示FBGA封装，Z表示FBGA（Lead-Free）封装。

D部分说明是该内存模组的工作温度与功耗，由一个英文字母表示。该部分将以C和L两个字母来表示该内存颗粒的不同工作温度与功耗。其中C表示该内存模组为大众商用型内存，普通功耗，工作温度在0 °C~70 °C之间；L表示该内存模组也属于大众商业型，但却是低功耗，工作温度也在0 °C~70 °C之间。这部分标注为L的模组，在笔记本内存中比较常见。

E部分说明的是该内存模组的频率和各项延迟（即CL-tRCD-tRP），由两个英文字母或数字组成。该部分分别以A0、B0、A2、B3和CC这五个字母/数字组合来代表不同频率和延迟的DDR内存模组。其中，A0代表该模组的工作做频率为DDR-200（100MHz），延迟为2-2-2；B0代表DDR 266（133MHz），延迟为2.5-3-3；A2代表DDRDDR 266（133MHz），延迟为2-3-3；B3代表DDR333（166MHz），延迟为2.5-3-3；CC代表DDR400（200MHz），延迟为3-3-3。

F部分实际上是由8个小部分组成的，分别表示该内存模组的类型、容量、位宽、接口类型、工作电压等等内容。

应该说F部分是三星内存编号中传达内容最多的。由8个小部分构成，下面就来详细分解一下这8个小部分所代表的内容。

为了方便大家更好的理解编号中的含义，大家可以将表中标明的1-8个部分根据图中的内存编号对号入座。

第1部分用＂K＂表示的是内存，只要是三星内存，这部分永远都是＂K＂。

第2部分表示内存的类别，由一个数字或者字母组成。＂4＂表示的是DRAM；

第3部分表示的是内存的子类别，由字母＂T＂或＂H＂组成。＂T＂代表的是DDR2内存，＂H＂代表的是DDR内存。

第4部分表示的是内存的容量，由两个数字或者字母组成。根据容量的不同，该部分会出现＂28＂、＂51＂、＂1G、＂2G＂、＂4G＂这5个组合，其中＂28＂代表128MB，＂51＂代表512MB，＂1G＂代表1GB，＂2G＂代表2GB，＂4G＂代表4GB。

第5部分表示的是内存颗粒的位宽，由两连个数字组成。根据颗粒位宽不同，该部分会出现＂04＂、＂08＂和＂16＂三个组合。其中＂4＂表示是该颗粒只有4bit位宽，＂08＂表示该颗粒有8bit位宽，＂16＂则表示有16bit位宽。

第6部分代表的是逻辑bank数，由一个数字组成。3表示4 bank，4表示8 bank。 第7部分代表的是接口类型与工作电压，由一个数字或字母组成。＂8＂表示接口类型为SSTL_2，工作电压为2.5V；＂Q＂表示接口类型为SSTL，工作电压为1.8V。

第7部分代表的是接口类型与工作电压，由一个数字或字母组成。＂8＂表示接口类型为SSTL_2，工作电压为2.5V；＂Q＂表示接口类型为SSTL，工作电压为1.8V。第8部分代表产品的版本，由一个字母组成，并且，该处的字母在字母表中的位置越靠后，说明该内存颗粒的版本越新。到目前为止，三星内存颗粒一共有9个版本，分别以＂M、A、B、C、D、E、F、G、H＂9个字母表示，其中M代表第1版产品，而A-H则依次代表第2-9版。

根据以上我们对三星内存编号的了解，我们就能够知道图一中的内存颗粒的相关信息：256MB容量，8bit位宽，4bank，SSTL_2接口，2.5V工作电压，第六版，生产与05年第16周，TOSP2封装，大众商用型，普通功耗，工作温度在0 °C~70 °C之间，工作频率为200MHz（DDR400），延迟为3-3-3。

分析金邦金条内存编号含义

金邦成立至今先后推出的五种类型内存都受到硬件爱好者的热烈追捧，尤其是在国内推出的“金条”品牌更堪称经典。虽然金邦的内存产品较多，但我们从内存的芯片编号就可以大约知道该产品是否能满足自身的需求。

金邦金条分为＂金、红、绿、银、蓝＂五种内存条，各种金邦金条的SPD均是确定的，对应不同的主板。其中：

红色金条：PC133内存；

金色金条:针对PC133服务器系统，适合双处理器主板；

绿色金条:是PC100内存；

蓝A色金条:针对AMD750/760 K7系主板，面向超频玩家；

蓝V色金条:针对KX133主板；蓝T色金条针对KT-133主板；

银色金条:面向笔记本电脑的PC133内存。

现在以金邦金条内存芯片编号为例，教大家看金邦内存的编号。

金邦金条内存芯片编号

GL2000千禧条内存芯片编号

A字段表示产品类型。

GR8代表金邦金条应用的SDRAM内存；GP6代表GL2000千禧条应用的SDRAM内存；GL3代表GL2000千禧条应用的DDR SDRAM内存。

B字段表示工作电压、生产工艺。

C代表VCC电压为5V、CMOS工艺；F代表电压为5V、CMOS工艺；LC代表VDD电压为25V～3.3V、CMOS工艺；V代表VDD电压为2.5V、CMOS工艺。

C字段表示内存芯片容量。格式为：16M8（内存基粒总容量、容量单位、基粒数目）。

16表示内存基粒总容量，即基粒容量＊4 bank8表示基粒数目M表示容量单位，没有字母表示密度的单位为Bit，K表示密度的单位为Kbit，M表示密度的单位为Mbit，G表示密度的单位为Gbit。那么我们也就可以推算出内存芯片容量=内存基粒总容量＊基粒数目=16＊

8=128Mbit（16MB）。但是笔者发现新的GL2000千禧条的内存芯片上虽然标示着8G8.16G8.32G8.8G16或16G16，但是当中的G还只是代表Mbit，而不是代表Gbit。

D字段表示刷新速度。

4代表4K refresh8代表8K refresh。

E字段表示封装方式。

BP代表BLP封装；DJ代表SOJ封装；DW代表宽型SOJ封装；F代表54针4行FBGA封装；FB代表60针8＊16 FBGA封装；FC代表60针11＊13 FBGA封装；FP代表反转芯片封装；FQ代表反转芯片密封封装；F1代表62针2行FBGA封装；F2代表84针2行FBGA封装；LF代表90针FBGA封装；LG代表TQFP封装；R1代表62针2行微型FBGA封装；R2代表84针2行微型FBGA封装；TC代表TCSP封装；TG代表TSOP（第二代）封装；U代表μBGA封装。

F字段表示内存芯片的速度标识。

对于SDRAM而言：-6（6）代表6ns（PC160）-7（7）代表7ns（PC133）-8（8）代表8ns（PC100）。

对于DDR SDRAM而言：45代表PC35005代表PC72006A代表PC2700（CL2）6代表PC27007代表PC21008代表PC1600。

胜创内存主要种类及内存芯片编码含义

现在攒机爱好者购买电脑配件都会选择性价比较高的内存，盛创是不少攒机爱好者所青睐的品牌。因为市面上充斥着较多盛创名牌的假冒产品，所以聪明的消费者往往在选购时都会鉴别内存的质量，或衡量PCB板的做工，或看看焊接的质量等等，但请别忘了一个简单的方法，通过内存编号去了解相关信息。

胜创（KingMax）内存多是采用独有的TinyBGA封装。胜创SDRAM内存目前有100三种，胜创DDR SDRAM内存目前有400四种。大家要注意，胜创内存条上会有三种编号：标签编号（就是银色的那张）、内存芯片编号、电路板编号。其中，标签编号比较复杂不便于大家进行分辨，因此我们还是着重介绍内存芯片编号。

左图是SDRAM内存芯片、右图是DDR SDRAM内存芯片。

小知识：TinyBGA封装

TinyBGA（Tiny Ball Grid Array，小型球栅阵列封装）封装的内存，芯片是通过一个个锡球焊接在PCB板上。其大小是传统的TSOP封装内存的三分之一，在同等空间下TinyBGA封装可以将存储容量提高三倍，而且体积要小、更薄，其金属基板到散热体的最有效散热路径仅有0.36mm，线路阻抗也小，因此具有良好的超频性能和稳定性。另外，由于焊点和PCB板的接触面积较大，所以内存芯片在运行中所产生的热量可以很容易地传导到PCB板上并散发出去。TinyBGA封装形式的管脚结构有两种，早期是4＊11的结构，后期是3＊9的结构。

A字段由K组成，代表KingMax内存芯片的前缀。

B字段表示产品类型。S代表SDRAMD代表DDR SDRAM。

C字段主要有两种，分别是V和L。笔者也没研究出来是什么含义，只知道SDRAM的前三个字符是KSV，DDR SDRAM的前三个字符是KDL。

D字段表示单颗芯片的容量，格式为：地址空间＊数据宽度。

例如：24，第一个字符表示32Mbit地址空间，第二个字符表示4位数据宽度，将两者相乘即得出单颗内存芯片的容量为128Mbit（即16MB）。如果再乘上内存芯片的数量，就可以计算出KingMax内存条的总容量了。对于地址空间的字符表示格式：8代表8Mbit地址空间A和6均代表16Mbit地址空间2代表32Mbit地址空间。

对于数据宽度的字符表示格式：4代表4位数据宽度8代表8位数据宽度6代表16位数据宽度。

E字段表示内存芯片内部由几个Bank组成。4代表4Bank8代表8Bank。

F字段表示封装方式，T代表TinyBGA封装。

G字段代表的含义不详。

H字段代表的含义不详。

I字段表示制造工艺，此字段也可能空白。0和1代表0.18微米制造工艺2代表0.15微米制造工艺。

J字段代表内存芯片的内核版本号，此字段也可能空白。空白或A代表第1版B代表第2版C代表第3版。

K字段表示内存芯片的时钟频率。对于SDRAM内存芯片：-05代表PC-166-06代表PC-150-07A代表PC-133（CL=2）-07代表PC-133（CL=3）-08A代表PC-100（CL=2）-08代表PC-100（CL=3）。对于DDR SDRAM内存芯片：-07代表DDR-266（CL=2.5）-07A代表DDR-266（CL=2）或DDR-300（CL=2.5）-60代表DDR-300

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