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2024年3月21日发(作者：)

如何通过颗粒编号，识别当今现代（HYNIX）内存条规格

消费者通过查看颗粒编号的含义，以识别自己购买内存是否为正品的文章，已经很早就有人开

始写了。但随着现代新品颗粒的推出，以及对颗粒编号的调整，早期那些文章已经不能再担任帮助

消费者识别真伪的重任。而当今市场，不论是原厂还是兼容，使用现代HY内存颗粒的产品仍然十

分常见，再加上消费者因新编号定义不明，而受骗上当的例子仍然存在，因此，我们将对现代颗粒

的最新编号定义，对深圳市龙俊电子有限公司总代的现代SDRAM/DDR SDRAM/DDR2 SDRAM三

种主流内存颗粒的编号一一进行说明。

一、DDR SDRAM：

现在正值DDR SDRAM内存销售的鼎盛时期，颗粒制造厂稍有个风吹草动，都会影响到整个零

售市场的内存价格。现代的DDR SDRAM内存颗粒作为当今零售市场内存产品的主流选件，更是决

定着整个内存市场走势的关键。虽然，它并不是利润最高的产品，但由于是主流规格的原因，仍然

是内存经销商“走量”的首选产品。

我们以新近上市的现代DDR 500内存的颗粒编号为例。这种最新上市的DDR 500原厂现代内存，

采用了编号为HY5DU56822CT-D5的内存颗粒。从这组编号，我们可以了解到如下一些信息：这是

一款DDR SDRAM内存，容量256MB，使用了8颗粒结构，并占用2个bank数，封装方式则采

用了TSOP II结构。

究竟这些含义是如何被分辨出来的呢？下面我们就对现代DDR SDRAM内存的颗粒编号进行一

些说明。

HYNIX DDR SDRAM颗粒编号：

HY XX X XX XX X X X X X

1 2 3 4

X X - XX X

5 6 7 8 9 10 11 12 - 13 14

整个DDR SDRAM颗粒的编号，一共是由14组数字或字母组成，他们分别代表内存的一个重要

参数，了解了他们，就等于了解了现代内存。

颗粒编号解释如下：

1． HY是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。

2． 内存芯片类型：（5D=DDR SDRAM）

3． 处理工艺及供电：（V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V &

VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V）

4． 芯片容量密度和刷新速度：（64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；

56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新）

5． 内存条芯片结构：（4＝4颗芯片；8＝8颗芯片；16＝16颗芯片；32＝32颗芯片）

6． 内存bank（储蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank）

7． 接口类型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18）

8． 内核代号：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代）

9． 能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型）

10． 封装类型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm））

11． 封装堆栈：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J＝其它；M=MCP（Hynix）；

MU＝MCP（UTC））

12． 封装原料：（空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素）

13． 速度：（D43＝DDR400 3-3-3；D4=DDR400 3-4-4；J＝DDR333；M＝DDR333 2-

2-2；K＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR200）

14． 工作温度：（I=工业常温（-40 - 85度）；E=扩展温度（-25 - 85度））

本文标签： 颗粒内存编号空白

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