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2024年6月4日发(作者：)

内存参数终极优化之DDR篇

在一些超频的文章中经常介绍到内存的时序设置，如“2-3-3-5”、“2-3-3-6”

这一类的数字序列，这些是什么意思呢？如何对内存参数进行优化设置呢？还

有，有的会员问：“我买了杂牌内存，兼容性差，常常蓝屏或出现莫名其妙的问

题，如何解决呢？”，一梦浮生撰写本文的目的，就是想通过本文来帮助大家解

决这些问题的。

优化内存的延迟参数对PC性能的提高有很大帮助。优化内存是通过调节

BIOS中几个内存时序参数来实现的，如图：

在一些技术文章里介绍内存设置时序参数时，一般数字“A-B-C-D”分别对

应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”，现在你该明白“2-3-3-6”是什么意思了

吧？！^_^下面就这几个参数及BIOS设置中影响内存性能的其它参数逐一给大家

作一介绍：

一、内存延迟时序“CL-tRCD-tRP-tRAS”的设置

首先，需要在BIOS中打开手动设置，在BIOS设置中找到“DRAM Timing

Selectable”，BIOS设置中可能出现的其他描述有：Automatic Configuration、

DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等，将其值设为

“Menual”（视BIOS的不同可能的选项有：On/Off或Enable/Disable），如果

要调整内存时序，应该先打开手动设置，之后会自动出现详细的时序参数列表：

1、CL（CAS Latency）：“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”（可

能的选项：1.5/2/2.5/3）

BIOS中可能的其他描述为：tCL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay。

这个参数很重要，内存条上一般都有这个参数标记。在BIOS设置中DDR内存的

CAS参数选项通常有“1.5”、“2”、“2.5”、“3”几种选择，SDRAM则只有

“2”、“3”两个选项。较低的CAS周期能减少内存的潜伏周期以提高内存的工

作效率。因此只要能够稳定运行操作系统，我们应当尽量把CAS参数调低。反过

来，如果内存运行不稳定，可以将此参数设大，以提高内存稳定性。

电+脑*维+修-知.

识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)

2、tRCD（RAS-to-CAS Delay）“行寻址至列寻址延迟时间”（可能的选项：

2/3/4/5）

BIOS中的可能其他描述： tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD等。

数值越小，性能越好。

3、tRP(RAS Precharge Time): “内存行地址控制器预充电时间”（可能

的选项：2/3/4）

BIOS中的可能其他描述：tRP、RAS Precharge、Precharge to active。预

充电参数越小则内存读写速度就越快。

电+脑*维+修-知.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)

(RAS Active Time): “内存行有效至预充电的最短周期”（可能的

选项：1„„5/6/7„„15）

BIOS中的可能其他描述：tRAS、Active to Precharge Delay、Row Active

Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS

Active Time等。一般我们可选的参数选项有5，6或者7这3个，但是在一些

nForce 2 主板上的选择范围却很大，最高可到 15，最低达到 1。调整这个参数

需要结合具体情况而定，一般我们最好设在5－11之间。这个参数要根据实际情

况而定，并不是说越大或越小就越好。具体的调整要遵循以下两个原则：

a、当内存页面数为4时 ，tRAS设置短一些可能会更好，但最好不要小于5。

另外，短tRAS的内存性能相对于长tRAS可能会产生更大的波动性，对时钟频率

的提高也相对敏感；当内存页面数大于或等于8时，tRAS设置长一些会更好。

电

+脑*维+修-知.识_网(w_ww*dnw_xzs*co_m)

目前的芯片组都具备多页面管理的能力，所以如果可能，请尽量选择双

P-Bank的内存模组以增加系统内存的页面数量。但怎么分辨是单P-Bank还是双

P-Bank呢？就目前市场上的产品而言，256MB的模组基本都是单P-Bank的，双

面但每面只有4颗芯片的也基本上是单 P-Bank 的，512MB 的双面模组则基本都

是双 P-Bank的。

页面数量的计算公式为： P-Bank 数量X4，如果是Pentium4或AMD 64 的

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