戴尔笔记本开机警报

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2024年7月1日发(作者：)

BIOS芯片

您好 开机报警下面是报警的声音全部解释，你的可能是内存错误

一、1短声 —— 系统正常启动。

二、2短声 —— 常规错误。应进入CMOS重设错误选项。

三、1长1短声 —— RAM或主板出错。

四、1长2短声 —— 显示器或显卡错误。

五、1长3短声 —— 键盘控制器出错。

六、1长9短声 —— 主板FlashRAM或EPROM错误。

七、不间断长声 —— 内存未插好或有芯片损坏。

八、不停响声 —— 显示器未与显卡连接好。

九、重复短声 —— 电源故障。

十、无声且无显示 —— 无电源，或CMOS电池耗尽，或CPU出错。

1、如果声音长声不断响，有可能是内存条未插紧

2、如果声音快速短声响两次（例如滴、滴）：有可能是CMOS设置错误，需要重设，这种情

况出现最多，屏幕画面的底部（一般在左下）会出现英文提示“CMOS CHECKSUM FAILURE ”，

然后要求按F？（F？可能是F1－F12，视乎主板）载入默认设置或者进入。另外，刷新／更新

BIOS后也有可能出现这个问题，载入默认设置就好了。

3、如果声音是一长声 一短声的，有可能是内存或主板错误。

4、如果声音是一长声 两短声的，有可能是显示器或显卡错误。

5、如果声音是一长声 三短声，有可能是键盘控制器错误。

6、如果声音是一长声 九短声，有可能是主板BIOS的FLASH RAM 或EPROM错误。

1、如果声音只是一短声响，有可能是内存刷新故障。

2、如果声音是快速短声响两次，有可能是内存ECC校验错误。

3、如果声音是快速短声响两次，有可能是系统基本内存检查失败。

4、如果声音是快速短声响四次，有可能是系统时钟出错。

5、如果声音是快速短声响五次，有可能是CPU出现错误。

6、如果声音是快速短声响六次，有可能是键盘控制器错误。

7、如果声音是快速短声响七次，有可能是系统实模式错误。

8、如果声音是快速短声响八次，有可能是显示内存错误。

9、如果声音是快速短声响九次，有可能是BIOS芯片检验错误。

10、如果声音是一长声 三短声，有可能是内存错误。

NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储方案，这在不超过4GB的低容量应用中表现得犹为明显。

随着人们持续追求功耗更低、重量更轻和性能更佳的产品，使得NAND更具有吸引力。

工作原理

EPROM基本单元结构

闪存结合了EPROM的高密度和

EEPROM结构的变通性的优点。

EPROM是指其中的内容可以通过特殊手段擦去，然后重新写入。常采用浮空栅雪崩注入式MOS电

路，简称为FAMOS。它与MOS电路相似，是在N型基片上生长出两个高浓度的P型区，通过欧姆接触

分别引出源极S和漏极D。在源极和漏极之间有一个多晶硅栅极浮空在 绝缘层中，与四周无直接电气联接。

这种电路以浮空栅极是否带电来表示存1或者0，浮空栅极带电后（例如负电荷），就在其下面，源极和

漏极之间感应出正的导电沟道，使MOS管导通，即表示存入0.若浮空栅极不带电，则不能形成导电沟道，

MOS管不导通，即存入1。

EEPROM单元结构

EEPROM基本存储单元电路的工

作原理。与EPROM相似，它是在EPROM基本单元电路的浮空栅极的上面再生成一个浮空栅，前者称为

第一级浮空栅，后者称为第二级浮空栅。可给第二级浮空栅引出一个电极，使第二级浮空栅极接某一电压

VG。若VG为正电压，第一浮空栅极与漏极之间产生隧道效应，使电子注入第一浮空栅极，即编程写入。

若使VG为负电压，强使第一浮空栅极的电子散失，即擦除。擦除后可重新写入。

NAND闪存单元结构

闪存的基本单元电路与EEPROM

类似，也是由双层浮空栅MOS管组成。但是第一层栅介质很薄，作为隧道氧化层。写入方法与EEPROM

相同，在第二级浮空栅加正电压，使电子进入第一级浮空栅。读出方法与EPROM相同。擦除方法是在源

极加正电压利用第一级浮空栅与漏极之间的隧道效应，会注入到浮空栅的负电荷吸引到源极。由于利用源

极加正电压擦除，因此各单元的源极联在一起，这样，擦除不能按字节擦除，而是全片或者分块擦除。随

着半导体技术的改进，闪存也实现了单晶体管设计，主要就是在原有的晶体管上加入浮空栅和选择栅，

NAND闪存阵列分为一系列128kB的区块(block)，这些区块是NAND器件中最小的可擦除实体。擦除一

个区块就是把所有的位(bit)设置为“1”(而所有字节(byte)设置为FFh)。有必要通过编程，把已擦除的位从“1”

变为“0”。最小的编程实体是字节(byte)。一些NOR闪存能同时执行读写操作。虽然NAND不能同时执行

读写操作，它可以采用称为“映射(shadowing)”的方法，在系统级实现这一点。这种方法在个人电脑上已经

沿用多年，BIOS从速率较低的ROM加载到速率较高的RAM上。

优势

NAND的效率较高，是因为NAND串中没有金属触点。NAND闪存单元的大小比NOR要小(4F2：

10F2)的原因，是NOR的每一个单元都需要独立的金属触点。NAND与硬盘驱动器类似，基于扇区(页)，

适合于存储连续的数据，如图片、音频或个人电脑数据。虽然通过把数据映射到RAM上，能在系统级实

现随机存取，但是，这样做需要额外的RAM存储空间。此外，跟硬盘一样，NAND器件存在坏的扇区，

需要纠错码(ECC)来维持数据的完整性。

存储单元面积越小，裸片的面积也就越小。在这种情况下，NAND就能够为当今的低成本消费市场

提供存储容量更大的闪存产品。NAND闪存用于几乎所有可擦除的存储卡。NAND的复用接口为所有最新

的器件和密度都提供了一种相似的引脚输出。这种引脚输出使得设计工程师无须改变电路板的硬件设计，

就能从更小的密度移植到更大密度的设计上。

本文标签： 浮空可能错误栅极