笔记本内存条通用吗_内存条都通用吗

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2024年2月9日发(作者：)

笔记本内存条通用吗_内存条都通用吗

篇一：电脑内存条购置留意事项

电脑内存条购置留意事项

1. 尽量和你原来的笔记本要同品牌〔建议〕。

2. 容量可以不同，频率最好一样

3. 假如是嬉戏发烧友的话，不但以上参数要匹配，最好连内存条生产周都要一样，这样最稳定.

4.只要弄清晰你笔记本是DDR400 DDR2 800 DDR3 1333哪种类型的内存就好了。插槽不用去管。

5.首先看你的主板最大支持多大的内存，然后买同代、同频率的即可，品牌可以不同，因为都是通用的行业标准

6.要留意同代 同频率，一般就这两个7.

7.下载一个鲁大师之类的，硬件检测就可以看出来，DDR2 是内存类型，后面的数字是工作频率！百度搜寻了下，你的本本最多支持2G内存，依据你的本本型号，2代内存，极有可能是667MHZ的，你可以买800MHZ的，内存可以降频运用，便利以后升级！当然你买667的也没有问题！

篇二：笔记本电脑内存故障

笔记本电脑内存故障较少，尤其是原装内存。假如内存出现问题，系统将无法启动。依据运用的BIOS的不同，有不同的报警第1页 共15页

声，多数为连绵不断的长嘀 声，或者是连绵不断的短嘀声。

解决的方法是翻开内存槽的盖板更换内存，通常不用购置原装内存(价格昂贵)。留意笔记本电脑运用的内存与台式机不同，长度只有台式机内存的一半。

1．内存不标准：目前大多数笔记本电脑运用的是PC101或者PC133规格的内存；这些内存都应当有一个SPD芯片来存储内存的根本参数和规格，以供应BIOS识别和系统调用，但是一些杂牌的内存是没有SPD芯片或者是只用一块针脚一样的空芯片来冒充SPD芯片。这样的内存能用便是幸运，稳定性毫无保障，对于没有SPD芯片的内存，不管价格多么廉价都建议你不要购置。此外，有些较老的机器运用的是144针的EDO内存，这种内存和SDRAM 的封装完全一样，外观也看不出来，最高容量为128M，不过其工作电压为5V而不是SDRAM的3.3V，假如误插了SDRAM就很可能被烧毁。

2．内存的形态问题：主要是指内存的高度和厚度问题，因为采纳单面封装因此比拟薄，当年的一些笔记本电脑没有在内存插槽中预留足够的空间，结果就是此时此刻的大容量高板双面内存安装不下。

3．内存的兼容性问题：这个问题对于Compaq和IBM的超轻薄机器尤为常见，即使是KingSton；KingMax这样的内存大牌子也可能出现问题，因此最好不要不试机就盲目的买，插上内存条第2页 共15页

认到正确的容量是根本的要求，假如是机器都开不了的黑屏或者嘀嘀的报错那就根本不用考虑，然后将机器置于待机状态，看看能否正常的唤醒。最好是可以用一些内存测试软件〔引荐DocMem〕跑一下看看稳定性如何。

4．耗电量和发热问题：很多用户在升级内存后发觉自己的电池寿命缩短了，而且整机的发热加大，这主要是新参加的内存在工作的时候发热所至，通常两条内存的机器比一条内存的机器热一些〔两个发热源〕，而且内存工作的时候是须要耗电的，耗电量加大也是正常。

5．最大内存支持的问题：目前市面上所销售的笔记本电脑内存从单条64M到单条256M〔SDRAM〕都有。有时我们会遇到单条256M只认成128M的状况，这就是最大内存支持的问题，这个问题和主板的芯片组及笔记本电脑的BIOS都有关系，至于厂商的BIOS也对最大内存总量有影响，假如厂商在BIOS中限制了最大的内存量，那么无论如何都不行能超过这个设置。

6．关于专用内存：专用内存通常用于超轻薄的小机器，是厂商为了减小机器的体积而设计的，Toshiba，SONY，Fujitsu和

Sharp等日系厂家最喜爱这样做。而欧美的厂家那么极少有采纳专用内存的产品。

由于是为特定机器定做，这些内存的本钱较高，相应的售价昂贵，但是不会有兼容性和质量问题，在选购内存之前，请留意第3页 共15页

你自己的机器是否是专用内存。下列图就是SONY和Toishiba机器专用内存与笔记本电脑通用SODIMM内存的比拟。

篇三：各种内存的区分

ROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM是Read Only Memory的缩写，RAM是Random Access Memory的缩写。

ROM在系统停顿供电的时候仍旧可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丧失数据，典型的RAM就是计算

机的内存。

RAM

有两大类，一种称为静态RAM〔StaticRAM/SRAM〕，SRAM速度特别快，是目前读写最快的存储设备了，但

是它也特别昂贵，所以只在要求很苛刻的地方运用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。另一种称为动态RAM〔

Dynamic RAM/DRAM〕，DRAM保存数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从

价格上来说DRAM相比SRAM要廉价许多，计算机内存就是DRAM的。 DRAM分为许多种，常见的主要有FPRAM/FastPage、 EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，这里介绍其中的一种DDR RAM。

DDR RAM〔Date-Rate RAM〕也称作DDR SDRAM，这种改良型的RAM和SDRAM是根本一样的，不同之处在于它可

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以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。这是目前电脑中用得最多的内存，而且它有

着本钱优势，事实上击败了Intel的另外一种内存标准－Rambus DRAM。在许多高端的显卡上，也配备了高速

DDR RAM来提高带宽，这可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染实力。

内存工作原理：

内存是用来存放当前正在运用的〔即执行中〕的数据和程序，我们平常所提到的计算机的内存指的是动态内

存〔即DRAM〕，动态内存中所谓的动态，指的是当我们将数据写入DRAM后，经过一段时间，数据会丧失，因

此须要一个额外设电路进展内存刷新操作。详细的工作过程是这样的：一个DRAM的存储单元存储的是0还是1取

决于电容是否有电荷，有电荷代表1，无电荷代表0。但时间一长，代表1的电容会放电，代表0的电容会汲取电

荷，这就是数据丧失的缘由；刷新操作定期对电容进展检查，假设电量大于满电量的1／2，那么认为其代表1，并把

电容充溢电；假设电量小于1／2，那么认为其代表0，并把电容放电，藉此来保持数据的连续性。

ROM

也有许多种，PROM是可编程的ROM，PROM和EPROM〔可擦除第5页 共15页

可编程ROM〕两者区分是，PROM是一次性的，也就是 软件灌入后，就无法修改了，这种是早期的产品，此时此刻已经不行能运用了，而EPROM是通过紫外光的照耀擦出原

先的程序，是一种通用的存储器。另外一种EEPROM是通过电子擦出，价格很高，写入时间很长，写入很慢。

举个例子，手机软件一般放在EEPROM中，我们打电话，有些最终拨打的号码，短暂是存在SRAM中的，不是立刻

写入通过记录〔通话记录保存在EEPROM中〕，因为当时有很重要工作〔通话〕要做，假如写入，漫长的等待是让

用户忍无可忍的。

DRAM

利用MOS管的栅电容上的电荷来存储信息，一旦掉电信息会全部的丧失，由于栅极会漏电，所以每隔必须的时间就须要一个刷新机构给这些栅电容补充电荷，并且每读出一次数据之后也须要补充电荷，这个就叫动态刷新，所以称其为动态随机存储器。由于它只运用一个MOS管来存信息，所以集成度可以很高，容量能够做的很大。SDRAM比它多了一个与CPU时钟同步。

SRAM

利用存放器来存储信息，所以一旦掉电，资料就会全部丧失，只要供电，它的资料就会始终存在，不须要动态刷新，所以叫静态随机存储器。

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以上主要用于系统内存储器，容量大，不须要断电后仍保存数据的。

PSRAM

PSRAM ，假静态随机存储器。具有一个单晶体管的DRAM储存格，与传统具有六个晶体管的SRAM储存格或是四个晶体管与two-load

resistor SRAM储存格大不一样，但它具有类似SRAM的稳定接口，内部的DRAM架构赐予PSRAM一些比low-power 6TSRAM优异的特长，例如体积更为灵巧，售价更具竞争力。目前在整体SRAM市场中，有90%的制造商都在生产PSRAM组件。在过去两年，市场上重要的SRAM/PSRAM供货商有Samsung、Cypress、Renesas、Micron与Toshiba等。

根本原理：PSRAM就是伪SRAM，内部的内存颗粒跟SDRAM的颗粒相像，但外部的接口跟SRAM相像，不须要SDRAM那样困难的限制器和刷新机制，PSRAM的接口跟SRAM的接口是一样的。

PSRAM容量有8Mbit,16Mbit,32Mbit等等，容量没有SDRAM那样密度高，但确定是比SRAM的容量要高许多的，速度支持突发模式，并不是很慢，Hynix，Coremagic, WINBOND .MICRON. CY等厂家都有供给，价格只比一样容量的SDRAM稍贵一点点，比SRAM廉价许多。

PSRAM主要应用于手机，电子词典，掌上电脑，第7页 共15页

PDA,3/4,GPS接收器等消费电子产品与SRAM(采纳6T的技术)相比,PSRAM采纳的是1T+1C的技术,所以在体积上更小,同时,PSRAM的I/O接口与SRAM一样.在容量上,目前有4MB,8MB,16MB,32MB,64MB和128MB。比拟于SDRAM,PSRAM的功耗要低许多。所以对于要求有必须缓存容量的许多便携式产品是一个志向的选择。

FLASH

存储器又称闪存，它结合了ROM和RAM的特长，不仅具备电子可擦除可编程〔EEPROM〕的性能，还不会断电丧失

数据同时可以快速读取数据〔NVRAM的优势〕，U盘和MP3里用的就是这种存储器。在过去的20年里，嵌入式系统始终运用ROM〔EPROM〕作为它们的存储设备，然而近年来Flash全面代替了ROM〔EPROM〕在嵌入式系统中的地位，用作存储Bootloader以及操作系统或者程序代码或者干脆当硬盘运用〔U盘〕。

Flash ROM

是利用浮置栅上的电容存储电荷来保存信息，因为浮置栅不会漏电，所以断电后信息仍旧可以保存。也由于其机构简洁所以集成度可以做的很高，容量可以很大。Flash rom写入前须要用电进展擦除，而且擦除不同与EEPROM可以以byte(字节)为单位进展，flash rom只能以sector(扇区)为单位进展。不过其写入时可以byte为单位。flash rom主要用于bios，U盘，Mp3等须第8页 共15页

要大容量且断电不丢数据的设备。目前Flash主要有两种NOR

Flash和NADN Flash。NOR Flash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样，用户可以干脆运行装载在NOR FLASH里面的代码，这样可以削减SRAM的容量从而节约了本钱。

NAND Flash没有采纳内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一块的形式来进展的，通常是一次读取512个字节，采纳这种技术的Flash比拟廉价。用户不能干脆运行NAND Flash上的代码，因此好多运用NAND Flash的开发板除了运用NAND Flah以外，还作上了一块小的NOR Flash来运行启动代码。 一般小容量的用NOR Flash，因为其读取速度快，多用来存储操作系统等重要信息，而大容量的用NAND FLASH，最常见的NAND FLASH应用是嵌入式系统采纳的DOC〔Disk On Chip〕和我们通常用的闪盘，可以在线擦除。目前市面上的FLASH 主要来自Intel，AMD，Fujitsu和Toshiba，而生产NAND Flash的主要厂家有Samsung和Toshiba。

NAND Flash和NOR Flash的比拟

NOR和NAND是此时此刻市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于11018年首先开发出NOR flash技术，彻底变更了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，11019年，东芝公司发表了NAND flash构造，强调降低每比特的本钱，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，第9页 共15页

仍旧有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。象flash存储器经常可以与相NOR存储器互换运用。很多业内人士也搞不清晰NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处，因为大多数状况下闪存只是用来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合一些。而NAND那么是高数据存储密度的志向解决方案。

NOR是此时此刻市场上主要的非易失闪存技术。NOR一般只用来存储少量的代码；NOR主要应用在代码存储介质中。NOR的特点是应用简洁、无需特地的接口电路、传输效率高，它是属于芯片内执行(XIP, eXecute In Place)，这样应用程序可以干脆在〔NOR型〕flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。在1～4MB的小容量时具有很高的本钱效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。NOR flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很简单地存取其内部的每一个字节。NOR flash占据了容量为1～16MB闪存市场的大局部。

NAND构造能供应极高的单元密度，可以到达高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理和须要特别的系统接口。

1、性能比拟:

flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进展擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进展，所以大多数状况下，在进展写入操作之前必需第10页 共15页

先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是非常简洁的，而NOR那么要求在进展擦除前先要将目标块内全部的位都写为1。

由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进展的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进展的，执行一样的操作最多只须要4ms。执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距，统计说明，对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时)，更多的擦除操作必需在基于NOR的单元中进展。这样，中选择存储解决方案时，设计师必需权衡以下的各项因素：

● NOR的读速度比NAND稍快一些。

● NAND的写入速度比NOR快许多。

● NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。

● 大多数写入操作须要先进展擦除操作。

● NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。

(注：NOR FLASH SECTOR擦除时间视品牌、大小不同而不同，比方，4M FLASH，有的SECTOR擦除时间为60ms，而有的须要最大6s。)

2、接口差异:

NOR flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很简单地存取其内部的每一个字节。

NAND器件运用困难的I/O口来串行地存取数据，各个产品或第11页 共15页

厂商的方法可能各不一样。8个引脚用来传送限制、地址和数据信息。NAND读和写操作采纳512字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作，很自然地，基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。

3、容量和本钱:

NAND flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半，由于生产过程更为简洁，NAND构造可以在给定的模具尺寸内供应更高的容量，也就相应地降低了价格。

NOR flash占据了容量为1～16MB闪存市场的大局部，而NAND

flash只是用在8～128MB的产品当中，这也说明NOR主要应用在代码存储介质中，NAND适合于数据存储，NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC存储卡市场上所占份额最大。

4、牢靠性和耐用性:

采纳flahs介质时一个须要重点考虑的问题是牢靠性。对于须要扩展MTBF的系统来说，Flash是特别适宜的存储方案。可以从寿命(耐用性)、位交换和坏块处理三个方面来比拟NOR和NAND的牢靠性。

A) 寿命(耐用性)

在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百零一万次，而NOR的擦写次数是十万次。NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势，典型的NAND块尺寸要比NOR器件小8倍，每个NAND第12页 共15页

存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。

B) 位交换

全部flash器件都受位交换现象的困扰。在某些状况下(很少见，NAND发生的次数要比NOR多)，一个比特(bit)位会发生反转或被报告反转了。一位的改变可能不很明显，但是假如发生在一个关键文件上，这个小小的故障可能导致系统停机。

假如只是报告有问题，多读几次就可能解决了。当然，假如这个位真的变更了，就必需采纳错误探测/错误更正(EDC/ECC)算法。位反转的问题更多见于NAND闪存，NAND的供给商建议运用NAND闪存的时候，同时运用EDC/ECC算法。这个问题对于用NAND存储多媒体信息时倒不是致命的。当然，假如用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其他敏感信息时，必需运用EDC/ECC系统以确保牢靠性。

C) 坏块处理

NAND器件中的坏块是随机分布的。以前也曾有过消退坏块的努力，但发觉成品率太低，代价太高，根本不划算。NAND器件须要对介质进展初始化扫描以发觉坏块，并将坏块标记为不行用。在已制成的器件中，假如通过牢靠的方法不能进展这项处理，将导致高故障率。

5、易于运用:

可以特别干脆地运用基于NOR的闪存，可以像其他存储器那第13页 共15页

样连接，并可以在上面干脆运行代码。

由于须要I/O接口，NAND要困难得多。各种NAND器件的存取方法因厂家而异。

在运用NAND器件时，必需先写入驱动程序，才能接着执行其他操作。向NAND器件写入信息须要相当的技巧，因为设计师绝不能向坏块写入，这就意味着在NAND器件上自始至终都必需进展虚拟映射。

6、软件支持:

当探讨软件支持的时候，应当区分根本的读/写/擦操作和高一级的用于磁盘仿真和闪存管理算法的软件,包括性能优化。在NOR器件上运行代码不须要任何的软件支持，在NAND器件上进展同样操作时，通常须要驱动程序，也就是内存技术驱动程序(MTD)，NAND和NOR器件在进展写入和擦除操作时都须要MTD。运用NOR器件时所须要的MTD要相对少一些，很多厂商都供应用于NOR器件的更高级软件，这其中包括M-System的TrueFFS驱动，该驱动被Wind River System、Microsoft、QNX Software System、Symbian和Intel等厂商所采纳。驱动还用于对DiskOnChip产品进展仿真和NAND闪存的管理，包括纠错、坏块处理和损耗平衡。

NOR FLASH的主要供给商是INTEL ,MICRO等厂商，曾经是FLASH的主流产品，但此时此刻被NAND FLASH挤的比拟难过。它的优点是可 以干脆从FLASH中运行程序，但是工艺困难，价格比第14页 共15页

拟贵。

NAND FLASH的主要供给商是SAMSUNG和东芝，在U盘、各种存储卡、MP3播放器里面的都是这种FLASH，由于工艺上的不同，它比NOR FLASH拥有更大存储容量，而且廉价。但也有缺点，就是无法寻址干脆运行程序，只能存储数据。另外NAND FLASH特别简单出现坏区，所以须要有校验的算法。

在掌上电脑里要运用NAND FLASH 存储数据和程序，但是必需有NOR FLASH来启动。除了SAMSUNG处理器，其他用在掌上电脑的主流处理器还不支持干脆由NAND FLASH 启动程序。因此，必需先用一片小的NOR FLASH 启动机器，在把OS等软件从NAND

FLASH 载入SDRAM中运行才行，挺麻烦的。

《笔记本内存条通用吗》

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