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2024年3月9日发(作者：)
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如何区分内存条的型号及大小
A局部标明的是消费此颗粒企业的名称——Hynix。B局部标明的是该内存模组的消费日期，以三个阿拉伯数字的形式表现。第一个阿拉伯数字表示消费的年份，后面两位数字说明是在该年的第XX周消费出来的。如上图中的517表示该模组是在05年的第17周消费的。
C局部表示该内存颗粒的频率、延迟参数。由1-3位字母和数字共同组成。其根据频率、延迟参数不同，分别可以用“D5、D43、D4、J、M、K、H、L〞8个字母/数字组合来表示。其含义分别为D5代表DDR500〔250MHz〕，延迟为3-4-4；D43代表DDR433〔216MHz〕，延迟为3-3-3；D4代表DDR400〔200MHz〕，延迟为3-4-4；J代表DDR333〔166MHz〕，延迟为2.5-3-3；M代表DDR266〔133MHz〕，延迟为2-2-2；K代表DDR266A〔133MHz〕，延迟为2-3-3；H代表DDR266B〔133MHz〕，延迟为2.5-3-3；L代表DDR200〔100MHz〕，延迟为2-2-2。
D局部编号实际上是由12个小局部组成，分别表示内存模组的容量、颗粒的位宽、工作电压等信息。详细详细内容如图二所示。
D局部编号12个小局部分解示意图
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采用现代颗粒的内存颗粒特写
第1局部代表该颗粒的消费企业。“HY〞是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代消费制造。第2局部代表产品家族，由两位数字或字母组成，“5D〞表示为DDR内存，“57〞表示为SDRAM内存。
第3局部代表工作电压，由一个字母组成。其中含义为V代表VDD=3.3V & VDDQ=2.5V； U代表VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W代表VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S代表VDD=1.8V & VDDQ=1.8V来分别代表不同的工作电压。
第4局部代表内存模组的容量和刷新设置，由两位数字或字母组成。对于DDR内存，分别由“64、66、28、56、57、12、1G〞来代表不同的容量和刷新设置。其中含义为：64代表64MB容量，4K刷新；66代表64MB容量，2K刷新； 28代表128MB容量，4K刷新；56代表256MB容量，8K刷新；57代表256MB容量，4K刷新；12代表512MB容量，8K刷新；1G代表1GB容量，8K刷新。
第5局部代表该内存颗粒的位宽，由1个或2个数字组成。分为4种情况，分别用“4、8、16、32〞来分别代表4bit、8bit、16bit和32bit。
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第6局部表示的是Bank数，由1个数字组成。有三种情况，分别是“1〞代表2 bank，“2〞代表4 bank，“4〞代表8 bank。
第7局部代表接口类型，由一个数字组成。分为三种情况，分别是“1〞代表SSTL_3，“2〞代表SSTL_2；“3〞代表SSTL_18。
第8局部代表该颗粒的版本，由一个字母组成，这局部的字母在26个字母中的位置越*后，说明该内存颗粒的版本越新，目前为止HY内存共有5个版本，表如今编号上，空白表示第一版，“A〞表示第二版，依次类推，到第5版那么有“D〞来代表。购置内存的时候版本越说明新电器性能越好。
第9局部代表的是功耗，假如该局部是空白，那么说明该颗粒的功耗为普通，假如该局部出现了“L〞字母，那么代表该内存颗粒为低功耗。
第10局部代表内存的封装类型，由一个或两个字母组成。由“T〞代表TOSP封装，“Q〞代表LOFP封装，“F〞代表FBGA封装，“FC〞代表FBGA〔UTC：8 x 13mm〕封装。
第11局部代表堆叠封装，由一个或两个字母组成。空白代表普通；S代表Hynix；K代表M&T；J代表其它；M代表MCP〔Hynix〕；3
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MU代表MCP〔UTC〕。
第12局部代表封装材料，由一个字母组成。空白表示普通，“P〞代表铅，“H〞代表卤素，“R〞代表铅和卤素。
总的说来，其实只要记住第2、3、6和C局部等几处数字的实际含义，就能很轻松对使用现代DDR SDRAM内存颗粒的产品进展区分。尤其是C局部数字，它将很明确的告诉你,这款内存实际的最高工作状态是多少。
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