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2024年6月25日发(作者：)

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明导宣布支持三星14nm IC制造工艺的综

合设计实现平台出台

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来源：《工业设计》2013年第01期

俄勒冈州威尔逊维尔，2012年12月21日——明导公司（Mentor Graphics Corp，纳斯达

克代码：MENT）今天宣布，用以支持三星14nm IC制造工艺的综合设计、制造与后流片实现

（post tapeout）平台问世，这一平台能够为客户提供完整的从设计到晶圆的并行流程，使早期

加工成为可能。完全可互操作的Mentor®流程可帮助客户实现快速设计周期和晶圆生产的一次

性成功。

明导专门用于三星14nm晶圆优化的解决方案，包含设计规则检查（DRC）、LVS查验、

提取、可制造性设计（DFM）和先进填充等功能的Calibre®平台，以及Tessent®可测试性设

计（DFT）套件和良率分析工具。

“三星和明导合作加速设计实现与制造合作优化技术已经有多年了，我们在14nm 节点上

的合作比以往更加重要。”三星电子公司器件解决方案部与系统LSI基础设施设计中心高级副

总裁Kyu-Myung Choi博士表示。“14nm的设计规则极其复杂，在引入了FinFETs以及双重图

形（DP）层后。在目标晶圆代工厂的制造工艺中，物理设计、验证和测试工具这三者的紧密

协调至关重要。由于三星还在自己的IC开发中使用了明导的Calibre解决方案，所以使用它的

设计师将能得到精确及时的反馈，以便实现设计流程的同步优化。”

Calibre平台创建了分解后的双重图形（DP）版图，符合三星所有14nm光刻技术的要

求，并且专为三星的掩模综合和OPC工艺作了微调，后者在14nm中的工艺也由明导提供。这

一平台还能快速向设计师提供关于FinFETs复杂设计规则的反馈信息，并就消除DFM光刻差

错提供具体指导，以便更快、更精确地修复差错。用于LVS和提取的Calibre工具经过了校

准，以确保符合三星FinFETs的精确设计和寄生模型，消除使用其他工具可能产生的有重大影

响的“重复计数”。而且，Calibre SmartFill还通过智能布局填充结构以实现平面性来确保在设计

中不会出现CMP问题，同时最小程度的减少时序问题。

之前在Tessent单元识别（cell-aware）测试工具方面的合作，提高了14nm的新单元内部

结构的测试质量，并且提高了测试向量压缩，从而控制较大的14nm晶圆设计的测试成本。明

导与三星还通过在Tessent工具与Calibre图形匹配设施之间交换信息，在设计收尾过程中利用

生产测试诊断来迅速识别并消除因设计原因造成的良率限制问题。

“明导与三星通过紧密合作，已经能够为我们的客户提供与三星14nm制造工艺并行的所

有必要的平台技术。”明导国际副总裁兼硅晶设计部总经理Joseph Sawicki表示。“为了提供能

够符合14nm一切要求的设计生态系统，这种层次的合作是绝对必要的。”

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本文标签： 设计实现明导制造

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