admin管理员组文章数量:1534214
2024年6月8日发(作者：)
证券研究报告 | 行业周报
2021年06月27日
电子
国产化+景气度，两条主线！
伴随着5G技术升级和国产厂商崛起，国产射频器件迎来战略良机。原本
4G时代射频器件主要受海外龙头主导，随着5G技术升级、国产厂商崛起，
国内厂商在射频器件领域逐步打开局面，迎来战略良机。5G射频具有广阔
空间，且将获得越来越广泛的应用，国内一批具有持续竞争力和研发转化效
率的射频厂商有望崛起。
从器件到模组，国产射频芯片在国内品牌手机及三星手机实现突破。2021
年6月，三星发布新一代A系列手机Galaxy A22，三星首次采用大陆厂商
慧智微的高集成度5G L-PAMiF射频模组。2021年5月，三星Galaxy F52 (5G)
主板上拥有三颗来自飞襄科技的射频PA芯片。荣耀V40是荣耀独立后的首
款手机，搭载飞襄科技的PA芯片。唯捷创芯的射频功率放大器模组产品已
应用于小米、 OPPO、 vivo等智能手机品牌公司以及华勤通讯、龙旗科技、
闻泰科技等领先的ODM厂商。
中国大陆现有晶圆产能比例较低，有望进入快速增长阶段。根据集微网统计，
2020年全球12英寸晶圆产能约590万片/月，8英寸晶圆产能约510万片/
月。2020年中国大陆本土厂商12英寸晶圆产能约38.8万片/月，所有已宣
布中国大陆本土厂商12英寸晶圆产能的合计目标145.4万片/月，意味着中
国大陆将有大量的增量产能即将逐步投建、释放。
2021~2022年全球合计新投建29座晶圆厂，全球晶圆厂进入加速投建阶
段。根据semi统计，到2022年全球将新扩建29座晶圆厂，其中2021年
开始投建19座，2022年开始投建10座。新建晶圆厂中产能最高可达每月
40万片，29座晶圆厂建成后，全球晶圆约产能会增长260万片/月。
国内设备国产化逐渐起航，从0到1的过程基本完成。北方华创刻蚀、沉
积、炉管持续放量；中微公司CCP打入TSMC，ICP加速放量；精测电子产
品迭代加速，OCD、电子束进展超预期；华峰测控订单饱满，新机台加速放
量。Mattson（屹唐半导体）在去胶设备市占率全球第二。盛美半导体、至
纯科技清洗设备逐步放量。精测电子、上海睿励在测量领域突破国外垄断。
沈阳拓荆PECVD打入生产线量产，ALD有望突破。
2021年全球半导体制造商资本开支大幅增长，当前的行业热潮有望成为新
一轮产业跃升的开端。根据SEMI，2020年全球半导体资本开支规模约1070
亿美元，2021年预计同比增长31%至超过1400亿美元。龙头Capex进入
上行期，台积电、中芯国际纷纷增加资本开支带来设备、材料需求快速增长，
2020年全球半导体设备市场规模创700亿美元新高，大陆首次占比（26.2%）
全球第一。海外龙头垄断设备市场，国内设备国产化从0到1基本完成，国
产替代空间快速打开，国内核心设备公司成长可期。
高度重视国内半导体产业格局将迎来空前重构、变化，以及消费电子细分赛
道龙头：1）半导体核心设计：光学芯片、存储、模拟、射频、功率、FPGA、
处理器及IP等产业机会；2）半导体代工、封测及配套服务产业链；3）VR、
Miniled、面板、光学、电池等细分赛道；4）苹果产业链核心龙头公司。
风险提示：下游需求不及预期、中美科技摩擦。
增持（维持）
行业走势
作者
分析师 郑震湘
执业证书编号：S2
邮箱：***********************
分析师 佘凌星
执业证书编号：S1
邮箱：********************
分析师 陈永亮
执业证书编号：S2
邮箱：**********************
相关研究
1、《电子：Mini LED：开启光电产业的新纪元》
2021-06-05
2、《电子：国产链加速起航，长期成长性可期—半导体
设备及材料中期策略》2021-06-04
3、《电子：代工厂资本支出上行，半导体设备材料需求
相继受益》2021-05-30
请仔细阅读本报告末页声明
2021年06月27日
内容目录
一、射频国产化迎来良机，下游有望快速放量突破 .................................................................................................... 3
二、全球晶圆厂迎来投建热潮，大陆设备国产化加速............................................................................................... 10
三、科技股报审，众多潜在优质标的值得挖掘......................................................................................................... 17
四、投资建议 ....................................................................................................................................................... 18
五、风险提示 ....................................................................................................................................................... 20
图表目录
图表1：唯捷创芯产品演变过程
............................................................................................................................... 3
图表2：慧智微5G Sub-6GHz新频段射频前端解决方案
............................................................................................. 4
图表3：OPPO K7x主板背面主要IC，其中3号是慧智微射频前端芯片
....................................................................... 5
图表4：Galaxy F52 (5G)中的飞襄科技芯片
.............................................................................................................. 5
图表5：荣耀V40主板正面主要IC，其中7号为飞襄科技的PA芯片
.......................................................................... 6
图表6：射频市场龙头分布情况
............................................................................................................................... 6
图表7：美版及国行iPhone12及12 mini支持的频段情况
.......................................................................................... 7
图表8：LTE及5G对于射频器件的需求(单位：个)
.................................................................................................... 7
图表9：射频发射模组技术演进
............................................................................................................................... 8
图表10：M/H LPAMiD开盖图
.................................................................................................................................. 8
图表11：射频接收模组技术演进
............................................................................................................................. 9
图表12：全球射频前端市场规模预测（亿美元）
...................................................................................................... 9
图表13：全球射频开关销售收入（亿美元）
........................................................................................................... 10
图表14：射频低噪声放大器收入（亿美元）
........................................................................................................... 10
图表15：国内晶圆厂投建扩产计划
........................................................................................................................ 11
图表16：2021~2022年全球新扩晶圆厂数量
.......................................................................................................... 12
图表17：全球半导体设备季度销售额（亿美元）
.................................................................................................... 13
图表18：全球半导体设备分地域季度销售额（亿美元）
.......................................................................................... 13
图表19：中国大陆半导体设备市场规模
................................................................................................................. 14
图表20：2021-2022年晶圆厂前道设备支出持续增长
............................................................................................. 14
图表21：半导体器件制造商资本支出（百万美元）
................................................................................................. 14
图表22：晶圆代工企业资本开支（百万美元）
....................................................................................................... 15
图表23：全球半导体设备厂商排名
........................................................................................................................ 15
图表24：国产半导体设备供需存在较大差距
........................................................................................................... 16
图表25：全球关键半导体设备市场规模（亿美元）与代表厂商
................................................................................ 16
图表26：国产设备替代进程
.................................................................................................................................. 17
图表27：IPO审核通过尚未发行的电子公司
........................................................................................................... 17
P.2 请仔细阅读本报告末页声明
2021年06月27日
一、射频国产化迎来良机，下游有望快速放量突破
伴随着5G技术升级和国产厂商崛起，国产射频器件逐步实现了实质上的商用、放量突
破。原本4G时代射频器件主要受海外龙头主导，随着5G技术升级、国产厂商崛起，国
内厂商在射频器件领域逐步打开局面，迎来战略良机。5G射频具有广阔空间，且将获得
越来越广泛的应用，国内一批具有持续竞争力和研发转化效率的射频厂商有望崛起。
根据卓胜微财报，2021Q1业绩超市场预期。净利润的大幅增长一方面得益于5G带动
射频前端市场需求的快速增长，此外在公司分立射频器件竞争优势、高毛利tunner占比
提升保持的同时，射频模组市场化进程加速推进，2020年全年营收占比已达到10%。
其中接收端模组在20Q4单季度收入占比已超过34%，tunner switch产品在2020年开
关收入占比超过55%。
卓胜微竞争优势明显，有望加速成长。5G射频前端市场广阔市场空间下，卓胜微作为目
前A股射频芯片前端龙头标的，研发转化效率高，竞争优势明显，同时具备全球主流安
卓手机品牌客户优势、中国是最大的半导体应用下游市场双重优势。在国产替代加速推
进背景下，卓胜微作为最受益标的之一，未来有望持续加速成长
唯捷创芯产品快速迭代演变，射频功率放大器业务国内领先。唯捷创芯是射频前端设计
企业，主要为客户提供射频功率放大器模组产品，同时供应射频开关芯片、 Wi-Fi 射频
前端模组等集成电路产品，公司的产品已应用于小米、 OPPO、 vivo等智能手机品牌公
司以及华勤通讯、龙旗科技、闻泰科技等领先的ODM厂商。根据公司公告，2020年公
司营业收入18.1亿元，其中射频功率放大器模组为18.0亿元。
图表1：唯捷创芯产品演变过程
资料来源：公司公告，国盛证券研究所
慧智微累计可重构射频前端芯片超2亿。慧智微电子成立于2011年11月，是全球领先
的4G/5G射频前端方案提供商，基于可重构技术平台，推出面向4G/5G 和NB-IoT的系
P.3 请仔细阅读本报告末页声明
2021年06月27日
列射频前端芯片。通过近十年的自主创新和技术积累，慧智微目前已在全球率先实现技
术突破及规模商用，累计可重构射频前端芯片出货超2亿颗。
三星搭载首颗大陆厂商高级程度5G L-PAMiF射频模组。2021年6月，三星发布新一
代A系列手机Galaxy A22。作为支持全球5G频段的手机，Galaxy A22采用了慧智微5G
Sub-6GHz的射频前端模组，这也是三星首次采用大陆厂商的高集成度5G L-PAMiF射频
模组。本次Galaxy A22采用慧智微全套5G新频段解决方案共包括4颗芯片，一颗用于
发射及接收的芯片，三颗用于接收，集成了PA、LNA、滤波器、SRS开关、天线开关等
模块，是集成度最高的5G模组。
图表2：慧智微5G Sub-6GHz新频段射频前端解决方案
资料来源：公司官网，国盛证券研究所
国产手机开始搭载国产5G射频芯片。OPPO K7x于2020年11月推出。OPPO K7x采
用了慧智微电子S55255，是慧智微支持n77/n79频段的射频前端模组，集成PA、LNA、
射频收发开关、滤波器等。这是eWishTech在拆解5G手机以来，首次见到国产5G射
频芯片在手机上面应用。
P.4 请仔细阅读本报告末页声明
2021年06月27日
图表3：OPPO K7x主板背面主要IC，其中3号是慧智微射频前端芯片
资料来源：eWishTech，国盛证券研究所
飞骧科技实现5G全系列射频产品研发和国产工艺商用。飞骧科技是国内老牌射频前端
芯片厂商，前身是国民技术无线射频事业部，拥有10年的射频前端产品的研发和销售
历史，产品涵盖2G、3G、4G、5G、WiFi、IoT的功率放大器芯片等领域，目前已经实
现了5G全系列射频产品的研发成功和国产工艺的5G商用。
飞骧科技深耕国产化供应链，与三安光电砷化镓工艺紧密合作进步。射频前端的核心工
艺是砷化镓，飞骧科技深耕国产化供应链，坚持采用国产三安砷化镓工艺长达5年时间，
4G时代已使用国产工艺累计出货达数亿颗射频芯片。如今，经过和三安的密切配合和共
同努力，飞骧科技率先在国产三安工艺上达成了5G性能，上述5G射频产品族全面使用
了三安砷化镓工艺。
2021年5月，三星发布Galaxy F52 (5G)。根据eWishTech报道，三星Galaxy F52 (5G)
拆解中发现，国产器件的比例再度提高，尤其是射频领域，主板上拥有三颗来自飞襄科
技的射频PA芯片FX5627H、FX5627K、FX5805A。
图表4：Galaxy F52 (5G)中的飞襄科技芯片
资料来源：eWishTech，国盛证券研究所
荣耀V40是荣耀独立后的首款手机。荣耀V40搭载飞襄科技的PA芯片，用于2G的功
率放大器芯片。
P.5 请仔细阅读本报告末页声明
2021年06月27日
图表5：荣耀V40主板正面主要IC，其中7号为飞襄科技的PA芯片
资料来源：eWishTech，国盛证券研究所
在整个射频前端芯片/模组的产业链中，中国在其中的参与程度目前仍然很低。目前全
球前五大射频厂商分别是：Murata（IDM）、Skyworks（IDM）、Qorvo（IDM）、
Broadcom/Avago（Fabless，除滤波器外）、Qualcomm/TDK Epcos（Fabless）；主流的
射频芯片代工厂包括稳懋（中国台湾）、global foundry、towerjazz等。
图表6：射频市场龙头分布情况
资料来源：Yolo Development，国盛证券研究所
4G向5G切换，智能手机支持的频段数跨越式增长，从而带来对射频器件更多的需求。
根据Yole Development 的数据，2011年及之前智能手机支持的频段数不超过10个，
4G通讯技术普及之下，2016年智能手机支持的频段数增至近40个，而以苹果第一代
5G手机iPhone 12为例，在支持原有LTE频段同时，新增支持17个5G频段（美版由
于支持毫米波而再添3个频段）。因此，移动智能终端中需要不断增加射频前端的数量以
满足对不同频段信号接收、发射的需求。
P.6 请仔细阅读本报告末页声明
2021年06月27日
图表7：美版及国行iPhone12及12 mini支持的频段情况
中国
5G频段
n1 (2100 MHz)
n2 (1900 MHz)
n3 (1800 MHz)
n5 (850 MHz)
n7 (2600 MHz)
n8 (900 MHz)
n12 (700 MHz)
n20 (800 DD)
n25 (1900 MHz)
n28 (700 APT)
n38 (TD 2600)
n40 (TD 2300)
n41 (TD 2500)
n66 (AWS-3)
n77 (TD 3700)
n78 (TD 3500)
n79 (TD 4700)
LTE频段
1 (2100 MHz)
2 (1900 MHz)
3 (1800 MHz)
4 (AWS)
5 (850 MHz)
7 (2600 MHz)
8 (900 MHz)
12 (700 MHz)
13 (700c MHz)
17 (700b MHz)
18 (800 MHz)
19 (800 MHz)
20 (800 DD)
25 (1900 MHz)
26 (800 MHz)
28 (700 APT)
30 (2300 MHz)
32 (1500 L-band)
34 (TD 2000)
38 (TD 2600)
39 (TD 1900)
40 (TD 2300)
41 (TD 2500)
42 (TD 3500)
46 (TD Unlicensed)
48 (TD 3600)
66 (AWS-3)
5G频段
n1 (2100 MHz)
n2 (1900 MHz)
n3 (1800 MHz)
n5 (850 MHz)
n7 (2600 MHz)
n8 (900 MHz)
n12 (700 MHz)
n20 (800 DD)
n25 (1900 MHz)
n28 (700 APT)
n38 (TD 2600)
n40 (TD 2300)
n41 (TD 2500)
n66 (AWS-3)
n71 (600 MHz)
n77 (TD 3700)
n78 (TD 3500)
n79 (TD 4700)
n260 (39 GHz)
n261 (28 GHz)
美国
LTE频段
1 (2100 MHz)
2 (1900 MHz)
3 (1800 MHz)
4 (AWS)
5 (850 MHz)
7 (2600 MHz)
8 (900 MHz)
12 (700 MHz)
13 (700c MHz)
14 (700 PS)
17 (700b MHz)
18 (800 MHz)
19 (800 MHz)
20 (800 DD)
25 (1900 MHz)
26 (800 MHz)
28 (700 APT)
29 (700d MHz)
30 (2300 MHz)
32 (1500 L-band)
34 (TD 2000)
38 (TD 2600)
39 (TD 1900)
40 (TD 2300)
41 (TD 2500)
42 (TD 3500)
46 (TD Unlicensed)
48 (TD 3600)
66 (AWS-3)
71 (600 MHz)
资料来源：苹果官网，国盛证券研究所
图表8：LTE及5G对于射频器件的需求(单位：个)
典型射频方案器件比较
PA通路数量
LNA通路数量
天线数目
滤波器总数目
LTE Cat 4
5
3
2
24
LTE Cat 6
5
9
4
48
5G NR
10
13
7
57
资料来源：Global Radio Frequency Front-end Module Market Research Report 2019，国盛证券研究所
4G到5G，射频模组化、高集成化发展。由于5G频段上升，天线数量增加，射频元器
P.7 请仔细阅读本报告末页声明
2021年06月27日
件数量大幅增长。将4G分立器件方案延续到5G，会导致调试时间增加3-5倍，此外设
备和人力成本也将大幅提升。尽管元器件数量增加，5G手机中射频前端PCB面积不变，
因此模组化是5G手机时代趋势。
内资厂商由中低性能模组向中高性能模组演进。目前国内射频前端公司仍普遍以分立器
件为主，缺少先进的滤波器技术和产品，因此模组化能力不强。从4G到5G，射频模组
向着元器件小型化和模组高集成度发展，内资厂商将有望在这一过程中实现由中低性能
模组到中高性能模组的迭代升级。
同时支持4G/5G的模组技术难度和价值量都最高。无论是发射端还是接收端，同时支
持4G/5G的模组技术难度和复杂度高于单纯5G射频前端模组，因此价值量也更高。
从发射端来看，覆盖1.5GHz~3.0GHz频段范围的射频前端模组价值量最高且综合难度
最大。主要是因为这一频段融合了有源器件与无源器件性能对于频率的要求，最早的4
个FDD LTE频段、4个TDD LTE频段、TDS-CDMA的全部商用频段、最早商用的载波聚
合方案，以及GPS、Wi-Fi 2.4G、Bluetooth等重要的非蜂窝网通信全都在这一频段范围
工作。由于这一频段范围商用时间长，且工作在这一频段的通信多，其特点是拥挤且干
扰多，因此需要高性能的BAW滤波器，这也是M/H (L)PAMiD产品的核心技术难点。博
通、Qorvo、RF360等外资厂商占据高端产品市场，从Qorvo的芯片分析图可以看出，
其产品复杂度非常高。
图表9：射频发射模组技术演进
资料来源：半导体行业观察，国盛电子整理，国盛证券研究所
图表10：M/H LPAMiD开盖图
资料来源：Qorvo，国盛证券研究所
P.8 请仔细阅读本报告末页声明
2021年06月27日
从接收端来看，高复杂度高级程度的接收模组，产品尺寸可以做到非常小，能够在5G
应用上极大压缩Rx部分占用的PCB面积，进而提升5G产品的整体性能。高集成度的
产品通常需要用到WLP形式的先进封装。
图表11：射频接收模组技术演进
资料来源：半导体行业观察，国盛电子整理，国盛证券研究所
根据QYR Electronics Research Center的统计，从2011年至2018年全球射频前端市场
规模以年复合增长率13.10%的速度增长，2018年达149.10亿美元。受到5G网络商业
化建设的影响，自2020年起，全球射频前端市场将迎来快速增长。2018年至2023年
全球射频前端市场规模预计将以年复合增长率16.00%持续高速增长，2023年接近
313.10亿美元。
图表12：全球射频前端市场规模预测（亿美元）
全球射频前端市场规模（亿美元）
350
300
250
200
150
100
50
0
2E2020E2021E2022E2023E
5%
0%
15%
10%
YoY
25%
20%
资料来源：QYR Electronics Research Center、国盛证券研究所
根据QYR Electronics Research Center的统计，2011年以来全球射频开关市场经历了持
续的快速增长，2018年全球市场规模达到16.54亿美元，根据QYR Electronics Research
Center的预测，2020年射频开关市场规模将达到22.90亿美元，并随着5G的商业化建
设迎来增速的高峰，此后增长速度将逐渐放缓。2018年至2023年，全球市场规模的年
复合增长率预计将达到16.55%。
P.9 请仔细阅读本报告末页声明
2021年06月27日
图表13：全球射频开关销售收入（亿美元）
全球射频开关市场规模（亿美元）
40
35
30
25
20
15
10
5
0
2E2020E2021E2022E2023E
0%
10%
5%
YoY
25%
20%
15%
资料来源：QYR Electronics Research Center、国盛证券研究所
根据QYR Electronics Research Center，2018年全球射频低噪声放大器收入为14.21亿
美元，智能手机中天线和射频通路的数量随着4G逐渐普及逐渐增多，对射频低噪声放
大器的数量需求迅速增加，而5G的商业化建设将推动全球射频低噪声放大器市场在
2020年迎来增速的高峰，到2023年市场规模达到17.94亿美元。
图表14：射频低噪声放大器收入（亿美元）
全球射频低噪声放大器市场规模（亿美元）
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
2E2020E2021E2022E2023E
YoY
10%
9%
8%
7%
6%
5%
4%
3%
2%
1%
0%
资料来源：QYR Electronics Research Center、国盛证券研究所
射频芯片景气度较高，2021年主流射频代工产能预计较为饱满，我们判断后续有望迎
来供应紧缺甚至涨价。射频前端芯片市场规模主要受移动终端需求的驱动。近年来，随
着移动终端功能的逐渐完善，手机、平板电脑等移动终端的出货量保持稳定。而移动数
据传输量和传输速度的不断提高主要依赖于移动通讯技术的变革，及其配套的射频前端
芯片的性能的不断提高。
二、全球晶圆厂迎来投建热潮，大陆设备国产化加速
中国大陆现有晶圆产能比例较低，有望进入快速增长阶段。根据集微网统计，2020年全
P.10 请仔细阅读本报告末页声明
2021年06月27日
球12英寸晶圆产能约590万片/月，8英寸晶圆产能约510万片/月。2020年中国大陆
本土厂商12英寸晶圆产能约38.8万片/月，所有已宣布中国大陆本土厂商12英寸晶圆
产能的合计目标145.4万片/月，意味着中国大陆将有大量的增量产能即将逐步投建、释
放。
图表15：国内晶圆厂投建扩产计划
序号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
企业名称/项
尺寸
目名称
中芯国际（北
12
京）
中芯北方
12
中芯南方
12
中芯国际（上
12
海）
中芯京城
12
中芯国际（深
12
圳）
武汉新芯
12
合肥晶和集
12
成
广州粤芯
12
士兰微厦门
华润微电子
积塔
长江存储
长鑫存储
福建晋华
华虹无锡
华力微
华力微二期
杭州积海
杭州富芯
上海闻泰
上海格科微
中芯国际（上
海）
中芯国际（天
津）
中芯国际（深
圳）
积塔（原上海
先进）
积塔
12
12
12
12
12
12
12
12
12
12
12
12
12
8
8
8
8
8
地点
北京
北京
上海
上海
北京
深圳
武汉
合肥
广州
厦门
重庆
上海
武汉
合肥
泉州
无锡
上海
上海
杭州
杭州
上海
上海
上海
天津
深圳
上海
上海
是否新建
现有
2021产能
总目标
（2015年后类型
产能 增加 产能
投产）
-
-
-
-
-
-
2.7
4
1.6
-
-
0
4
4.5
-
2
3.5
2.5
0
0
-
0
-
-
-
2.8
1
-
-
-
-
-
-
1.3
3
0.4
-
-
0
6
3.5
-
2
0
1
0
0
-
0
-
-
-
0
1
-
-
-
-
-
-
4.5
10
3.5
-
-
0.5
30
30
-
4
3.5
4.5
2
3
-
2
-
-
-
3
10
否
否
是
否
是
是
否
是
是
是
是
是
是
是
是
是
否
是
是
是
是
是
否
否
否
否
是
代工
代工
代工
代工
代工
代工
代工
代工
代工
IDM
IDM
代工
IDM
IDM
IDM
代工
代工
代工
代工
IDM
IDM
IDM
代工
代工
代工
代工
代工
股东
内资
内资
内资
内资
内资
内资
内资
内资
内资
内资
内资
内资
内资
内资
内资
内资
内资
内资
内资
内资
内资
内资
内资
内资
内资
内资
内资
备注
量产
量产
量产
量产
在建
在建
量产
量产
量产
量产
在建
在建
量产
量产
量产
量产
量产
量产
在建
在建
在建
在建
量产
量产
量产
量产
量产
P.11 请仔细阅读本报告末页声明
2021年06月27日
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
中芯绍兴
士兰微
华润微电子
燕东微电子
华润微电子
华虹宏力
华虹宏力
华虹宏力
8
8
8
8
8
8
8
8
绍兴
杭州
重庆
北京
无锡
上海
上海
上海
株洲
青岛
济南
杭州
北京
宁波
长沙
大连
扬州
-
-
-
1.5
-
-
-
-
-
-
0
0
1
-
0
1
0
38.9
74.0
-
-
-
3.5
-
-
-
-
-
0
0
0
0
-
0
0
0
21.2
16.6
-
-
-
5
-
-
-
-
-
4
3
1
3
-
2
2
5
145.4
135.0
是
是
否
是
否
否
否
否
是
是
是
是
是
是
是
否
是
代工
IDM
IDM
代工
代工
代工
代工
代工
IDM
代工
IDM
IDM
代工
代工
IDM
IDM
IDM
内资
内资
内资
内资
内资
内资
内资
内资
内资
内资
内资
内资
内资
内资
内资
内资
内资
量产
量产
量产
量产
量产
量产
量产
量产
量产
在建
在建
在建
量产
量产
在建
量产
在建
中车时代电
8
气
芯恩
8
济南富元
中科汉天下
赛微
中芯宁波
比亚迪长沙
8
8
8
8
8
大连宇宙
8
扬州晶新微
8
电子
总计
12
总计
8
资料来源：集微网、国盛证券研究所
2021~2022年全球合计新投建29座晶圆厂，全球晶圆厂进入加速投建阶段。根据semi
统计，到2022年全球将新扩建29座晶圆厂，其中2021年开始投建19座，2022年开
始投建10座。新建晶圆厂中产能最高可达每月40万片，29座晶圆厂建成后，全球晶圆
约产能会增长260万片/月。
图表16：2021~2022年全球新扩晶圆厂数量
资料来源：SEMI，国盛证券研究所
2020年全球半导体设备市场规模创700亿美元新高，大陆首次占比全球第一。根据
SEMI，2020年半导体设备销售额712亿美元，同比增长19%，全年销售额创历史新高。
P.12 请仔细阅读本报告末页声明
2021年06月27日
大陆设备市场在2013年之前占全球比重为10%以内，2014~2017年提升至10~20%，
2018年之后保持在20%以上，份额呈逐年上行趋势。2020年，国内晶圆厂投建、半导
体行业加大投入，大陆半导体设备市场规模首次在市场全球排首位，达到181亿美元，
同比增长35.1%，占比26.2%。2021-2022年，存储需求复苏，韩国领跑全球，但大陆
设备市场规模仍将保持在约160亿美元高位。
图表17：全球半导体设备季度销售额（亿美元）
资料来源：wind，国盛证券研究所
图表18：全球半导体设备分地域季度销售额（亿美元）
资料来源：wind，国盛证券研究所
P.13 请仔细阅读本报告末页声明
2021年06月27日
图表19：中国大陆半导体设备市场规模
中国大陆半导体设备市场（亿美元）
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
20172019
yoy
350%
300%
250%
200%
150%
100%
50%
0%
-50%
900
800
700
600
图表20：2021-2022年晶圆厂前道设备支出持续增长
晶圆厂前道设备支出（亿美元）
yoy
50%
40%
30%
20%
10%
0%
-10%
20202021E2022E
500
400
300
200
100
0-20%
资料来源：日本半导体制造装臵协会，国盛证券研究所 资料来源：SEMI，国盛证券研究所
2021年全球半导体器件制造商资本开支大幅增长。根据SEMI，2020年全球半导体公
司资本开支规模约1070亿美元，2021年预计同比增长31%至超过1400亿美元，其中
韩国晶圆厂设备开支排名第一，达到223亿美元，中国台湾省开支月193亿美元，中国
大陆开支预计达到139亿美元。
图表21：半导体器件制造商资本支出（百万美元）
2020
三星（半导体）
台积电
Intel
SK海力士
美光
中芯国际
全球总计
全球总计yoy
资料来源：SEMI，国盛证券研究所
2021E
30000-32000
30000
19500
10800
8700
4300
140000
31%
24500
17240
14300
8400
8200
5700
107000
9%
Capex进入上行期，台积电、中芯国际纷纷增加资本开支。台积电从2020年170亿美
金增长到300亿美金（用于N3/N5/N7的资本开支占80%），再到2021年4月1日公
布的未来三年资本开支1000亿美金；联电从2020年10亿美金增长到23亿美金（用于
的12寸晶圆的资本支出占85%）；华虹从2020年11亿美金增长到2021年13.5亿美
金（大部分用于华虹无锡12寸）；中芯国际2021年资本维持高位，达到43亿美金（大
部分用于扩成熟制程，尤其是8寸数量扩4.5万片/月），开启新一轮资本开支。
P.14 请仔细阅读本报告末页声明
2021年06月27日
图表22：晶圆代工企业资本开支（百万美元）
资料来源：彭博，国盛证券研究所
全球设备五强占市场主导角色。全球设备格局竞争，主要前道工艺（刻蚀、沉积、涂胶、
热处理、清洗等）整合成三强AMAT、LAM、TEL。另外，光刻机龙头ASML市占率80%+；
过程控制龙头KLA市占率50%。根据VLSI，ASML、AMAT、LAM Research、TEL、KLA
五大厂商2020年半导体设备收入合计550亿美元，占全球市场约71%。
图表23：全球半导体设备厂商排名
资料来源：VLSI、国盛证券研究所
设备国产化率较低，海外龙头垄断性较高。我国半导体设备市场仍非常依赖进口，从市
场格局来看，细分市场均有较高集中度，主要参与厂商一般不超过5家，top3份额往往
高于90%，部分设备甚至出现一家独大的情况，目前国内厂商目标市场主要是国内晶圆
厂需求，尤其是内资投建的需求。
P.15 请仔细阅读本报告末页声明
2021年06月27日
图表24：国产半导体设备供需存在较大差距
中国半导体设备需求（亿美元）
国产设备厂商销售额（亿美元）
自给率
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
20142015
8.0%
7.5%
7.0%
6.5%
6.0%
5.5%
5.0%
20192020E
资料来源：SEMI，国盛证券研究所
图表25：全球关键半导体设备市场规模（亿美元）与代表厂商
设备
EUV
DUV
CVD
PVD
ALD
Etch
ALE
Clean
Implant
CMP
Lithography
metrology
Inspection
2020
48.2
67.8
47.6
71.4
10.4
95.2
3.2
49
22.5
22.5
11
22.5
2025
125.5
54.1
71.6
109.4
33.4
115.3
4.9
66.8
28
29.8
15.1
34
CAGR
21.1%
-4.4%
8.5%
8.9%
26.3%
3.9%
8.9%
6.4%
4.5%
5.8%
6.5%
8.6%
国际领先厂商
ASML
ASML、Canon、Nikon
AMAT、Lam、TEL
国内厂商
-
上海微电子装备
拓荆科技
北方华创
北方华创、拓荆科技
中微公司、北方华创
AMAT
AMAT、TEL、Lam、ASM、VEECO
Lam、TEL、AMAT
Lam、AMAT、TEL
-
SCREEN、TEL、Lam 盛美半导体、北方华创
中电科电子装备集团
AMAT
AMAT、Ebara 华海清科
KLA、Hitachi、AMAT、ASML
KLA、AMAT
-
睿励科学
资料来源：SEMI，国盛证券研究所
国内国产化逐渐起航，从0到1的过程基本完成。中微公司介质刻蚀机已经打入5nm
制程。北方华创硅刻蚀进入SMIC 28nm生产线量产。Mattson（屹唐半导体）在去胶设
备市占率全球第二。盛美半导体单片清洗机在海力士、长存、SMIC等产线量产。沈阳拓
荆PECVD打入SMIC、华力微28nm生产线量产，2018年ALD通过客户14nm工艺验
证。精测电子、上海睿励在测量领域突破国外垄断。
P.16 请仔细阅读本报告末页声明
2021年06月27日
图表26：国产设备替代进程
资料来源：公司公告、国盛证券研究所
三、科技股报审，众多潜在优质标的值得挖掘
我们统计IPO审核通过尚未发行的电子公司。随着以科创板为代表的越来越多科技股上
市，新股中有大量优质标的值得挖掘，这些公司本身具有较长研发历史和竞争力，伴随
着上市获得更多资本市场和资源的支持，有望进一步加速发展。
图表27：IPO审核通过尚未发行的电子公司
简称 主营业务
LCD显示驱动电路、LDO、LED/LCD驱动电路等、LED驱动电路、OVP、RGB恒流显示驱动电路、
TVS、充电管理芯片、大电流LDO、低噪声高性能LDO、负载开关、高精度霍尔芯片、高压宽输
入范围LDO、过流防护芯片、过压防护芯片、线性充电管理芯片、小电流通用LDO、信号链芯片、
智能组网延时管理单元
便携式音视频SoC芯片、蓝牙音频SoC芯片、智能语音交互SoC芯片
FPC、LED背光模组、连接器零组件
5G相控阵天线罩、EMI及IP防护器件、EMI及IP防护橡胶产品、导热垫片、导热凝胶、电子导
热散热器件、防水防尘呼吸阀、基站射频单元防护壳体、射频与透波防护器件、无源交叉耦合器
件
宏微科技FRED系列、宏微科技IGBT系列、宏微科技MOSFET系列、宏微科技动态节能照明电
源
充气继电器、大功率磁控管、低压高过载直流接触器、断路器用真空开关管、负荷开关用真空开
关管、高、低压真空交流接触器、高压直流接触器、隔离换相开关、固定陶瓷高压电容器、接触
器用真空开关管、可变陶瓷高压电容器、氢闸流管、陶瓷高压继电器、真空继电器、真空交流断
路器
轨道交通装备、新兴装备
DRAM、MCP、NAND Flash、NOR Flash、技术服务
力芯微
炬芯科技
奕东电子
阿莱德
宏微科技
国力科技
中车电气
东芯股份
P.17 请仔细阅读本报告末页声明
2021年06月27日
复旦微
天微电子
艾为电子
力同科技
显盈科技
雷电微力
普冉股份
雅创电子
灿勤科技
格科微
盛美股份
国芯科技
翱捷科技
FPGA芯片、安全与识别芯片、非挥发存储器、集成电路测试服务、智能电表芯片
保护类某型放电管、大型大电流陶瓷快/慢熔断系列、点火类某型放电管、某型动力舱灭火系统、
某型灭火抑爆系统、某型抑爆系统、微型贴装陶瓷快/慢熔断系列、小型管状陶瓷快/慢熔断系列、
小型塑料插件慢熔断系列
艾为电子电源系列、艾为电子射频小器件、艾为电子音频系列、电源管理芯片、马达驱动芯片、
射频前端芯片、音频功放芯片、智能感知芯片
2G/3G/4G射频大功率功放、5G射频大功率功放、AES融合通讯后台及其系统软件、电子围栏功
放模块、公网宽带模块、海上船台功放模块、海事船用对讲设备、接入网关和中转设备、蓝牙模
块、模拟通讯模块、射频加热功放模块、射频解冻功放模块、数字通讯模块、无线通信SoC芯片、
无线通信射频芯片、智慧物联终端、专网无线通信终端、自组网功放模块
HDMI-VGA转换器、HDMI转DP转换器、Mini DP转HDMI转换器、Thunderbolt 3（雷电3）基
座型拓展坞、Type-C便携式多功能拓展坞、Type-C基座型拓展坞、Type-C轻便型拓展坞、Type-C
手机支架型拓展坞、Type-C转DP转换器、Type-C转HDMI转换器、充电宝外壳、电子元器件、
机身上盖、模具及精密结构件产品、数字信号拓展坞、小轮毂、信号转换器
高频段毫米波前端、毫米波有源相控阵微系统、火控雷达相控阵微系统、机载数据链相控阵微系
统、星载毫米波有源相控阵微系统
EEPROM、NORFlash
DRAM芯片、LED颗粒、NANDFlash闪存芯片、被动元件、电池、非存储IC、分立半导体、光电
耦合器、液晶屏
LC滤波器、RFID天线、TEM介质滤波器、TEM模介质谐振器、TE模介质谐振器、TM模介质谐
振器、导航天线模组、电桥、多频天线、负载、功分器、航空天线、介质波导滤波器、介质多工
器、介质双工器、金属腔体滤波器、开关滤波器、耦合器、衰减器、卫星授时天线
CMOS图像传感器、显示驱动芯片
SAPS单片清洗设备、TEBO单片清洗设备、槽式清洗设备、单片背面清洗设备、单片槽式组合清
洗设备、单片清洗设备、后道先进封装电镀设备、立式炉管设备、前道刷洗设备、前道铜互连电
镀设备、去胶设备、湿法刻蚀设备、涂胶设备、无应力抛光设备、先进封装刷洗设备、显影设备
IP授权、芯片定制服务-量产服务、芯片定制服务-设计服务、自主芯片及模组产品
半导体IP授权服务、非蜂窝物联网芯片、蜂窝基带芯片、芯片定制服务
资料来源：wind、国盛证券研究所
四、投资建议
【半导体核心设计】
韦尔股份、卓 胜 微、兆易创新、恒玄科技、圣邦股份、芯朋微、晶丰明源、思瑞浦、
芯原股份；
【军工芯片】
紫光国微、景嘉微；
【功率】
华润微、士兰微、斯达半导、扬杰科技、新洁能；
【半导体代工、封测及配套】
I D M：三安光电、闻泰科技、士 兰 微；
晶圆代工：中芯国际、华 润 微；
P.18 请仔细阅读本报告末页声明
2021年06月27日
封 测：长电科技、通富微电、深科技、华天科技、晶方科技；
材 料：鼎龙股份、雅克科技、彤程新材、安集科技、兴森科技、
华懋科技、立 昂 微、晶瑞股份、南大光电、沪硅产业；
设 备：北方华创、中微公司、华峰测控、长川科技、精测电子、
至纯科技、万业企业、盛美半导体；
【苹果链龙头】
立讯精密、歌尔股份、京东方、欣旺达、领益智造、大族激光、鹏鼎控股、比亚迪电子、
工业富联、信维通信、东山精密、长盈精密；
【光学】
瑞声科技、舜宇光学、丘钛科技、欧菲光、水晶光电、联创电子、苏大维格；
【消费电子】
精研科技、杰普特、科森科技、赛腾股份、智动力、长信科技；
【面板】
京东方A、TCL科技、激智科技；
【元器件】
火炬电子、三环集团、风华高科、宏达电子；
【PCB】
鹏鼎控股、生益科技、景旺电子、胜宏科技、东山精密、弘信电子；
【安防】
海康威视、大华股份。
P.19 请仔细阅读本报告末页声明
2021年06月27日
五、风险提示
下游需求不及预期：若下游市场的增速不及预期，供应链公司的经营业绩将受到不利影
响。
中美科技摩擦：若中美科技摩擦进一步恶化，将对下游市场造成较大影响，从而对供应
链公司造成不利影响。
P.20 请仔细阅读本报告末页声明
2021年06月27日
免责声明
国盛证券有限责任公司（以下简称“本公司”）具有中国证监会许可的证券投资咨询业务资格。本报告仅供本公司的客户使
用。本公司不会因接收人收到本报告而视其为客户。在任何情况下，本公司不对任何人因使用本报告中的任何内容所引致
的任何损失负任何责任。
本报告的信息均来源于本公司认为可信的公开资料，但本公司及其研究人员对该等信息的准确性及完整性不作任何保证。
本报告中的资料、意见及预测仅反映本公司于发布本报告当日的判断，可能会随时调整。在不同时期，本公司可发出与本
报告所载资料、意见及推测不一致的报告。本公司不保证本报告所含信息及资料保持在最新状态，对本报告所含信息可在
不发出通知的情形下做出修改，投资者应当自行关注相应的更新或修改。
本公司力求报告内容客观、公正，但本报告所载的资料、工具、意见、信息及推测只提供给客户作参考之用，不构成任何
投资、法律、会计或税务的最终操作建议,本公司不就报告中的内容对最终操作建议做出任何担保。本报告中所指的投资
及服务可能不适合个别客户，不构成客户私人咨询建议。投资者应当充分考虑自身特定状况，并完整理解和使用本报告内
容，不应视本报告为做出投资决策的唯一因素。
投资者应注意，在法律许可的情况下，本公司及其本公司的关联机构可能会持有本报告中涉及的公司所发行的证券并进行
交易，也可能为这些公司正在提供或争取提供投资银行、财务顾问和金融产品等各种金融服务。
本报告版权归“国盛证券有限责任公司”所有。未经事先本公司书面授权，任何机构或个人不得对本报告进行任何形式的发
布、复制。任何机构或个人如引用、刊发本报告，需注明出处为“国盛证券研究所”，且不得对本报告进行有悖原意的删节
或修改。
分析师声明
本报告署名分析师在此声明：我们具有中国证券业协会授予的证券投资咨询执业资格或相当的专业胜任能力，本报告所表
述的任何观点均精准地反映了我们对标的证券和发行人的个人看法，结论不受任何第三方的授意或影响。我们所得报酬的
任何部分无论是在过去、现在及将来均不会与本报告中的具体投资建议或观点有直接或间接联系。
投资评级说明
投资建议的评级标准
评级标准为报告发布日后的6个月内公司股价（或行业
指数）相对同期基准指数的相对市场表现。其中A股市
场以沪深300指数为基准；新三板市场以三板成指（针
对协议转让标的）或三板做市指数（针对做市转让标的）
为基准；香港市场以摩根士丹利中国指数为基准，美股
市场以标普500指数或纳斯达克综合指数为基准。
行业评级
股票评级
评级
买入
增持
持有
减持
增持
中性
减持
国盛证券研究所
北京
地址：北京市西城区平安里西大街26号楼3层
邮编：100032
传真：************
邮箱：*******************
南昌
邮编：330038
传真：*************
邮箱：*******************
上海
地址：上海市浦明路868号保利One56 1号楼10层
邮编：200120
电话：************
邮箱：*******************
深圳
邮编：518033
邮箱：*******************
说明
相对同期基准指数涨幅在15%以上
相对同期基准指数涨幅在5%~15%之间
相对同期基准指数涨幅在-5%~+5%之间
相对同期基准指数跌幅在5%以上
相对同期基准指数涨幅在10%以上
相对同期基准指数涨幅在-10%~+10%之
间
相对同期基准指数跌幅在10%以上
地址：南昌市红谷滩新区凤凰中大道1115号北京银行大厦 地址：深圳市福田区福华三路100号鼎和大厦24楼
P.21 请仔细阅读本报告末页声明
版权声明：本文标题：电子行业周报:国产化+景气度,两条主线! 内容由热心网友自发贡献，该文观点仅代表作者本人， 转载请联系作者并注明出处：https://m.elefans.com/shuma/1717840153a615877.html， 本站仅提供信息存储空间服务，不拥有所有权，不承担相关法律责任。如发现本站有涉嫌抄袭侵权/违法违规的内容，一经查实，本站将立刻删除。
发表评论