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2024年6月25日发(作者:)
据悉,2005年,河南裕华高白玻璃有限公司成
功开发了高白压延太阳能电池封装玻璃产品,同时
格兰达自主新设备亮相l C CH l NA2008
建成了国内第一条太阳能玻璃生产线。2006年,裕
华公司投资2.5亿元开工建设年产10万吨压延太
在今年的IC China展会上,格兰达的特大装备
阳能电池封装玻璃项目。
展示阵容向业界呈现了最新技术与设备,并集中展
示了新品GMark BGA 620多功能高效设备,这款设
2008年上半年上海集成电路产业统计
备针对槽式料盒及堆叠式料盒(Slot Magazine)盛放
的半导体料条,能够更好地在多种芯片、多种尺寸、
据上海市集成电路行业协会(SICA)对上海120
多种形式的要求下进行快速精准的标刻。设备采用
家主要集成电路企业的统计,08年上半年销售额总
最新的双头光纤激光,打标范围300mmxl5Omm,能
收入为202.96亿元,同比增长4.1%。
够覆盖到整个半导体料条,打标工作一次完成,适用
于BGA、SLP、QFP、QFN、SOP、SOIC、TO、DIP等产
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品,采用双头激光、标前方向检测、视觉系统定位、标
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中ID检测、标后质量检测,导轨自动调整宽度,较好
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的兼容弯曲的料条和有毛刺的料条,全自动
近年来上海集成电路产业产值增幅趋缓,但经
PC—Based控制系统,多语言及时切换界面,可连接
济效益明显提升,销售额逐年增长,只是增幅逐年减
服务器进行自动recipe下载或远程控制,生产数据
小,如下图所示。
分析统计,设备运行日志全记录,导轨可调宽度范围
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40mm~90ram,空跑速度约1000条/小时,打标定
t4) %
位精度20um(带视觉定位时),最小可标刻芯片尺
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寸lmmxlmm,标刻速度300字符/秒。
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ARM、特许、I BM
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及三星共推32、28纳米SOC
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据上海集成电路行业协会(SICA)对基地内75
IBM、特许半导体制造有限公司、三星电子有限
家主要企业的跟踪统计,2006年上半年至2008年
公司以及ARM公司日前宣布:他们将在高k金属
上半年行业整体的利润总额逐步提升,同期基地内
栅(HKMG)技术的基础上开发一个完整的32纳
集成电路产业利润比较(单位:万元),如下图所示。
米和28纳米的片上系统(SoC)设计平台。HKMG
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技术是由IBM领导的联合开发团队所开发的。ARM
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同时宣布:将利用公共平台HKMG 32纳米/28纳米
8。00
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技术独特的特性,开发定制化的物理IP,以实现当
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前和未来的ARM Codex系列处理器在功耗、性能和
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面积等方面的优化。HKMG技术打破了历史上关于
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扩展的障碍,通过利用新材料科技的创新,大大提高
了在功耗和性能方面的优势。这个技术可用于众多
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l…H【l】国集成电路
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嵌入式领域,包括移动产品、便携产品和消费电子产
品。
飞凌的第一代嵌入式晶圆级球栅阵列(eWLB)技术
基础上,三家公司将合作开发下一代的eWLB技术,
用于封装未来的半导体产品。通过Infineon对sT和
STATS ChipPAC的技术许可协议,主要研发方向是
Omn i V i S i on推出全球首款
1/3英寸的8百万画素传感器
利用一片重构晶圆的两面,提供集成度更高、接触单
元数量更多的半导体解决方案。
OmniVision日前推出全球第一款1/3英寸8百
万画素CMOS影像传感器。全新的0V8810是该公
中兴选择Tundra PC l Express产品
司第一款使用最新推出的1.4微米0mniBsI 背面
创建下一代平台
照度技术所研发的CameraChip产品。1/3英寸的
OV8810体积小到足以纳入8.5 x 8.5 x 7 mm的相机
系统互连领域厂商Tundra(腾华)半导体公司
模块当中,并且可以用每秒10个讯框(fps)的速度
已经被电信设备和网络解决方案供应商中兴公司选
以最高的8百万画素分辨率输出数据。其可以6O 中,为中兴下一代平台系统图形卡提供Tundra的高
fps的速率撷取720p高传真(HD)视讯影片,或以
性能PCI Express产品。
30fps的速度撷取1080p的影片数据。在QVGA分
中兴公司为提高其新型图形卡的总体性能选择
辨率方面,此传感器可以达到120 fps的数据输出速 Tundra的高性能半导体产品。Tundra的高性能半导
率,符合慢动作视讯影片的需求。0V8810可透过 体产品的典型功耗为1.3瓦,并加入功率管理模块
双信道高速MIPI接口或并行接口支持8/10/12位
使运行期间的功耗最小化。此外,Tundra的PCI
的RAW RGB数据。 Express产品被赋予了灵活性、高性能、占板面积小、
低功耗和drop—in连接兼容性,这些均为中兴新型
KLA-TENCOR推出PROL I TH 1 2
设计所需的性能。
KLA—Tencor公司近Et推出了PROLITH 12,
富通微电与南亚签署协议
这是一款业界领先的新版计算光刻工具。此新版工
了结芯片专利纠纷
具让领先的芯片制造商及研发机构的研究人员能够
以具有成本效益的方式探索与极紫外线(EUV)光
据道琼斯通讯社报道,南通富士通微电子股份
刻有关的各种光罩设计、光刻材料及工艺的可行性。
有限公司(Nantong Fujitsu Microelectronics Co.,简
PROLITH 12是KLA—Tencor先进光刻解决方案组
称:富通微电)和南亚科技(Nanya Technology Corp.,
合中的拳头产品,已被美国和亚洲的研发机构及先
)近El表示,双方签署了一份专利许可协议,以解决
进的内存制造商采用,帮助研发工程师判断EUV光
双方围绕动态随机存储器(Dynamic Random Access
刻的可行性,并确定EUV能够获得成功的条件。
Memory,DRAM芯片)的专利纠纷。
两公司发表联合公告表示,根据协议,南通富士
STATS Oh j pPAC与ST、I nf j neon
通微电子股份有限公司母公司富士通(Fujitsu Ltd.,
合作开发eWLB晶圆级封装工艺
)将撤回要求法院禁止南亚科技DRAM芯片进口日
本的禁令。
STATS ChipPAC、ST和Infineon El前宣布,在英
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