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2024年3月17日发(作者：)

1 . a

截止频率

alpha cutoff frequency

2 .

禁带变窄

band gap narrowing

3

.基区渡越时间

base transit time

4 .

基区输运系数

base transport factor

5 .

基区宽度调制效应

base width modulation.4

截止频率

beta cutoff

frequency

7 .

集电结电容充电时间

collector capacitance charging time

8 .

集电结耗尽区渡越时间

collector depletion region transit time

9 .

共基极电流增益

common-base current gain

10 .

共放射极电流增益

common-emitter current gain

11 .

电流集边

current crowding

12 .

截止频率

cutoff frequency

13 .

厄尔利电压

early voltage

14 . £-8

结电容充电时间

emitter-base junction capacitance charging time.

放射极注入效率系数

emitter injection efficiency factor

15 .

正向有源

forward active.

反向有源

inverse active

16 .

输出电导

output conductance.

积累层电荷

accumulation layer charge

17 .

体电荷效应

bulk charge effect.

沟道电导

channel conductance

18 .

沟道电导调制

channel conductance modulation.

互补金属氧化物半导体

CMOS

19 .

耗尽型

MOS

场效应管

depletion mode MOSFET.

增加型

MOS

场效应管

enhancement mode MOSFET

26.

等价

定氧化层电荷

equivalent fixed oxide charge

27 .

平带电压

flat-band voltage.

栅电容充电时间

gate capacitance charging

time

28 .

界面态

interface state.

反型层电荷

inversion layer charge

29 .

反型层迁移率

inversion layer mobility.

闩锁

latch-up

30 .

最大空间电荷区宽度

maximum induced space charge width.

金属-半导

体功函数差

metal-semiconductor work function difference

31 .

临界反型

moderate inversion.

栅氧化层电容

oxide capacitance

32 .

饱和

saturation.

强反型

strong inversion

33 .

阀值反型点

threshold inversion point

34 .

阀值电压

threshold voltage.

跨导

transconductance

35 .

弱反型

weak inversion.

沟道长度调制

channel length modulation

36 .

热电子

hot electrons.

轻掺杂漏

lightly doped drain

37 .

窄沟道效应

narrow-channel effects.

源漏穿通

near punch-through

38 .

短沟道效应

short-channel effects.

寄生晶体管击穿

snapback

39 .

亚阀值电导

subthreshold conduction.

表面散射

surface scattering

53 .

耗尽型结型场效应管

depletion mode JFET.

增加型结型场效应管

enhancement mode JFET

54 .

夹断

pinchoff.

发光二极管

LED light emitting diode

55 .

瞬时间电流

prompt photocurrent.

半导体可控整流器

SCR

semiconductor controlled rectifier

56 .

半导体闸流管

thyristor.

三端双向可控硅开关元件

triac

本文标签： 时间半导体调制基区

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